剪胶接结构的混合模式断裂分析

给出了Ｇｏｌａｎｄ－Ｒｅｉｓｓｅｎｅｒ型剪接结构的Ｊ积分表达在被粘物体小转角和胶层很薄的假设下与路径无关。Ｊ积分代表胶层厚度与胶层内最大能量密度的乘积。对单剪接接头，本文计算了裂纹在胶层内和界面上两种情况下的局部Ｉ型和Ⅱ型应力强度因子之比，即局部载荷相角，从而给出了单剪接接头的断裂判据。     

大尺寸多级孔g-C3N4/MHPTS催化剂的制备及其性能研究

研发高效、易回收的催化剂具有很高的实际应用价值.采用多模板法制备了一种新型的大尺寸多级孔钛硅酸盐(MHPTS),并以其为载体,采用简单的浸渍-热聚合法制备了g-C₃N₄/MHPTS复合催化剂.MHPTS具有连续贯通的大孔结构,传质速度快;几十纳米的超薄壁厚意味着大孔孔壁上的介孔孔道非常短,缩短了反应物和产物分子进出孔道的时间;微孔提供了大量的活性位点.在热反应条件下,MHPTS对环己烯的催化环氧化转化效率远高于常规的TS-1分子筛.此外,由于g-C₃N₄的负载使g-C₃N₄/MHPTS对光的吸收范围延伸至可见光,提高了催化剂的光吸收能力.结果表明,在光热协同作用下,g-C₃N₄/MHPTS对环己烯的催化环氧化转化效率进一步提高.     

加权半线性椭圆系统稳定正解的Liouville定理

研究加权半线性椭圆系统■其中,p>1,w(x)、w₁(x)和w₂(x)是非负连续函数.对于w₁≠w₂和w₁≡w₂,指数p属于次临界、临界和超临界的部分区间时,证明了椭圆系统不存在稳定正解.     

第三代半导体晶体激光诱导改质技术

第三代半导体材料成本居高不下是行业发展痛点。与传统线切割技术相比,激光改质剥离技术具有材料损耗少、加工效率高、晶圆产出多等优势,已成为国际竞相发展的第三代半导体材料加工革命性技术。介绍了第三代半导体晶体激光诱导改质技术的国内外研究现状,重点阐述了改质区裂纹扩展机制研究、像差校正空间整形技术研究和激光诱导改质设备研制方面的内容。     

基于全台演播室及转播车的控监管系统研究及应用

本文介绍了阳泉市广播电视台全台高清化升级改造中围绕演播室、超高清转播车建设的控监管系统。系统以控制功能为核心,通过对设备的集中控制,提高设备技术调试效率和节目制作效率;通过监测管理功能快速了解整体系统运行状态。     

部分相干光被环形透镜聚焦而产生的焦移

 从理论上研究部分相干光被一环形透镜聚焦,在焦点附近的轴上点的光强分布。研究结果表明,当部分相干光被一环形透镜聚焦时,最大聚焦光强不在几何焦点,而是位于透镜与几何焦点之间,出现焦移现象。并且,焦移量不仅依赖于透镜外半径的菲涅耳数,还依赖于部分相干光的空间相干度和中心拦截比。透镜的菲涅耳数越小,焦移越大;部分相干光的空间相干度越低,焦移越大。当菲涅耳数一定时,环形透镜的中心拦截比越大,焦移越大;当空间相干度很小时,情况就变得比较复杂。     

铂修饰的{001}面暴露的二氧化钛纳米片阵列的制备和光催化性能

采用有机溶剂热法在FTO衬底上制备{001}面暴露的单晶锐钛矿相TiO₂纳米片阵列,通过FESEM和XRD研究样品的形貌和晶体结构. 与水热法制备的纳米片阵列相比,有机溶剂热法制备的样品取向性更好. 采用光沉积方法在纳米片阵列上沉积Pt,所得到的Pt纳米颗粒粒径更为均匀,并且更容易沉积在{001}面上. 所负载的Pt 纳米颗粒增强了TiO₂纳米片的光吸收性能,同时大大减弱了光致发光强度. 在光催化性能测试中,具有最优负载量的样品催化性能提高了一倍. 与传统的Pt负载相比,{001}面的最优负载量显得相当小,这可能源于高活性{001}面的原子结构.     

基于思维发展的信息技术与数学教学融合实践探索——以几何画板在二次函数学习中的运用为例

数学教学是以数学思维发展为核心的教学,学生思维发展需要在积极的问题情境思考中得以实现.基于思维发展的信息技术与数学教学的融合实践,一方面重视学生通过主动思考完成知识和方法的初步建构,实现思维的内化;另一方面重视展示、交流、辨析等思维外显过程,并注重借助几何画板等信息化图示技术,在动态的问题思考中实现抽象知识直观化、内隐思维可视化,达成从感性认知到理性建构再到思维自觉的育人目的.     

基于FLUIDSIM的“液压与气动”课程教学模式改革实践

根据课程标准能力目标的要求, “液压与气动”课程的教学改革侧重于利用FLUIDSIM软件开发课程典型仿真控制回路, 形成课堂虚拟实践教学模式。新的课程教学模式改变了传统课堂教学只注重液压或气动知识传授的现象, 纠正了学生在课程实践教学过程中频繁出现搭建的液压或气动控制回路出错率高、电气回路与液压或气动回路不能协同工作等问题, 加深了学生对课堂教学内容的理解, 提升了学生专业知识的综合应用能力和工程实践动手能力。     

CuBrx I1-x闪烁薄膜的制备和发光性能

为了系统地研究Br的引入对CuBr_xI_(1-x)薄膜发光强度和衰减时间的影响,通过气相沉积法在Si片上制备了CuBr_xI_(1-x)(0≤x≤1)闪烁薄膜,并测试了薄膜的发光性能和衰减曲线。结果表明,所制备的样品具有良好的CuBr_xI_(1-x)(0≤x≤1)固溶体结晶性;相对于长波段的深能级发射,CuBr_xI_(1-x)薄膜均表现出较强的光致和X射线激发近带边发射,且发射强度随Br含量的增加而大幅增加,有利于提高闪烁器件的探测效率;不过薄膜的发光衰减时间会随Br含量的增加而变慢(40～300 ps)。本研究工作对于通过选择合适组分的CuBr_xI_(1-x)闪烁材料以平衡探测效率和时间响应的测量需求具有重要意义。