CO2激光诱导液相沉积银的机理研究

激光诱导液相沉积的机理可大致分为光电化学机理、热电化学机理和热分解机理等。通过试验及分析表明 ,CO2 激光诱导液相沉积银属于简单的热分解机理。CO2 激光起到局域热源的作用 ,在激光辐照过程中 ,光照区介质溶液及基体表面均发生了极其复杂的物理化学变化 ,最后诱导产生的银沉积在基体表面并部分扩散到了基体内部 ,成为后续化学镀铜的催化中心及过渡层     

TiO_2压敏电阻陶瓷元件等静压成型试验研究

采用干压及干压加等静压两种成型方法,通过对不同样品的电性能和焊接性能的比较,并通过SEM微观形貌的观察,研究了等静压成型对TiO2压敏电阻陶瓷元件的微观结构及电性能的影响。结果表明,经等静压成型的TiO2压敏电阻陶瓷的微观结构比较致密,气孔减少,元件的电压一致性和焊接性能得到较大的改善。     

受抑全内反射激光Q开关

本文简述一种新型激光Q开关——受抑全内反射Q开关，详细介绍了这种Q开关的工作原理和结构，给出了这种Q开关用于Nd3^＋：YAG激光器的实验结果，并与LiNbO3电光Q开关和BDN染料Q开关进行了比较。用受抑全内反射Q开关调Q的Nd^3＋；YAG激光器在输入能量为6．4焦尔时，得到激光单脉冲能量为73．7毫焦尔，全效率达到1．1％以上，激光脉冲宽度（1/e）为15-20毫微秒。     

多通道阵列信号处理可重构异构SoC设计

设计实现了面向多通道阵列信号处理的可重构异构SoC。SoC集成了多通道阵列信号处理需要的多个硬件加速模块,有效提高了多通道阵列信号处理系统的计算能力。通过软件对各个算法模块的输入输出流向进行重构,达到了多通道阵列信号处理算法可重构的目的,扩展了SoC的适用范围。采用55 nm工艺进行设计,版图尺寸为6.2 mm×4.5 mm,规模约为1 000万门。流片后的测试结果验证了多通道阵列信号处理算法的有效性,证明了SoC设计的正确性。     

红外多元探测器阵列工艺

本文为圣塔巴巴拉研究中心(SBRC)的多元红外探测器阵列工艺的综述。文内探讨了铅盐、锑化铟、碲锡铅、碲镉汞、非本征锗和硅探测器阵列。文内给出了这些探测器材料的各种现有阵列的例子。介绍了两种不同的探测器/电荷耦合器件阵列混合结构:一种是采用垫铟互连的InSb/电荷耦合器件多层结构,一种是采用蒸发互连的HgCdTe/电荷耦合器件多层结构。这些技术提供了低功率、高密度和在焦平面上作低成本时间延迟和积分的优点。     

H3C与嘉兴广电打造“数字梦想”

2006年8月国家正式颁布数字电视地面传输标准,到今年8月1日已渡过一年的过渡期,该标准已正式实施。根据相关规定,经过一年的过渡期后,现有的数字电视地面传输系统将更换成符合国家标准的     

基于AI技术的证券智能服务探索与实践

针对传统证券业务面临大量长尾客户待服务、策略较固化、成本较高等痛点,通过对主流AI技术与证券业务体系相融合,在满足合规、安全性要求下构建特色智能服务系统,通过统一算法仓库管理、集群化AI算力提供及规范化应用服务管控,辅助投资顾问解决业务需求,为证券业务智能服务领域转型的可行性探究总结实践经验。     

一种新的平面回音壁模蓝宝石谐振器模型

基于环状谐振器传输线法(Transmission-line ring resonator)分析建立了单端口和双端口回音壁模平面蓝宝石介质谐振器模型,分别得到了对应的传输公式。并设计制作了一个单端口蓝宝石谐振器,采用新模型可以对原先模型一直无法解释的实验现象作出合理的解释,验证了该模型的有效性。     

一种低噪声高线性度CMOS上变频混频器

设计实现了一种采用开关跨导型结构的低噪声高线性度上变频混频器,详细分析了电路的噪声特性和线性度等性能参数,本振频率为900 MHz。芯片采用0.18μm Mixed signal CMOS工艺实现。测试结果表明,混频器的转换增益约为8 dB,单边带噪声系数约为11 dB,输入参考三阶交调点(IIP3)约为10.5 dBm。芯片工作在1.8 V电源电压下,消耗的电流为10 mA,芯片总面积为0.63 mm×0.78 mm。     

稀释器采用流量比标定方法的不确定度分析

分析了稀释器的不同标定方法和由其产生的稀释比偏差,得出采用流量比标定稀释器的方法较好,同时建议采用粒子计数器计算稀释器上下游的粒子浓度比,以评估标定稀释器时两种稀释比测量结果的允许误差。