全文获取类型
收费全文 | 4931篇 |
免费 | 785篇 |
国内免费 | 1031篇 |
专业分类
化学 | 1574篇 |
晶体学 | 67篇 |
力学 | 412篇 |
综合类 | 145篇 |
数学 | 464篇 |
物理学 | 1188篇 |
无线电 | 2897篇 |
出版年
2024年 | 48篇 |
2023年 | 124篇 |
2022年 | 186篇 |
2021年 | 120篇 |
2020年 | 111篇 |
2019年 | 150篇 |
2018年 | 139篇 |
2017年 | 137篇 |
2016年 | 147篇 |
2015年 | 158篇 |
2014年 | 326篇 |
2013年 | 258篇 |
2012年 | 265篇 |
2011年 | 255篇 |
2010年 | 232篇 |
2009年 | 269篇 |
2008年 | 276篇 |
2007年 | 267篇 |
2006年 | 249篇 |
2005年 | 234篇 |
2004年 | 251篇 |
2003年 | 204篇 |
2002年 | 196篇 |
2001年 | 193篇 |
2000年 | 164篇 |
1999年 | 182篇 |
1998年 | 130篇 |
1997年 | 172篇 |
1996年 | 170篇 |
1995年 | 146篇 |
1994年 | 140篇 |
1993年 | 118篇 |
1992年 | 106篇 |
1991年 | 123篇 |
1990年 | 86篇 |
1989年 | 109篇 |
1988年 | 41篇 |
1987年 | 33篇 |
1986年 | 23篇 |
1985年 | 31篇 |
1984年 | 36篇 |
1983年 | 23篇 |
1982年 | 23篇 |
1981年 | 19篇 |
1980年 | 10篇 |
1979年 | 9篇 |
1958年 | 6篇 |
1957年 | 8篇 |
1956年 | 8篇 |
1954年 | 5篇 |
排序方式: 共有6747条查询结果,搜索用时 31 毫秒
51.
52.
53.
Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si(111) substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed. 相似文献
55.
The possible defect models of Y^3+:PbWO4 crystals are discussed by defect chemistry and the most possible substituting positions of the impurity Y^3+ ions are studied by using the general utility lattice program (GULP). The calculated results indicate that in the lightly doped Y^3+ :PWO crystal, the main compensating mechanism is [2Ypb^+ + VPb^2-], and in the heavily doped Y^3+ :PWO crystal, it will bring interstitial oxygen ions to compensate the positive electricity caused by YPb^+, forming defect clusters of [2Ypb^+ +Oi^2-] in the crystal. The electronic structures of Y3+ :PWO with different defect models are calculated using the DV-Xα method. It can be concluded from the electronic structures that, for lightly doped cases, the energy gap of the crystal would be broadened and the 420nm absorption band will be restricted; for heavily doped cases, because of the existence of interstitial oxygen ions, it can bring a new absorption band and reduce the radiation hardness of the crystal. 相似文献
56.
一种LCD驱动控制芯片设计研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文以液晶显示(LCD)控制驱动芯片为例,详细介绍了ASIC设计的流程,首先用TOP-DOWN方式对芯片系统进行整体功能划分,再以BOTTOM-UP方式进行原理图输入,最后进行芯片的功能,性能等各项模拟,并提交设计所需的网表和测试文档. 相似文献
57.
在目前的有线电视网中,特别是以电缆为主的网络中,有线电视干线放大器的正确选用不仅可保证传送信号的质量,而且可使干线的性价比最高. 相似文献
58.
对固定设计下的一类半参数回归模型yi=xiβ+g(xi)+ei,i=1,2,…,n,综合最小二乘和非参数权函数估计方法,定义了,βg的估计量β∧n,gn∧及误差方差σ2的估计量σ2n∧.在适当条件下,证明它们具有强相合性和p(2)阶平均相合性.模拟的结果表明所得结果具有优良的性质. 相似文献
59.
新型含氧亚甲基和亚胺桥键液晶化合物分子结构与光谱的密度泛函理论研究 总被引:3,自引:3,他引:0
采用密度泛函理论方法在B3LYP/6-31G*水平上对6个新型含氧亚甲基和亚胺桥键液晶化合物分子的几何结构进行优化计算,讨论了取代基H,CH3,CH3O,C2H5O,NO2,Cl对分子电荷、前线轨道能量和电子吸收光谱等性质的影响.在此基础上使用含时密度泛函理论方法计算了分子第一激发态的电子垂直跃迁能,得到最大吸收波长λmax.计算表明,取代基的引入导致最大吸收波长红移. 相似文献
60.