高密度3-D封装技术的应用与发展趋势

高密度3-D封装技术是国内外近几年飞速发展的微电子封装技术。它在2-D平面基础上向立体化发展,实现了一种新的更高层次的混合集成,因而具有更高的组装密度、更强的功能、更优的性能、更小的体积、更低的功耗、更快的速度、更小的延迟等优势。该技术正在加速未来电子整机系统的微小型化。主要介绍了近年来3-D封装应用状况和一种新型的封装技术——系统上封装SOP(System-on-Package)。     

多芯片组件（MCM）的热模拟研究

介绍了MCM的封装热阻及相应的几种热阻计算方法。利用有限元分析软件ANSYS对多芯片组件(MCM)进行了热模拟。在常用两种MCM结构的热流模型基础上，分析并比较了这两种热模型差异及对散热的影响。根据ANSYS模拟结果，讨论了空气流速、基板热导率及其厚度、芯片粘结层热导率及其厚度对MCM封装热特性的影响，分析了控制MCM封装内、外散热的主要因素。     

LTCC技术的现状和发展

LTCC是实现电子设备小型化、集成化的主流技术,介绍了近年LTCC技术在元件、功能器件、封装基板和集成模块方面的应用,特别是在微波、毫米波和MEMS的应用实例。指出了我国在该领域的优势和弱点,并提出了未来的努力方向。     

热界面材料及其应用

热界面材料（Thermal Interface Materials）是一种普遍用于IC封装和电子散热的材料，主要用于填补两种材料接合或接触时产生的微空隙及表面凹凸不平的孔洞，减少热传递的阻抗，提高散热性。近年来，随着IC晶片的发热量及热流量越来越高，如何有效降低晶片到基板或到散热装置的热阻抗变得相当关键。因此，热界面材料在电子散热方面所扮演的角色越来越显得重要。在特定产品的热管理设计程序的元件整合部分中，最关键的步骤就是选择最合适的热界面材料。本文主要介绍热界面材料的重要性、分类、特性及影响材料性质的一些重要参数，以及选择热界面材料时应注意的事项。     

无铅焊料的电迁移效应

电迁移是金属原子沿着电流方向的移动。本文阐述了无铅焊料中电迁移的物理特性,由于焊点的特殊几何形状,电流拥挤效应将发生在焊点与导线的接点处;电迁移效应导致无铅焊料中金属间化合物（IMC）的生成与溶解,以及焊点下的金属化层（UBM）的溶解和消耗,使原子发生迁移并会产生孔洞,造成焊点破坏,缩短了焊点平均失效时间（MTTF）,从而带来可靠性问题。     

无源元件内埋置的技术趋势

分离无源元件走向集成化是无源元件技术发展方向之一。内埋置无源元件是实现无源元件集成化的主流技术选择,是实现SIP、3D-MCM和三维集成电路的重要技术基础。在芯片硅基板上也能实现无源元件的埋入与集成。有机树脂基板内埋置无源元件技术是重要发展方向,并已逐渐走向成熟。     

氮化铝多层共烧基板导带浆料的特性分析

陶瓷多层共烧基板在MCM领域得到了广泛的应用,而共烧导带浆料的研制则是其中的重点,本文提出了以W为导电材料,SiO2为添加剂配制的导体浆料,在1800℃,4h,N2气氛下进行烧结。得到当SiO2含量在0．45wt%时,导带方阻达到10mΩ/□,基板的翘曲度小于50μm/500mm,导带的剥离强度大于30MPa.     

超级电容器纳米氧化锰电极材料的合成与表征

以聚乙二醇为分散剂,利用高锰酸钾和醋酸锰溶液之间的化学共沉淀法制备纳米水合氧化锰.借助SEM,TEM,FT-IR,XRD和BET分析手段对样品结构及性能进行表征.研究结果表明,SEM和TEM显示所得粉体为纳米粉体,粒径大约为10～30nm左右,XRD分析表明该粉体为无定型a-MnO₂·nH₂O,FT-IR分析表明获得的粉体为水合物,BET测试比表面积达160.7m²/g.以氧化锰为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,铂片为辅助电极的三电极体系中,以1 mol/L的Na₂SO₄溶液为电解液,通过循环伏安法研究其电化学行为.实验结果表明,纳米氧化锰是理想的超级电容器电极材料,在电位窗口为-0.2～0.9V(vs.SCE)范围内,扫描速度为4mV/s,其比电容达到203.4 F/g.     

硅通孔三维封装技术研究进展

芯片叠层封装能够大幅提高集成度,硅通孔技术是集成电路三维封装的发展方向.但是随着封装密度增加功率密度增大,对散热的要求也愈加迫切.对芯片散热的最新进展进行了介绍,着重研究了微管液体冷却技术,在讨论了相关模型的基础上,对微管的制备方法进行了分析.     

纳米氧化锰电极在中性水系电解液中的电容特性

利用液相共沉淀法制备纳米氧化锰。用XRD和SEM进行了材料表征。以泡沫镍作集流体,以KCl、Na2SO4和K2SO4为电解液,通过循环伏安法,研究了不同的电位窗口、扫描速度和浓度对氧化锰电极电容特性的影响。结果表明,样品为无定形的α-MnO2·nH2O,粒径为40～50nm。氧化锰电极在Na2SO4和K2SO4电解液中具有良好的稳定性,在0.5mol/LK2SO4溶液中,–0.2～0.8V(vsSCE)的电位窗口内,具有良好的电容行为,比容量高达143.7F/g。