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91.
高阈值高消光比偏振膜元件,对整个大型激光器的能量输出以及系统结构设计极为关键,目前国内技术上仍然难以达到该要求,主要问题在于高阈值与高消光比两个指标难以同时获得,同时制备工艺很难稳定。用于ICF的高功率强激光系统的末端,一般采用三倍频光注入打靶,显然,三倍频薄膜元件的抗激光损伤能力,将直接制约激光系统的能量水平与打靶的效果。因此,建立三倍频损伤测量平台,以推动三倍频紫外激光薄膜与紫外元件的研究已经是当务之急。  相似文献   
92.
透射光学元件的1 064 nm激光损伤特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过对K9玻璃增透膜和偏振片的1 064 nm激光损伤试验,显示激光透射元件激光损伤的一个显著特点是形成针孔损伤,其大小在10~50 μm之间,分布呈分离状,其损伤深达基片表层及亚表层,与高反膜的激光损伤形态区别明显.K9和增透膜的孔洞损伤形成于后表面,偏振片形成于膜面,在一定的能量范围内,如能量提高1~2倍,激光能量与孔洞损伤的大小关联不大,只是孔洞的数量增加.孔洞的形成是由激光形成的驻波场引起的,并与基片表面及亚表面的损伤缺陷有关.  相似文献   
93.
 研究了SiO2半波覆盖层对HfO2/SiO2高反射膜1064nm激光损伤的影响,分析薄膜的激光损伤特性及图貌得出, 对于单脉冲(1-ON-1)激光损伤,SiO2半波覆盖层能提高HfO2/SiO2高反膜的激光损伤阈值;可显著降低激光损伤程度,减小灾难性损伤发生的概率;可大幅度提高HfO2/SiO2高反膜膜的抗激光损伤能力。  相似文献   
94.
K9玻璃表面的1064nm激光损伤   总被引:1,自引:0,他引:1  
K9玻璃是一种性能优异的光学材料,作为激光薄膜的基底,其抗激光损伤的特性和能力,直接影响高功率激光薄膜的性能,特别是对激光增透,偏振膜。本论文采用10ns的1064m激光,实验研究了K9玻璃前后的激光损伤特性,用Normski显微镜分析损伤图貌,结果显示玻璃前后表面的激光损伤表现不同。前表面主要表现为烧伤,后表面主要表现为破斑,前后表面的损伤阈值之比约为1.4。后表面的损伤形貌与前表面相比,基本为灾难性损伤,多次激光脉冲打击显示,后表面的激光损伤尺度随着激光脉冲数呈指数增长。  相似文献   
95.
建立了光学元件在真空环境下的激光损伤测量系统,采用电子束蒸发和离子辅助技术制备了Hf2/SiO2高反射薄膜。对不同工艺制备的薄膜在真空与大气环境下的1 064 nm波长的激光损伤阈值进行了测量,对薄膜的损伤形貌进行了观测。对薄膜的损伤特性研究分析结果表明:薄膜在真空环境中的损伤阈值相对大气环境中有明显下降,其1∶1测试和R1测试损伤阈值下降约30%;两种环境中的薄膜损伤特性也不同,真空环境中损伤阈值的下降可能与热传导的不同有关。  相似文献   
96.
研究采用三相交流电源的绝热时序电路.首先介绍了采用三相交流电源的双传输门绝热电路并分析其工作原理,在此基础上提出了性能良好的低功耗绝热D、T与JK触发器.使用绝热触发器设计时序系统的实例被演示.SPICE程序模拟表明,设计的电路具有正确的逻辑功能及低功耗的优点。  相似文献   
97.
用统计方法 ,结合重要参数抽样技术 ,提出了一种有效的集成电路成品率优化方法。对CMOS远算跨导放大器的成品率优化证明了该方法的有效性和实用性。  相似文献   
98.
时域有限差分方法(FDTD)作为一种数值计算方法多用于对导体材料的电磁场分布计算,本研究采用此方法对光学材料表面微缺陷(结瘤、刮痕等)作了二维电磁场分析,对亚表面缺陷(气泡、杂质等)作了三维电磁场分析。计算数据分析表明:光学材料表面及亚表面微缺陷的存在,会造成缺陷附近局部区域的场强增强,使得这些部分容易发生雪崩电离等激光损伤,且不同的缺陷形态、位置和入射光的偏振态均会使局部场强增强的大小和分布不同。图1为光学元件表面有一截面的半圆形长刮痕,TM波不同角度入射时的二维电磁场模拟计算结果。对于衍射光学元件的周期性结构,也尝试用FDTD法进行了模拟计算,为多层介质膜镀制的工艺研究提供了理论基础。总之通过本研究的场强分布计算,  相似文献   
99.
智能电话远程家电控制系统的设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
吴立爽  胡建平 《信息技术》2005,29(9):152-154
提出了通过远程电话实现智能家电控制系统的一种实现方案。介绍了家电和电话之间的控制接口电路,讨论了系统结构及硬件、软件设计。测试结果表明设计的系统能完成预定的功能。  相似文献   
100.
采用交流能源的低功耗绝热触发器   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究采用交流能源的绝热触发器。首先提出绝热触发器结构并进行了详细分析,然后讨论绝热时序电路的设计,通过扭环形计数器的设计演示了绝热时序电路的设计方法。应用MOSIS的0.25μmCMOS工艺参数,经SPICE模拟证实了设计的电路具有正确的逻辑功能与可观的能量节省。  相似文献   
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