超级电容器纳米氧化锰电极材料的合成与表征

以聚乙二醇为分散剂,利用高锰酸钾和醋酸锰溶液之间的化学共沉淀法制备纳米水合氧化锰.借助SEM,TEM,FT-IR,XRD和BET分析手段对样品结构及性能进行表征.研究结果表明,SEM和TEM显示所得粉体为纳米粉体,粒径大约为10～30nm左右,XRD分析表明该粉体为无定型a-MnO₂·nH₂O,FT-IR分析表明获得的粉体为水合物,BET测试比表面积达160.7m²/g.以氧化锰为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,铂片为辅助电极的三电极体系中,以1 mol/L的Na₂SO₄溶液为电解液,通过循环伏安法研究其电化学行为.实验结果表明,纳米氧化锰是理想的超级电容器电极材料,在电位窗口为-0.2～0.9V(vs.SCE)范围内,扫描速度为4mV/s,其比电容达到203.4 F/g.     

纳米氧化锰电极在中性水系电解液中的电容特性

利用液相共沉淀法制备纳米氧化锰。用XRD和SEM进行了材料表征。以泡沫镍作集流体,以KCl、Na2SO4和K2SO4为电解液,通过循环伏安法,研究了不同的电位窗口、扫描速度和浓度对氧化锰电极电容特性的影响。结果表明,样品为无定形的α-MnO2·nH2O,粒径为40～50nm。氧化锰电极在Na2SO4和K2SO4电解液中具有良好的稳定性,在0.5mol/LK2SO4溶液中,–0.2～0.8V(vsSCE)的电位窗口内,具有良好的电容行为,比容量高达143.7F/g。     

硅通孔三维封装技术研究进展

芯片叠层封装能够大幅提高集成度,硅通孔技术是集成电路三维封装的发展方向.但是随着封装密度增加功率密度增大,对散热的要求也愈加迫切.对芯片散热的最新进展进行了介绍,着重研究了微管液体冷却技术,在讨论了相关模型的基础上,对微管的制备方法进行了分析.     

活化和表面改性对碳纳米管超级电容器性能的影响

用KOH为活化剂对碳纳米管（CNTs）进行活化；用浓硝酸为氧化剂对活化CNTs进行表面改性.通过TEM、BET和IR对经过活化和表面改性的CNTs进行了分析,并运用循环伏安和恒流充放电测试研究了活化和表面改性对CNTs超级电容器性能的影响.结果表明,通过活化使CNTs的比表面积增大,从而使其比电容从未活化时的43 F•g－1提高到73 F•g－1；通过表面改性引进赝电容,使电容器的比电容进一步提高到94 F•g－1.     

MCM∶从二维到三维

三维多芯片组件（３－Ｄ ＭＣＭ）是在二维多芯片组件（２－Ｄ ＭＣＭ）基础上发展起来的，是９０年代微组装技术的标志。由于它的封装密度高，结构紧凑，延迟时间短，日益受到国际微电子工业界的重视。本文阐述了３－Ｄ ＭＣＭ的优点，并且指出了需要进一步完善的方面。     

双电层电容器电解质研究进展

双电层电容器(EDLC)的电解质对电容器的工作电压、内阻、功率特性和温度特性等具有十分重要的影响。EDLC电解质可以分为液体电解质和固体电解质。简介了EDLC电解质的特点和要求。分析了各种电解质的性能、研究了现状和发展趋势。今后很长一段时间内,EDLC电解质的发展方向是宽电位窗口、高电导率、宽使用温度范围和固体化。     

化学电容器的技术现状及发展趋势

电容器行业一直是我国电子元器件产业的重要支柱之一,同时电容器作为电子整机系统的必用元件,历来受到各国的重视.依据电容器特性原理的不同,可以将其分为化学电容器(chemical capacitor)和非化学电容器(non-chemical capacitor).而化学电容器又可分为电解电容器(electrolytic capacitor)和超级电容器(supercapacitor)两类.所有用电化学方法在金属表面上形成氧化膜,并把该氧化膜作为电介质的一类电容器称之为电解电容器.常用的金属有铝、钽和铌,以铝电解电容器最富代表性.     

用于超电容器的高性能活性炭研究

运用化学活化法制备了超电容器用高比表面积活性炭。利用碘吸附、亚甲蓝吸附和BET测试,对样品的孔隙性进行了分析。以制备的活性炭为超电容器电极材料,利用循环伏安和恒流充放电测试其电容特性。结果表明,实验研制的活性炭的比表面积为173m2·g–1,平均孔径为2.36nm,绝大部分孔径都在5nm以内;在10–2A·cm–2的电流密度下活性炭的比容达180F·g–1,基于研制的活性炭的超电容器具有良好的功率特性。     

一种快速的微电子封装结温预测方法

由于传统热阻（Rja、Rjc）的局限性，使得在板级、系统级热设计／热分析时结温难以精确计算。本文基于响应面有限元法，建立了一种快速、准确预测微电子封装结温的方法。在25种边界条件下，与ANSYS仿真结果相比，最大误差〈5％，表明该方法是一种有效的微电子封装热设计／热分析方法。