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故障现象:洗衣机使用久了后,甩干桶会出现不转的故障。分析检修:原因往往是甩干桶的盖板开关接触不良或开关接触点不能接触造成的故障。其处理办法是:打开洗衣机操作控制面板,在甩干桶盖板正前方找到上下对称安装的两个紫铜簧片或一个白色塑料小盒(内有上下对称的两个带触点的金属簧片),即是甩干桶盖板的开关。用细砂纸轻轻清除两簧片触点 相似文献
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利用电化学方法在p型重掺杂单晶硅(100)基体上制备了多孔硅薄膜,通过质量计算法得到多孔硅的孔隙率,并研究了多孔硅孔隙率随腐蚀深度变化的规律。利用显微拉曼光谱技术对多孔硅纵切面上的残余应力进行了测量,结果表明,多孔硅的孔隙率随腐蚀时间/深度的增加有先增加后减少的趋势;多孔硅纵向上存在拉伸残余应力,拉伸应力的分布与纵切面上孔隙率的分布成正比,先增大,再减小;到达多孔硅与基体硅的界面处时,拉伸应力减小为零,靠近硅一侧,转变为压应力;残余应力的最大值出现在临近多孔硅表面以下的区域。这主要与多孔硅制备过程中孔内HF酸浓度的降低和硅/电解液表面的电偶层有关。 相似文献
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自从AT&T开通第一个ASON网络以来.运营商和设备制造商都对GMPLS/ASON控制平面进行了深入和广泛的研究.经过多年的努力,目前基于SDH的GMPLS/ASON网络在全球干线、城域和本地网等多个网络层面得到广泛应用,[第一段] 相似文献
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65.
本文提出一种基于径向基函数(Radial Basis Function-RBF)神经网络图像表示实现对计算机断层成像装置不完备投影数据的重建方法,并分析了方法的计算效率、重建质量和适用范围.该方法采用RBF神经网络表示断层图像,降低了问题的计算规模,并通过ART(Algebraic Reconstruction Technique)迭代算法重建出断层图像.在模拟实验中,我们将本方法与FBP、ART的重建图像算法进行了比较.实验结果表明所提出的方法其重建质量和计算效率都有明显地改进. 相似文献
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An Experimental Analysis of Residual Stress Measurements in Porous Silicon Using Micro-Raman Spectroscopy
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Micro-Raman spectroscopy of porous silicon films of micrometre thickness and on silicon bulk substrates is carried out.The practical information is given for applications of stress measurements in the films which were obtained with electrochemical etching technique.Higher residual stress (reached GPa) in the etched area falls continuously through the transitional area to the un-etched area of the sample.However,the stress gradient is smaller in the etched or un-etched area and increases in the transitional area between the two areas.Using atomic force microscopy to investigate the surface appearance of porous silicon films,the micro-cavity structure is expected to relate to the distribution of residual stress. 相似文献
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采用分子束外延技术生长InAs/AlAs/GaAs量子点,用透射电镜观察量子点的截面形貌,用光致发光光谱仪测试量子点的发光光谱.透射电子显微镜及光致发光光谱结果表明,量子点底部观察不到InAs浸润层,室温下样品的光致发光峰值波长达1.49 μm,为研制光纤通讯中的半导体量子点激光器提供了实验依据. 相似文献
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69.
利用基于有效介质理论的介孔硅传热机理,提出一个用于分析氧化介孔硅热导率的理论模型,对影响氧化介孔硅有效热导率的因素进行了理论分析,得出用于计算氧化介孔硅有效热导率的计算公式. 采用双槽电化学腐蚀法制备介孔硅,利用微拉曼光谱技术研究了氧化介孔硅热导率随所制备介孔硅孔隙率的变化规律,比较了经不同温度处理的氧化介孔硅的导热性能差异. 孔隙率为60%,73.4%和78.8%的所制备介孔硅经300℃氧化处理后,其热导率值为8.625W/(m·K),3.846W/(m·K)和1.817W/(m·K);孔隙率为73.4 相似文献
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