Nano-WO3 film modified macro-porous silicon（MPS） gas sensor

We prepared macro-porous silicon（MPS） by electrochemical corrosion in a double-tank cell on the surface of single-crystalline P-type silicon.Then,nano-WO₃ films were deposited on MPS layers by DC facing target reactive magnetron sputtering.The morphologies of the MPS and WO₃/MPS samples were investigated by using a field emission scanning electron microscope.The crystallization of WO₃ and the valence of the W in the WO₃/MPS sample were characterized by X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy,respectively. The gas sensing properties of MPS and WO₃/MPS gas sensors were thoroughly measured at room temperature. It can be concluded that:the WO₃/MPS gas sensor shows the gas sensing properties of a P-type semiconductor gas sensor.The WO₃/MPS gas sensor exhibits good recovery characteristics and repeatability to 1 ppm NO₂.The addition of WO₃ can enhance the sensitivity of MPS to NO₂.The long-term stability of a WO₃/MPS gas sensor is better than that of an MPS gas sensor.The sensitivity of the WO₃/MPS gas sensor to NO₂ is higher than that to NH₃ and C₂H₅OH.The selectivity of the MPS to NO₂ is modified by deposited nano-WO₃ film.     

The light-enhanced NO₂ sensing properties of porous silicon gas sensors at room temperature

The NO2 gas sensing behavior of porous silicon(PS) is studied at room temperature with and without ultraviolet(UV) light radiation.The PS layer is fabricated by electrochemical etching in an HF-based solution on a p +-type silicon substrate.Then,Pt electrodes are deposited on the surface of the PS to obtain the PS gas sensor.The NO2 sensing properties of the PS with different porosities are investigated under UV light radiation at room temperature.The measurement results show that the PS gas sensor has a much higher response sensitivity and faster response-recovery characteristics than NO2 under the illumination.The sensitivity of the PS sample with the largest porosity to 1 ppm NO2 is 9.9 with UV light radiation,while it is 2.4 without UV light radiation.We find that the ability to absorb UV light is enhanced with the increase in porosity.The PS sample with the highest porosity has a larger change than the other samples.Therefore,the effect of UV radiation on the NO2 sensing properties of PS is closely related to the porosity.     

制备工艺对多孔阳极氧化铝特性的影响

通过对草酸溶液中制备的多孔阳极氧化铝(PAA)的形貌、晶态结构和光致发光(PL)特性的表征和机理分析,研究了草酸电解液浓度、阳极氧化电压和退火等丁艺对PAA的形成及特性的影响.PAA的孔径在50～120 nm之间,且随着阳极氧化电压的升高而增大,而受电解液浓度的影响较小.X射线衍射结果表明:PAA为非晶态结构,退火之后结晶,并有多相共存.PL测试表明PAA在375～500 nm之间有一较宽的蓝色发光带,发光峰在425 nm左右,是由氧空位引起的,且其峰强可通过改变阳极氧化电压和草酸浓度等参数来调制.     

纳米二氧化钒薄膜的电学与光学相变特性

采用双离子束溅射氧化钒薄膜附加热处理的方式制备了纳米二氧化钒薄膜。在热驱动方式下,分别利用四探针测试技术和傅里叶变换红外光谱技术对纳米二氧化钒薄膜的电学与光学半导体-金属相变特性进行了测试与分析。实验结果表明,电学相变特性与光学相变特性之间存在明显的偏差,电学相变温度为63 ℃,高于光学相变温度,60 ℃;电学相变持续的温度宽度较光学相变持续温度宽度宽;在红外光波段,随着波长的增加,纳米二氧化钒薄膜的光学相变温度逐渐增大,由半导体相向金属相转变的初始温度逐渐升高,相变持续的温度宽度变窄。在红外光波段,纳米二氧化钒薄膜的光学相变特性可以通过光波波长进行调控,电学相变特性更适合表征纳米VO₂薄膜的半导体-金属相变特性。     

基于CPLD技术的雷达光栅扫描坐标变换器的设计与实现

雷达光栅扫描坐标变换器是雷达光栅扫描显示系统的关键部件.本文以Altera公司的FLEX10K系列CPLD为例,介绍了可编程逻辑器件的内部结构和性能特点.提出了一种基于CPLD技术的雷达光栅扫描坐标变换器,并介绍了其CPLD实现的过程及结果.     

