外激励作用下亚音速二维壁板的复杂响应研究

研究了亚音速流中二维壁板在外激励作用下的复杂响应问题。采用迦辽金方法将非线性运动控制方程离散为常微分方程组,采用数值方法进行计算,研究了壁板系统的复杂响应。应用最大李亚普诺夫指数和庞加莱截面方法对系统的运动性质进行了判定。结果表明,系统随着参数的变化呈现出复杂的响应,系统的周期运动与混沌运动会相间出现;系统由周期运动进...     

燃气机热泵的试验研究和节能效果分析

一、引言 本文在普通国产设备试验研究基础上,对燃气机热泵(以下简称JGEHP)的变速负荷调节特性、节约一次能源的效果和在我国应用的现实可行性进行了分析. 二、燃气机热泵的试验研究 试验装置见图1.其中燃气机:采用S195卧式单     

HL—1装置低杂波电流驱动波导阵列优化设计

本文利用Brambilla的波导阵列理论,结合HL-1装置的具体参数,计算了2.45 GHz低杂波耦合系统的波谱及波能的总体反射系数与边界等离子体密度剖面的关系。结果表明,要得到好的耦合效率及适合于电流驱动实验的波谱,有必要使波导口伸入孔栏阴影区1—1.5cm,使之尽量突破截止层,同时调节各波导间的相位差在70°—100°之间。     

A3M2GeO12石榴石体系中Cr^3＋离子的宽带发射光谱

首次报道在Ａ３Ｍ２Ｇｅ３Ｏ１２：Ｃｒ（Ａ＝Ｃｄ＾２＋,Ｍ＝Ａｌ＾３＋,Ｇａ＾３＋,Ｓｃ＾３＋）锗酸盐石榴石体系中,Ｃｒ＾３＋离子室温下的红－近红外宽发射带光谱性质。随位于八面体格位上的Ａｌ＾３＋→Ｇａ＾３＋→Ｓｃ＾３＋和十二面体格位上的Ｃｄ＾２＋→Ｃａ＾２＋组成顺序变化,室温下,Ｃｒ＾３＋离子的＾４Ｔ２→＾４Ａ２能级跃迁的Ｒ－ＮＩＲ宽发射带,发射峰及光谱的长波和短波边逐渐向低能长波边移动。     

图形化Silicon-on-Insulator衬底上分子束外延生长可动GaN微光栅的研究

GaN材料作为第三代半导体材料,具有宽禁带、直接带隙、耐腐蚀等优点,是一种非常有前景的MOEMS材料。由于GaN的刻蚀目前尚未成熟,因此图形化外延生长法是一种较好的选择。本文基于SOI(silicon-on-insulator)基片,利用硅的微加工技术和图形化GaN分子束外延生长工艺,设计并加工了工作在太赫兹波段的、可以在二维方向上运动的SOI基GaN光栅。光栅周期为16μm,光栅宽度为6μm,峰值位置为25.901μm。通过仿真优化,设计的微驱动器在水平电压220V时,水平方向上的位移为±7.26μm;垂直方向加200V电压时,垂直位移2.5μm。为了研究在图形化SOI衬底上外延生长的InGaN/GaN量子阱薄膜的光学性能,用激光拉曼光谱仪对薄膜进行了光致发光光谱实验。实验结果表明,InGaN/GaN量子阱薄膜具有良好的发光性能,其发光范围为350~500nm,覆盖了紫外光到黄绿光。由于局域态效应与禁带收缩的作用,随着环境温度由10K升高至室温,薄膜的PL光谱的峰位呈现"S"形变化趋势。     

数学玩的是概念

淡化计算,凸显概念,以概念为载体考查能力是2012今年北京高考试题一大特色,每年都有所体现,但今年更强势．高考分数已出,一切趋于平静,我们与学生共同回忆了考场中的坎坎坷坷,加之亲手做高考题时的心动,颇有收获,故形成此文,与同行共享．     

几个静电演示实验

这里介绍的一组演示实验,主要是以中学物理教学大纲为依据的。它们在演示方法上、材料选择上以及实验原理上都较新颖,而且具有取材容易、构造简单、制作方便、表现力和感染力强等特点。一、电荷的相互作用 [演示器材] 橡皮泥(商店有售)、铅笔、试管、塑料筷子一双、有机玻璃筷子一只、丝绸一块。 [装置及演示方法]装置如图1所