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991.
随着高温超导技术的发展,可用于交变电磁场条件下且临界温度高于77K的高温超导线材已经得到商业化应用,液氮温区的高温超导磁体冷却技术也取得了巨大进步。本文作者设计了一种高温超导磁体液氮零蒸发冷却系统,并进行了相关性能试验。结果表明,整个试验过程中,液氮无损耗,实现液氮零蒸发功能;系统液氮温度处于70K~77K之间,且温度可控,为高温超导磁体在特定温度下的性能研究提供了条件;给出了液氮温度与系统净输出冷量的关系,并与理论计算进行了比较;提出了影响系统性能的关键问题。 相似文献
992.
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994.
995.
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。 相似文献
996.
基于DSP平台,针对2D-IDCT运算复杂的特点,对8×8整型离散余弦变换(DCT)正反变换算法进行优化,在运算精度上提出改进,得到最佳参数参与运算,运算结果符合IEEE Standard 1180-1990标准要求.在此标准基础上利用DSP平台特性,在实现上进行多级优化并采用并行流水线结构,使一次IDCT计算耗时在140个周期内. 相似文献
997.
998.
999.
(上接第4期)
2.3高速、可调波长和单片集成式光发射芯片(EAML-SOA)
对于40G TWDM-PON发射端来说,首先要解决宽带光芯片问题.为了缩小体积,提高光电性能,国内外正在研发宽带单片集成芯片.这种芯片性能优越,可充分满足40G TWDM-PON发射端技术要求,具有多种可能结构形式.其中,基于电控技术、波长可调谐的光发射芯片EAML-SOA,性能优越,商用化程度较高,EAML-SOA把具有MQW-LD、相移(DBR)、电吸收调制(EAM)、半导体光放大(SOA)单片集成在InP基片上,其芯片结构示意图如图5所示. 相似文献
1000.
4G通信的关键技术及其发展建议 总被引:1,自引:1,他引:0
简述4G标准的优势,高速率、大容量、多业务融合、多类型用户共存、较强的灵活性、技术应用的先进性等是其主要特征。介绍4G通信的关键技术,包括正交频分复用、智能天线、多入多出天线、软件无线电、调制编码及高性能接收等技术。对FDD-LTE(频分多址长期演进)、TD-LTE(时分多址长期演进)、WirelessMAN-Advanced(802.16m)三大4G标准进行比较,认为前两者具有共同特征和各自优势,是两个优势互补并为大多运营商看好的4G通信标准。最后提出我国发展4G通信的一些看法和建议。 相似文献