简易雷达光栅扫描显示器

雷达终端显示器用来显示雷达所获得的目标信息和情报,显示的内容包括目标的位置及其运动情况,目标的各种特性参数等。 近年来随着电视扫描技术和数字技术的发展,出现了多功能的光栅扫描显示器。光栅扫描显示是集计算机、图象、图形、高速实时信号处理、ＶＩＳＩ和雷达技术为一体的高新技术,具有多彩色、无闪耀、高亮度、低功耗、长寿命等特点,尤其是在多种信息处理与显示的能力和容量方面,更是随机扫描显示所无法比拟的。光栅扫描显示取代随机扫描显示是一种必然的发展趋势。下面介绍简易雷达光栅扫描显示器。设计思想 本文设计了一种…     

均匀设计法研究PZT铁电薄膜制备工艺的优化

应用射频磁控溅射工艺在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜。对影响PZT薄膜性能、形貌的工作气压、基片温度、氧/氩 氧之比、溅射功率、退火温度5个主要因素进行分析,在其允许范围和精度内设置5个水平,并根据均匀设计理论对该5因素及5水平进行均匀设计。不同温度下退火之后测定了PZT薄膜的厚度、SEM表面形貌、电容、介电损耗、电滞回线(包括矫顽场强、饱和极化强度、剩余极化强度)等。最后对响应结果进行多元二次线性回归,得出了回归方程。探讨达到最优化薄膜特性所需要的工艺条件。     

（英）离子束溅射法制备碳化锗薄膜的红外光学特性和力学特性

采用离子束溅射法通过在CH4和Ar 的混合气体中溅射Ge靶材制备碳化锗(Ge1-xCx)薄膜.分别通过原子力显微镜、拉曼光谱和X射线光电子能谱、傅里叶变换红外光谱以及纳米压痕测试研究了薄膜的表面形貌、化学结构、光学特性和力学特性.同时分析了制备薄膜时的离子源束压和薄膜性质之间的关系.结果表明,薄膜的粗糙度随束压的增大而减小.在较高束压下制备的薄膜含有较少的C元素和较多的Ge-C键.薄膜具有非常好的红外光学特性和力学特性.薄膜在较大波长范围内具有良好的透光性能.C元素含量随着束压的升高而降低,进而导致薄膜的折射率在束压从300 V增大到800 V的过程中逐渐升高.薄膜的硬度大于8 GPa.由于薄膜中的Ge-C键代替了C-C 键和C-Hn键,薄膜的硬度随束压的增加逐渐增加.     

非制冷红外探测器用高TCR氧化钒薄膜制备研究

主要介绍了红外探测器的分类、发展,及基于氧化钒薄膜的热探测器的优势;采用直流对靶磁控溅射法制备氧化钒薄膜,通过设计正交实验,获得了氧化钒薄膜的最佳制备参数,分析了各个制备参数对氧化钒薄膜成分以及TCR的影响,研究了硅衬底上氧化钒薄膜电阻温度系数与电阻之间的关系.     

基于微拉曼光谱技术的氧化介孔硅热导率研究

利用基于有效介质理论的介孔硅传热机理,提出一个用于分析氧化介孔硅热导率的理论模型,对影响氧化介孔硅有效热导率的因素进行了理论分析,得出用于计算氧化介孔硅有效热导率的计算公式. 采用双槽电化学腐蚀法制备介孔硅,利用微拉曼光谱技术研究了氧化介孔硅热导率随所制备介孔硅孔隙率的变化规律,比较了经不同温度处理的氧化介孔硅的导热性能差异. 孔隙率为60%,73.4%和78.8%的所制备介孔硅经300℃氧化处理后,其热导率值为8.625W/(m·K),3.846W/(m·K)和1.817W/(m·K);孔隙率为73.4 关键词： 理论模型 氧化介孔硅 微拉曼光谱 有效热导率