功率快恢复二极管反偏ESD机理分析

功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。     

整型2D-IDCT算法的优化与实现

基于DSP平台,针对2D-IDCT运算复杂的特点,对8×8整型离散余弦变换(DCT)正反变换算法进行优化,在运算精度上提出改进,得到最佳参数参与运算,运算结果符合IEEE Standard 1180-1990标准要求.在此标准基础上利用DSP平台特性,在实现上进行多级优化并采用并行流水线结构,使一次IDCT计算耗时在140个周期内.     

基于最小熵的斜视SAR多普勒调频率估计

多普勒调频率是实现高分辨SAR成像的重要参数。机载SAR成像惯用的子孔径相关法(Map Drift,MD)是基于一个点目标回波数据模型提出的,与实际情况严重不符,且不适用于低对比度地域回波的参数估计,有时甚至完全失效。文中提出一种基于图像最小熵准则的多普勒调频率估计算法。该算法不基于任何回波数据模型,采用搜索方式实现最小熵准则解卷积,其突出优点是:鲁棒性强,其聚焦效果不依赖于回波数据,在无明显特征场景下尤为突出。实测数据的成像效果验证了该方法的可行性及有效性。     

水解-熔融法制备掺镱光子晶体光纤的研究

采用水解-熔融法制备高浓度掺镱双包层石英光子晶体光纤,通过对该制备方法及原理的探索研究,根据98.3%SiO2、0.2%Yb2O3、1.5%Al2O3(摩尔比)的配方进行设计,制备出高浓度镱离子掺杂的石英基双包层光子晶体光纤。该方法可有效提高稀土离子的掺杂均匀性。     

几种新型宽带光接入方案及关键光电器件(续)

(上接第4期) 2.3高速、可调波长和单片集成式光发射芯片(EAML-SOA) 对于40G TWDM-PON发射端来说,首先要解决宽带光芯片问题.为了缩小体积,提高光电性能,国内外正在研发宽带单片集成芯片.这种芯片性能优越,可充分满足40G TWDM-PON发射端技术要求,具有多种可能结构形式.其中,基于电控技术、波长可调谐的光发射芯片EAML-SOA,性能优越,商用化程度较高,EAML-SOA把具有MQW-LD、相移(DBR)、电吸收调制(EAM)、半导体光放大(SOA)单片集成在InP基片上,其芯片结构示意图如图5所示.     

4G通信的关键技术及其发展建议

简述4G标准的优势,高速率、大容量、多业务融合、多类型用户共存、较强的灵活性、技术应用的先进性等是其主要特征。介绍4G通信的关键技术,包括正交频分复用、智能天线、多入多出天线、软件无线电、调制编码及高性能接收等技术。对FDD-LTE(频分多址长期演进)、TD-LTE(时分多址长期演进)、WirelessMAN-Advanced(802.16m)三大4G标准进行比较,认为前两者具有共同特征和各自优势,是两个优势互补并为大多运营商看好的4G通信标准。最后提出我国发展4G通信的一些看法和建议。     

First-Principles Study of Intrinsic Point Defects of Monolayer GeS

The properties of six kinds of intrinsic point defects in monolayer GeS are systematically investigated using the“transfer to real state”model,based on density functional theory.We find that Ge vacancy is the dominant intrinsic acceptor defect,due to its shallow acceptor transition energy level and lowest formation energy,which is primarily responsible for the intrinsic p-type conductivity of monolayer GeS,and effectively explains the native p-type conductivity of GeS observed in experiment.The shallow acceptor transition level derives from the local structural distortion induced by Coulomb repulsion between the charged vacancy center and its surrounding anions.Furthermore,with respect to growth conditions,Ge vacancies will be compensated by fewer n-type intrinsic defects under Ge-poor growth conditions.Our results have established the physical origin of the intrinsic p-type conductivity in monolayer GeS,as well as expanding the understanding of defect properties in lowdimensional semiconductor materials.     

改进的强跟踪UKF算法及其在INS/GPS组合导航中的应用

针对标准UKF缺乏对系统状态异常的自适应调整能力,导致滤波精度降低的问题,提出一种改进的强跟踪UKF算法。该算法采用假设检验的方法对异常状态进行检测,当系统状态发生异常时,对预测协方差阵引入次优渐消因子自适应的调整滤波增益,实现对系统真实状态的强跟踪。该算法中次优渐消因子的确定无需计算系统模型的雅克比矩阵,提高了传统强跟踪UKF的实用性。将提出的算法应用于INS/GPS组合导航系统进行仿真验证,并与标准UKF进行比较,结果表明,在系统状态存在异常时,提出的带单重次优渐消因子的强跟踪UKF得到的东向、北向位置误差在[-13.7 m,14.9 m]以内,带多重次优渐消因子的强跟踪UKF得到的东向、北向位置误差在[-10.0 m,12.1 m]以内,滤波性能明显优于标准UKF,提高了组合导航系统的解算精度。     

用于真空紫外探测器标定的光学斩波器研究北大核心CSCD

为了满足基于低温辐射计的115 nm~400 nm波段探测器绝对光谱响应度高精度标定的需求,研制了一种由斩波片、转轴、伺服电机、U型光电开关、降温组件、支架和控制电路等组成的适用于真空环境的光学斩波器,使其在真空低温环境下将微弱的真空紫外-紫外辐射信号调制为频率已知的交变辐射信号,并由锁相放大器进行测量。实验结果表明,该光学斩波器的频率在80 Hz时的稳定性为±0.05 Hz,满足115 nm~400 nm波段探测器绝对光谱响应度标定对斩波器在10^(-4) Pa的真空环境下的使用要求。     

基于Android的SIP远程视频监控系统的设计

本文利用SIP协议建立组呼来控制监控摄像头,从而建立多路远程视频监控系统。论文介绍了基于Android系统的SIP协议栈JAIN-SIP和远程视频监控系统架构,阐述了利用SIP扩展消息完成组呼控制,从而实现监控中心对远端监控摄像头的呼叫控制。