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151.
本文主要阐述了10kv线路在设计实施中的困难状况,从实际施工情况出发,论述了10kv线路的基础工程、杆塔工程、架线工程的实际情况以及相关技术障碍,并对输电线路检修问题提出了相应的解决办法。 相似文献
152.
余小珊 《电子产品维修与制作》2010,(13):90-92
两个路由器之间背靠背互连,如果配置的链路层协议一致、参数正确,但链路层协议不通,一般来说有两种原因:一是线路问题,这个问题比较常见,它包括接口设备与路由器串口连接线问题和接口设备间的数据线路(2M线路)问题;二是设备问题,通常出现在路由器串口板上或接口设备中。 相似文献
153.
CD播放机中使用的DAC(2)积分型DAC 总被引:1,自引:0,他引:1
上一期介绍了电流相加型DAC.这一期介绍积分型DAC。积分型DAC具有线性好、音质好的突出优点.可谓曾风光一时与电阻梯形电流相加型DAC平分天下。但是这种DAC由于无法适应高比特高取样化的发展潮流.目前其应用已越来越少。 相似文献
155.
156.
低能离子对酪氨酸溶液损伤作用的光谱研究初报 总被引:7,自引:3,他引:4
利用气体我放电产生低能离子,其在放电间隙的电场加速下撞击水溶液样品。了低能离子作用后酪氨酸溶液的紫外及红外吸收光谱的变化。结果表明,气体放电产生的离子对Tyr造成了多种损伤。不仅使化学键断裂,分子解体,而且外来的活性离子会与溶液中的元素形成新的化学基团,妆在受损伤分子碎片上组成新的损伤物质,充分体现了低能离子与物质相互作用的“离子沉积”效应。 相似文献
157.
我们发现可以把二元多项式盾成系数为一元多项式的一元多项式来进行分解,据此,本文建立了二元整系数多项式因式分解的一种理论,提出了一个完整的分解二元整系数多项式的算法。这个算法还能很自然地推广成分解多元整系数多项式的算法。 相似文献
158.
利用射频磁控溅射系统在不同N2分压的条件下,制备了一系列ZrN/WN纳米多层膜.借助慢正电子湮没技术分析了样品的缺陷性质,采用纳米压痕仪研究了多层膜的力学性能.结果发现:N2分压为0.4Pa的多层膜具有最小的空位型缺陷浓度,其中心层和膜基结合层的平均S参数分别为0.4402和0.4641,而较低或较高的N2分压都可能导致空位型缺陷浓度的增加.随着空位型缺陷浓度的减小,多层膜的硬度和临界载荷增大.对于空位型缺陷浓度最小的多层膜,其硬度和临界载荷达到最大值,分别为34.8GPa和100mN,说明较低的缺陷浓度有利于提高多层膜的力学性能.
关键词:
ZrN/WN纳米多层膜
缺陷性质
力学性能
慢正电子湮没 相似文献
159.
用COMPASS分子力场的方法对聚二甲基硅氧烷(PDMS)分子链以及它们同白炭黑(SiO2)、改性SiO2粒子表面相互作用的分子体系进行了计算机模拟,得到了体系能量变化与PDMS分子链中Si原子移动距离的关系曲线,分析了产生和影响体系力学性能的化学过程本质,预测了宏观PDMS/SiO2体系的拉伸行为. 相似文献
160.
应用群论及原子分子反应静力学方法推导了SiO2分子的电子态及其离解极限,采用B3P86方法,在6-311G**水平上,优化出SiO2基态分子稳定构型为单重态的C2V构型,其平衡核间距Re=RSi-O=0.1587 nm,∠OSiO=111.2°,能量为-440.4392 a.u..同时计算出基态的简正振动频率:对称伸缩振动频率v(B2)=945.4cm-1,弯曲振动频率v(A1)=273.5 cm-1和反对称伸缩振动频率v(A1)=1362.9cm-1.在此基础上,使用多体项展式理论方法,导出了基态SiO2分子的全空间解析势能函数,该势能函数准确再现了SiO2(C2V)平衡结构. 相似文献