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21.
Gary L.Mullen 《数学进展》1991,(1)
In this paper we will study Dickson polynomials of the first and second kinds over finite fields. For these polynomials we will discuss some known properties, point out some similarities and differences between the two kinds, and most importantly, indicate a number of open problems concerning these polynomials. 相似文献
22.
ON THE UNIQUENESS OF THE WEAK SOLUTIONS OF A QUASILINEAR HYPERBOLIC SYSTEM WITH A SINGULAR SOURCE TERM 下载免费PDF全文
This paper is a continuation of the authors'previous paper[1].In this paper the authorsprove,assuming additional conditions on the initial data,some results about the existence anduniqueness of the entropy weak solutions of the Cauchy problem for the singular hyperbolicsystem a_t+(au)_x_2au/x=0,u_t+1/2(a~2+u~2)_x=0,x>0,t≥0. 相似文献
23.
离子注入过程中,注入离子在掩模边缘附近的分布决定MOS晶体管漏极区域处的电场强度,计算了70keV硼离子注入硅样品中不同掩模边缘离子密度等线,考虑了四阶矩下的杂质深度分布(无掩模情况)。合理选择掩模蚀刻工艺,可获得均匀性,高抗噪声度的器件中。同时也指出了太薄掩模材料对注入离子分布的影响。 相似文献
24.
25.
设计并制作出一种有新型保护结构的平面InP/InGaAs雪崩光电二极管。该器件在P-n结下面有一被隐埋的n-InP层和n~--InP倍增区,这样便获得了良好的保护作用。器件的整个有源区均呈现均匀倍增,最大倍增因子为30,在击穿电压的90%处获得了大约20nA的低暗电流,平坦的频率响应高达1GHz。在倍增因子达到17时测试了倍增噪声。 相似文献
26.
我们在室温和600℃下用复合的二硅化钛靶在〈111〉向的裸硅片上溅射淀积了二硅化铁膜。室温下淀积的二硅化钛膜需要在900℃下进行烧结,以使其电阻率降低。而600℃下淀积的二硅化钛膜已经反应充分形成颗粒较大的没有氧沾污的多晶状,而且该膜抗氧化。将该膜在900℃下进行进一步退火,发现其晶体结构、成分、电阻率即晶粒大小没有变化。 相似文献
27.
Jonn M. Rassias 《数学研究及应用》1987,7(1):77-80
It is well known that F. G. Tricomi (1923) is the originator of the theoryof boundary value problems for mixed type equations by establishing the Thicomi equation: y·uxx+uyy=0 which is hyperbolic for y < 0, elliptic for y=0. and parabolic for y= 0 and then applied it in the theory of transonic flows.Then A.V.Bitsadze together with M. A . Lavrent′ev (1950) established the Bitsadze Lavre nt′ev equation: sgn( y ) ·uxx+uyy=0 where sgn(y) = 1 for y > 0, = -1 for y<0, 0 for y=0 with the discontinuous coefficient sgn( y ) of uxx, while in the case of Tricomi equation the corre sponding coefficient y is continuous. In this paper we establish the mixed Bitsadze Lavrent′ev Tricomi equation. Lu=K(y)·uxx+sgn(x) ·uyy+r(x,y)·u=f(x,y), where the coefficient K=K(y) of uxx is increasing continuous and coefficient M=sgn(x) of uyy discontinuous, r=r(x,y) is once continuously differentiable, f=f(x,y) continuous. Finally we prove the uniqueness of quasi regular solutions and observe that these new results can bbe applied in fluid dynamics. 相似文献
28.
HUA Jianjun LIU Yanhong & ZHANG Zhihe . Institute of Physics Chinese Academy of Sciences Beijing China . College of Biomedical Engineering Capital University of Medical Sciences Beijing China Correspondence should be addressed to Hua Jianjun 《中国科学G辑(英文版)》2004,(1)
Adustyplasmacanbedefinedasacomplicatedplasmacontainingsmallsolidmattercalleddustgrainsordustparticles,whichareusuallychargednegatively,duetoelectronshighermobilitythanion,bycollectingelectronsandionsfromthebackgroundplasma.Theuniverseisfilledwithdustyplasmassuchasplanetaryrings,comettails,andnebulae.Also,inindustrialplasmaprocessing,particulatessuspendedinplasmaarethemajorcontaminationinsemiconductormanufacture.Studiesondustyplasmahavebeenextendedtofar-flungtopicssuchaswaves,instabilities,stro… 相似文献
29.
30.
Magnetic properties and temperature dependence of electrical transport properties of rare-earth-metal Dy-doped GaN thin film are experimentally studied with a superconducting quantum interference device magnetometer and van der Pauw method. It was found that this thin nitride film has both semiconductor properties and ferromagnetism from 1OK to room temperature. The dopant-band (conducting band due to doping) electron conduction dominates the transport properties of this film at low temperatures. These results indicate that Dy-doped GaN is an n-type ferromagnetic semiconductor at room temperature. 相似文献