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针对AlGaAs/InGaAs型高电子迁移率晶体管,利用TCAD半导体仿真工具,从器件内部空间电荷密度、电场强度、电流密度和温度分布变化分析出发,研究了从栅极注入1 GHz微波信号时器件内部的损伤过程与机理。研究表明,器件的损伤过程发生在微波信号的正半周,负半周器件处于截止状态;器件内部损伤过程与机理在不同幅值的注入微波信号下是不同的。当注入微波信号幅值较低时,器件内部峰值温度出现在栅极下方靠源极侧栅极与InGaAs沟道间,由于升温时间占整个周期的比例太小,峰值温度很难达到GaAs的熔点;但器件内部雪崩击穿产生的栅极电流比小信号下栅极泄漏电流高4个量级,栅极条在如此大的电流下很容易烧毁熔断。当注入微波信号幅值较高时,在信号正半周的下降阶段,在栅极中间偏漏极下方发生二次击穿,栅极电流出现双峰现象,器件内部峰值温度转移到栅极中间偏漏极下方,峰值温度超过GaAs熔点。利用扫描电子显微镜对微波损伤的高电子迁移率晶体管器件进行表面形貌失效分析,仿真和实验结果符合较好。 相似文献
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测量矩阵是压缩感知(Compressed Sensing, CS)的重要组成部分,确定性的测量矩阵易于硬件实现,但是重构信号的精度一般不如随机矩阵。针对这一缺点,该文提出并构造了一种新的确定性测量矩阵,称作分块的有序范德蒙矩阵。范德蒙矩阵具有线性不相关的性质,在此基础上加上分块操作和对元素进行有序排列得到的分块的有序范德蒙矩阵,实现了时域中的非均匀采样,特别适合于维数较大的自然图像信号。仿真实验表明,对于图像信号该矩阵具有远高于高斯矩阵的重构精度,可以作为实际中的测量矩阵使用。 相似文献
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偏光片周边的镜面磨削工艺 总被引:1,自引:1,他引:0
偏光片是液晶显示器的主要原材料之一,约占其制造成本的20%~30%,介绍了偏光片的基本结构和偏光片周边的镜面磨削工艺,该工艺是对裁切好的偏光片的周边进行精磨的工艺过程,使之达到要求的光洁度以及精确的尺寸和角度. 相似文献
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本文介绍了微机电系统(MEMS)压力传感器及其专用集成电路(ASIC)信号调理电路的校准和烧录系统设计,提出一种新型的自适应通讯设备,在接口复用前提下,能够自动检测多种数字通讯协议。在此基础上,整合了对传感器的校准和烧录,并基于工业通信协议,连接外围设备后可组成一套完整的自动通信系统,最后展示了此系统可达到的测试精度和结果。实现了低成本,高可靠性,容错率高的自动压力传感器校准,烧录系统。具有广泛的实用价值,为实验室、科研院所评估样品,或者企业批量校准、烧录等量产,提供高效、便利的应用解决方案。 相似文献
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单目标跟踪是机载PD雷达的一种重要的工作模式.从机载PD雷达的实际模型出发,对整个跟踪系统建立了比较准确和完整的仿真模型.仿真中距离门和速度门可以动态调整,角度跟踪采用四波束的比幅和差单脉冲,数据处理用卡尔曼滤波器实现对目标四维的动态跟踪.最后结合具体实例进行了系统仿真,结果表明可以获得比较高的稳态跟踪精度. 相似文献