金华火腿微生物研究 Ⅰ火腿微生物的人工接种及缩短生产周期的初步试验

为探索火腿微生物的活动与火腿质量的关系,以及如何缩短生产周期,我们进行了如下工作:火腿微生物的分离及人工接种;模拟缩短生产周期;通过火腿游离氨基酸测定以评定质量.初步试验结果表明:以分离而得的青霉4号菌株接种和以1%苯甲酸钠抑菌的两组质量较好;缩短火腿生产周期的模拟试验有一定成效,由原来的8—10个月缩短到4个月;经火腿的游离氨基酸分析表明,质量与常规生产的相比较无显著差异.     

通信数字ASIC的测试

本文追述了通信数字电路测试的一些主要技术，介绍了通信数字ＡＳＩＣ测试方法在国际上的最新进展，展望了它的发展方向。     

微波高功率双介质栅静电感应晶体管

提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术.讨论了寄生栅源电容Cgs对静电感应晶体管高频功率特性的影响.描述了工艺上减小寄生电容、改善静电感应晶体管高频功率性能的主要方法和措施.成功地制造出频率在400MHz时输出功率大于20W、功率增益大于7dB、漏效率大于70%和700MHz时输出功率大于7W、功率增益大于5dB,漏效率大于50%的高性能静电感应晶体管.     

串行通信接口的实用设计方法

详细介绍了RS-485、RS-232的实用设计方法以及在实际应用中的解决方案.     

PZT铁电薄膜的制备和应用

介绍了一种制备膜厚为数微米的均匀相和非均匀相(准周期性多层膜)铁电薄膜的有效方法,研究了PZT平面波导结构的光波导特性及准周期性多层铁电薄膜的布拉格反射特性.研究表明厚度在数微米的均匀相铁电薄膜膜层致密,棱镜耦合实验表明该铁电薄膜波导层对光波的传播有良好的限定性能.准周期铁电多层薄膜具有良好的布拉格反射特性,周期数为10以上的铁电多层膜样品在室温下具有90%以上的反射率和约40 nm的反射带宽.     

协同软件集中在东西方管理的共同点上

未来协同软件该向何方发展?《IT时代周刊》给出的答案是:“将来协同软件平台会成为企业最基础的IT架构平台,未来各种企业级应用软件将越来越多地在这样的平台上开发,这一定会成为企业应用的枢纽,这是一个必然趋势“(《协同软件,铺就企业全球化之路》,“产业“,2007年12月20日).……     

基于雷达应用的多通道波形产生设计

本文介绍了一种应用于雷达系统的16通道波形产生器。该波形产生器可以产生线性调频、非线性调频和相位编码三种信号,而且时宽、带宽以及其它参数通过光纤可调,大大减少了电路的输入接口,而且通过光纤配置可灵活远端控制。     

基于SoPC的自感知运动图像采集系统设计

设计一种基于SoPC技术的自感知运动图像采集系统.该系统通过在FPGA芯片上配置采集控制电路和动态检测电路,可以实时捕捉外界场景运动变化,实现无人值守情况下有选择地采集并保存数据.由于主要控制电路集成在一个FPGA芯片上,该系统具有体积小,功耗低,设计灵活,可扩展性好等优点.     

Crystallization Process of Superlattice-Like Sb/SiO_2 Thin Films for Phase Change Memory Application

After compositing with SiO_2 layers, it is shown that superlattice-like Sb/SiO_2 thin films have higher crystallization temperature(~240°C), larger crystallization activation energy(6.22 e V), and better data retention ability(189°C for 10 y). The crystallization of Sb in superlattice-like Sb/SiO_2 thin films is restrained by the multilayer interfaces. The reversible resistance transition can be achieved by an electric pulse as short as 8 ns for the Sb(3 nm)/SiO_2(7 nm)-based phase change memory cell. A lower operation power consumption of 0.09 m W and a good endurance of 3.0 × 10~6 cycles are achieved. In addition, the superlattice-like Sb(3 nm)/SiO_2(7 nm) thin film shows a low thermal conductivity of 0.13 W/(m·K).     

用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析

用氧化多孔硅的方法来制备厚的 Si O2 成本低 ,省时 .氧化硅膜的厚度 ,表面粗糙度和组分这三个参数 ,对波导器件的性能有重要影响 ,扫描电子显微镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和俄歇分析得到 :氧化的多孔硅的膜厚已达 2 1 .2μm;表面粗糙度在 1 nm以内 ,Si和 O的组分比为 1∶ 1 .90 6.这些结果表明 ,用氧化多孔硅方法制备的厚 Si O2 膜满足低损耗光波导器件的要求