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992.
993.
本文研究偏微方程δ/δt(a(t)δ/δu(x,t)+m(t)δu(x,t)/δt+c1(x,t,u(x,t)+c2(x,t,u,t-τ))=∫^ta∑^tj=1(t,ζ)△u(x,hj(t,ζ)dσ(ζ)+f(x,t)的振动性,给出了方程(1)振动的一些充分条件。 相似文献
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995.
996.
997.
介质极性敏感膜的制备和性能研究 总被引:6,自引:0,他引:6
以交联壳聚糖膜为载体,芘为介质极性探针,制备并表征了一种介质极性敏感膜,研究了该膜对醇-水混合溶剂极性的响应行为.基于极性测定,对十二烷基硫酸钠(SDS)和十二烷基磺酸钠(SLS)水溶液中胶束的形成进行了检测.结果表明,该膜具有较好的可逆性和重现性,且制膜方法简单、快速. 相似文献
998.
关于复方阵的平方根 总被引:1,自引:1,他引:0
本刊文 [1]中提出如何判断一个方阵是否存在平方根的问题 .这里 ,我们就 n阶复方阵情形给出三个判别准则 .设 A是 n阶复方阵 ,JA 表示它的若当标准形 ,则存在相似变换矩阵 P,使得 A=PJAP-1 .有关复方阵 A的若当标准形 JA 以及相似变换矩阵P的求法 ,见本刊文 [2 ]或 [3 ] ,本文不再赘述 .定义 1 设 A是 n阶复方阵 ,若存在 n阶复方阵 B,使得 B2 =A,则称 B为 A的平方根 .为书写简便 ,我们用记号 Jr( x) ( r≥ 1)与diag[B1 ,B2 ,… ,Bs]分别表示 r阶若当矩阵和对角块矩阵 :x 1 x 1x∈ Mr( C) ,B1 B2 Bs.用文 [2 ]中给出的计算复… 相似文献
999.
与时间相关电介质击穿(TDDB)测量是评估厚度小于20nm薄栅介质层质量的重要方法.氧化层击穿前,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态,当陷阱密度超过临界平均值 bd时,发生击穿.击穿电量Qbd值表征了介质层的质量.Qbd值及其失效统计分布与测试电流密度、电场强度、温度及氧化层面积等有定量关系.TDDB的早期失效分布可以反映工艺引入的缺陷.TDDB可以直接评估氧化、氮化、清洗、刻蚀等工艺对厚度小于10nm的栅介质质量的影响.它是硅片级评估可靠性和预测EEPROM擦写次数的重要方法. 相似文献
1000.
本文中我们首次在这里公布近些年来我们对半导体材料及微电子器件进行无损显微分层内窥新方法(简称显微分层内窥法)的一些电子显微镜照片及研究结果。这个方法目前已可应用到对半导体材料的亚表面层内的微结构和缺陷进行检测。亚表面层内的微结构状况和缺陷的有无及多少,将直接地决定着用这些材料制作的微电子器件的质量。对亚表面层内有缺陷的半导体材料可以用我们按照显微分层内窥法研制成的扫描电子显微镜(SEM)的专用附件——托莫(下称SETM)来加装到SEM上,对投料生产微电子器件前的半导体材料的亚表面层进行无损显微分层内窥检测,筛… 相似文献