热处理对DNA纤维影响的拉曼研究

热处理对ＤＮＡ纤维影响的拉曼研究柯惟中余多慰陈婉蓉缪丽萍（南京师范大学理化中心江苏省光电技术重点实验室南京２１００９７）ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉｃＳｔｕｄｙｏｆｔｈｅＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆＨｅａｔＴｒｅａｔｍｅｎｔｏｎＤＮＡＫｅＷｅｉｚｈｏ...     

基于机器视觉的轴偏角归一化检测系统

在复杂的测控、发射、跟踪等系统的制造和使用中，分系统或部件间的安装位置偏差会影响控制、跟踪、发射的精度和系统其他指标测量结果的准确性，因而需要进行测量和校正。提出了基于视觉图像定位光斑中心的轴偏角测量方法，并基于LABVIEW虚拟仪器平台构建了机器视觉测角系统。以某大型武器系统为测试平台，对不同属性的轴(如发射轴、瞄准轴、激光指示器轴、制导中的测量基线等)进行归一化测量和校准，得到了满意的效果。     

低开启电压的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管

采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料 ,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPNInGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管 (doubleheterojunctionbipolartransistor,DHBT) .器件性能如下 :BE结的正向开启电压 (turn onvoltage)仅为 0 73V ;当IB=1μA/step时 ,直流增益达到了 10 0 ,BVCEO=5～ 6V .通过对基区不同Sb含量器件的比较得到 ,器件的直流特性与基区Sb的含量有关.     

自旋隧穿和演化的宇称效应的纯量子理论

关于磁性宏观量子隧道效应的一个有趣的理论结果 ,是所谓的宇称效应 .几位作者用自旋相干态路径积分方法证明 :若单个自旋的Hamiltonian^H绕z轴有M重旋转对称性 ,则当自旋量子数S不是M/ 2的整数倍时,〈-Se-^{i^Ht} S〉为零 ,此处|m〉(m =-S ,-S + 1 ,… ,S)是自旋算符z分量^S^z 的本征态.这里不仅对上述结论给出了一个纯量子力学的证明(不限于大自旋极限 ) ,而且把它推广到更一般情形:对于由N个自旋构成的量子系统(其Hamiltonian记为^H) ,包括单个自旋、铁磁微粒和反铁磁微粒作为特例,若 ^H仍具有前述对称性 ,则当∑^N_i=1(mi-m′i)不等于M的整数倍时,〈m′N…m′2m′1|e-^{i^Ht} m1m2 …mN〉为零,此处|m1m2 …mN〉 =∏ ^N_α=1mα〉 ,而|mα〉是^S^z_α 的本征态.另外,对于大自旋,上述宇称效应并不表示自旋从±z向到^_₊z向的隧穿被淬灭.     

TOPOLOGICAL CLASSIFICATION OF 3D AND 2D SPIN STATES IN A FERROMAGNET INCLUDING AN ANNULAR CAVITY

ＴＯＰＯＬＯＧＩＣＡＬＣＬＡＳＳＩＦＩＣＡＴＩＯＮＯＦ３ＤＡＮＤ２ＤＳＰＩＮＳＴＡＴＥＳＩＮＡＦＥＲＲＯＭＡＧＮＥＴＩＮＣＬＵＤＩＮＧＡＮＡＮＮＵＬＡＲＣＡＶＩＴＹ阎凤利，李伯臧￥ＹａｎＦｅｎｇｌｉ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＰｈｙｓ，ＨｅｂｅｉＴｅａｃｈｅｒｓ...     

Pulse Operation of Chemical Oxygen-Iodine Laser by Pulsed Gas Discharge with the Assistance of Spark Pre-ionization

The continuous wavelength chemical oxygen-iodine laser can be turned into pulse operation mode in order to obtain high energy and high pulse power. We propose an approach to produce iodine atoms instantaneously by pulsed gas discharge with the assistance of spark pre-ionization to achieve the pulsed goal. The influence of spark pre-ionization on discharge homogeneity is discussed. Voltage-current characteristics are shown and discussed in existence of the pre-ionization capacitor and peaking capacitor. The spark pre-ionization and peaking capacitor are very helpful in obtaining a stable and homogeneous discharge. The lasing is achieved at the total pressure of 2.2-2.9 kPa and single pulse energy is up to 180 mJ, the corresponding specific output energy is 1.0 3/L.     

关于双曲1-凸函数几个问题的探究

在单位圆盘D内,从双曲几何的角度,有两个与欧氏凸性相联系的方面,双曲凸性和双曲1-凸性.对定义在单位圆盘D内的双曲1-凸函数的几个重要算子的范围进行探究,其中对双曲1-凸函数族K_h~1,将其等价描述特征由两个变量扩展到三个;对双曲1-凸函数,首次对它的第二类微分算子|D_(h2)f(z)l进行了探讨,并给出了其范围;对正规化双曲1-凸函数族Ⅸ(α),估计了|f(e~(iθ)z)-f(e~(-iθ)z)|的范围,同时对其微分|f'(z)|进行了研究,并给出其上下确界.     

球壳结构金阴极及其X射线光电发射特性

以聚苯乙烯微球为模板, 采用种子-生长法在聚苯乙烯微球表面镀覆金球壳层, 以不同浓度旋涂分散在阴极衬底上, 热处理去除聚苯乙烯模板, 初步制备出表面具有金球壳结构的反射式金阴极样品, 通过金相显微镜和扫描电镜研究其表面形貌, 结果表明: 阴极表面球壳的直径约为10 μm, 高温去除聚苯乙烯微球模板后金沉积层具有良好的自支撑性, 球壳厚度约70-90 nm, 球壳表面主要由30-60 nm的晶粒突起组成. X射线光电发射测试表明, 反射式球壳结构阴极在200-1500 eV波段光电效率相对于平面薄膜阴极有明显提升, 其量子效率可达到平面阴极的3倍以上, 理论分析表明: 球壳结构阴极特殊的表面结构引起光电发射面积的增大和表面势垒的降低, 是阴极光电发射效率提高的主要原因.     

CMOS反相器高功率微波脉宽扰乱效应的建模和分析

本文对受脉宽影响的过剩载流子浓度分布及高功率微波(HPM)扰乱易发性进行解析建模,并利用仿真结果和实验数据对模型进行验证。利用机理分析与模型推导,得到过剩载流子主导闩锁效应中电流放大过程的结论。结果表明,P型衬底中的过剩载流子浓度分布确与HPM脉宽有关,HPM扰乱电压阈值Vp随着脉宽增宽而减小,同时这一变化存在一个拐点,这是由于P型衬底中的过剩载流子累积效应将随着时间推移而受到抑制。文中首次提出HPM脉宽扰乱效应的物理本质是过剩载流子的累积效应。实验验证认为,Vp解析模型能够对CMOS反相器的HPM扰乱易发性进行可靠和准确的预测,并同时考虑工艺、环境温度及版图参数等因素。从模型中可以得到,版图参数LB对脉宽扰乱效应有显著影响：LB较小的CMOS反相器更容易受到HPM的扰乱,这一结论将有助于提出反相器免于HPM扰乱的加固措施。