样品表面近红外光谱结合多类支持向量机快速鉴别枸杞子产地

采用便携式近红外光谱仪采集枸杞子表面不同部位的近红外漫反射光谱,结合多类支持向量机算法对枸杞子产地进行快速无损辨识。以识别率为评价指标进行光谱预处理方法的选择,为了消除样本划分偏性对结果的影响,本研究通过重复划分样本集多次建模与预测,利用识别率的统计结果考察各个光谱采集部位的建模结果。实验结果表明,原始数据经二阶导数加SG平滑处理后,所建模型具有良好的产地预测性能。除了枸杞子顶端部位外,其他部位模型的稳定性及准确性均较好,其外部验证识别率的中位数与平均值均大于97%。这表明利用枸杞子样品表面近红外光谱可实现产地的准确鉴别,便携式近红外光谱技术可作为中药材流通环节中的有效监控手段。     

基于YOLOv5和膨胀卷积的鱼类目标检测算法

鱼类目标所在的场景常存在较强的水下噪声,同时鱼类目标有着与周围环境相近的伪装色,使得鱼类目标检测的效果达不到很高的水平。为了精准且快速的检测鱼类目标,提出了一种基于YOLOv5和膨胀卷积的目标检测网络,首先利用YOLOv5网络提取图片特征,然后利用基于膨胀卷积的三支路特征融合结构整合大范围的全局信息,最后通过检测头对图片中鱼类目标的位置进行预测并用矩形框进行标记。研究表明,本文的算法在自建数据集上m AP达到81.5%,相较于原始的YOLOv5s算法提升了1.5%,而且能实时准确的获取到鱼类目标的位置,极大提升了鱼类目标检测的效率。     

一种200μm涂层直径弯曲损耗不敏感光纤的设计及应用

我们开发了一种模场直径在9.2μm(1310nm)附近,并且满足ITU-T G.657 A1标准的低宏弯损耗性能的200μm涂层直径光纤.这种光纤的折射率剖面简单,包括芯层、下陷内包层和外包层,特别适合大规模生产.经试验证实,这种光纤具有良好的熔接特性和微弯曲损耗,特别适合用于色环光纤和并带光纤.     

程控电话交换机过电流保护元件用高性能PTC陶瓷的研制

阐述了高性能ＰＴＣ陶瓷材料制备的基本要点，并以基方固溶体化学组成、原材料选择、复合添加物改性以及特定烧结工艺等方面开展工作，制得了居里温度为９０℃左右、室温体积电阻率为３０Ω·ｃｍ，电阻率突变ρνｍａｘ／ρνｍｉｎ＞１０５、电阻率温度系数α≈１５％／℃、耐电压强度≥１５０Ｖ／ｍｍ的高性能ＰＴＣ陶瓷材料。此材料制得的元件能满足程控电话交换机过电流保护的要求。     

硅探测器的数字化脉冲形状甄别

介绍了利用硅探测器的脉冲形状甄别进行粒子鉴别的原理。详细叙述了基于数字化方法的脉冲形状甄别的实现。采样频率和位数是数字化方法的两个重要参数。对于硅探测器信号,采用100 MS/s,12 bit的Digitizer可以满足脉冲形状甄别法对时间分辨的要求。同时对该方法粒子鉴别的特征和能量阈值做了简要的分析和对比。粒子背面入射硅探测器的所得的阈值低于正面入射的情况。例如对于氖周围的同位素,背面入射情况的阈值约为100 MeV,为正面入射情况下鉴别阈值的二分之一,相当与ΔE-E方法中ΔE探测器厚度约为60 μm情况下的阈值。最后定性讨论了硅探测器的电阻率不均匀性和沟道效应对粒子鉴别性能的影响。In this paper Pulse Shape Discrimination(PSD) for silicon detector has been briefly introduced. The emerging digital method successfully applied to detector signal processing makes digital PSD method one of the most promising particle identification methods. Sampling frequency and the number of bits are two key parameters of digital method. For silicon detector signal, adopting 100 Ms/s, 12 bit Digitizer can satisfy the time resolution requirement of PSD method. The identification characteristic and energy threshold of this method have been discussed and compared with both front injection and rear injection cases. Energy threshold with rear injection usually is much lower than that with front injection. For example, around for Neon isotope energy threshold with rear injection is about 100 MeV which is only half of the threshold with front injection, also equivalent to thickness of about 60 μm silicon detector threshold in ΔE-E method. At the end the impact of silicon detector's resistivity nonuniformity and channel effect on the identification capacity of PSD method has been discussed in detail.     

YVO_4∶Eu~(3+)@SiO_2核壳结构纳米复合材料的合成与表征

用沉淀法制备了尺寸约为8 nm的YVO4∶Eu3+纳米粒子,然后用反相微乳液法在YVO4∶Eu3+纳米粒子的表面包覆了一层Si O2壳。利用XRD、TEM、UV-Vis吸收光谱和光致发光光谱对合成的样品进行了表征。得到的复合物具有较好的核壳结构,通过改变硅酸四乙酯的用量可以改变Si O2壳的厚度。研究了Si O2壳对YVO4∶Eu3+发光性质的影响,结果表明:包覆和未包覆的样品在紫外光激发下都有Eu3+的特征发射;随着Si O2壳厚度的增加,发光强度和量子效率越来越低,Eu3+格位对称性越来越高。     

INFLUENCE OF DRIVING-FIELD PHASE FLUCTUATION ON ABSORPTION AND DISPERSION IN A SIMPLE THREE-LEVEL ATOMIC SYSTEM

The steady-state behavior of a simple three-level atomic system has been investi-gated by taking into account the effect of phase fluctuations in the driving field. For a monochromatic driving field, lasing with or without inversion can be established over a wide frequency range for the probe and driving fields. A large refractive index can also be generated even if the population inversion is positive. For a finite linewidth of the driving field, the refractive index enhancement tends to decrease. Furthermore, a behavior change from inversion laser to noninversion laser can occur as the driving field linewidth increases.     

时间反演对称性引起的自旋宇称效应

推广关于由有限重轴旋转对称性导致的自旋宇称效应的纯量子力学理论 ,建立了源于时间反演对称性的自旋宇称效应 .所涉及的量子系统既可以是单自旋的 ,也可以是多自旋的 ;所涉及的状态可以是自旋在任意轴上的投影的任意一对具有反号本征值的本征态 ;所涉及的自旋可以有任意的量子数 .结果还清楚地表明 :上述两种对称性所引起的自旋宇称效应互为补充 ,但并不等价     

C波段高频率稳定度宽带FET电压控制振荡器

本文叙述了用场效应振荡管和砷化镓常γ电调变容二极管及恒温控制电路等构成的C波段高频率稳定度宽带场效应管电压控制振荡器(VCO)的设计和电性能.通过合理的设计,VCO在4～6～8GHz的频率范围内,得到输出功率大于30mW,功率平坦度小于1dB,频率稳定度在10~(-5)量级.     

反磁化形核行为的微磁学研究

本文指出,在对称情况下,微磁学中的反磁化形核问题是一个典型的分歧问题。利用对分歧问题的研究结果,在详细分析Brown方程分歧解的稳定性之后,得到的结论是:形核场是Brown方程的最大分歧点,Brown,Frei,Aharoni和Shtrikman等人用线性化方法获得的结果,包含在本文的笫一级微扰近似的结果中。不局限于线性化近似,文中还得到了形核场近旁的反磁化行为,它们或者连续地沿分歧解进行,或者是一个不连续跃变;同时,还给出了连续和不连续形核的判据。