HIV-1逆转录酶的分子对接及运动功能相关性分析

目的 研究逆转录酶的运动性和生理功能的关系,以及N-乙酰基-β-芳基-1,2-二脱氢乙胺类衍生化合物与其的分子识别,方法 采用高斯网络模型和各向异性网络模型研究了p66和p66-DNA的运动模式差异,并用分子对接方法研究化合物与逆转录酶的识别。结果 DNA的结合对p66各区域的运动方向影响不大,但其运动的幅度大大降低。分子对接结果发现Y115和M184的疏水结构在识别的过程中起到重要作用。结论 基于各个区域的运动方向分析,推测手指区和RNase H区的开合运动可能是逆转录酶发挥逆转录功能的重要原因。并且,N-乙酰基-β-芳基-1,2-二脱氢乙胺类衍生化合物的N-甲基取代和反式的双键结构更有利于与逆转录酶的识别     

不同沉积参量下ZrO2薄膜的微结构和激光损伤阈值

ZrO2采用X射线衍射(XRD)技术分析了不同充氧条件和沉积温度对ZrO2溥膜组成结构的影响,并对不同工艺下制备的薄膜的表面粗糙度和激光损伤阈值进行了测量。结果发现随着氧压的升高,ZrO2溥膜将由单斜相多晶态逐渐转变为非晶态结构,而随着基片温度的增加,溥膜将由非晶态逐渐转变为单斜相多晶态。同时发现随着氧压升高晶粒尺寸减小,而随着沉积温度增加,晶粒尺寸增大。氧压增加时工艺对表面粗糙度有一定程度的改善,而沉积温度升高,工艺对表面粗糙度的改善不明显。晶粒尺寸大小变化与表面粗糙度变化存在对应关系。激光损伤测量表明,氧压条件和沉积温度对ZrO2薄膜的抗激光损伤能力有着较大影响。     

统计逼近下的集成电路成品率优化方法

考察了集成电路统计最优化问题的特殊性,用统计方法逼近合格电路中接受域,并以此模型估计参数成品率,进行成品率优化,并结合ＣＭＯＳ集成运放电路的设计验证了方法的可行性。     

分流环型绝热过渡区双绕螺旋线Wiggler束流传输实验

束流传输实验结果表明，分流环型过渡区双绕螺旋线圆极化Ｗｉｇｇｌｅｒ的端口区磁场，具有良好对称性，能基本保证磁场强度由零绝热过渡到均匀区，没有磁场畸变，因而对电子束流的能散度影响小，端口束流损失少。当入口端γ＝２的５００Ａ束流时，有约３５０Ａ束流传输到均匀区，而在相同条件下，喇叭口型绝热过渡区Ｗｉｇｇｌｅｒ只有１２０Ａ的束流传输到３４ｃｍ处的均匀区。分流环型变磁场技术可用于双绕螺旋线Ｗｉｇｇｌｅｒ变参自由电子激光。     

新型固体酸SO_4~(2-)/Fe_2O~3-ZrO_2-SiO_2的研制及其对乙酸/丁醇酯化反应酸催化作用的优化(英文)

采用共沉淀法与浸渍法制备了一系列ＳＯ４２－／Ｆｅ２Ｏ３－ＺｒＯ２－ＳｉＯ２固体酸催化剂,并将其用于催化乙酸／丁醉酯化反应。考察了以下影响催化剂活性的因素：Ｆｅ／Ｚｒ比、Ｓｉ含量、制备方法、预焙烧温度和焙烧温度等。催化剂采用如下条件制备： Ｓｉ含量为２ ％, Ｆｅ／Ｚｒ比为 ０．２５,共沉淀法, ７７３ Ｋ焙烧,此时酯收率及生成酯的选择性可分别达到９３.２６％和９６.０１％。 ＳＯ４２可能是活性组分之一。     

激光损伤阈值单脉冲激光测量方法

利用二元相位光栅的特点，设计一个具有特定相位分布的相位光栅，在单色波的照明下，使某些特定位置的菲涅耳像变成一个振幅光栅即光斑阵列。如果该光斑阵列的光强按照一定关系分布，将阵列光斑作用于实验样品上，能确定出各个光斑对应的损伤，就能从一次激光脉冲辐照中得出样品损伤阈值。激光光束为高斯光束，入射高斯光束通过二元相位光栅分解成类高斯分布的点阵并对样品进行辐照，研究衍射点阵中各点的一阶峰值能量密度分布和样品的损伤情况，可以单脉冲激光确定光学薄膜的损伤阈值。     

OFDM与SC-FDE抗噪声脉冲干扰的性能比较

对宽带无线通信的两种解决方案：多载波正交频分复用（OFDM）和单载波频域均衡（SC-FDE）的抗噪声脉冲干扰性能进行理论分析,给出了理想情况下的误码率公式,仿真证实了推导的正确性。并得出以下结论：人为噪声脉冲干扰可使SC-FDE系统的误码率与信干比的指数关系恶化到反线性关系,OFDM系统因为在频域判决,反而具有一定的内在抗噪声脉冲干扰能力;人为噪声脉冲干扰对OFDM系统的影响却比SC-FDE系统大;纠错编码对两类系统的性能都有显著的改善。     

K9玻璃表面的1064nm激光损伤

K9玻璃是一种性能优异的光学材料,作为激光薄膜的基底,其抗激光损伤的特性和能力,直接影响高功率激光薄膜的性能,特别是对激光增透,偏振膜。本论文采用10ns的1064m激光,实验研究了K9玻璃前后的激光损伤特性,用Normski显微镜分析损伤图貌,结果显示玻璃前后表面的激光损伤表现不同。前表面主要表现为烧伤,后表面主要表现为破斑,前后表面的损伤阈值之比约为1．4。后表面的损伤形貌与前表面相比,基本为灾难性损伤,多次激光脉冲打击显示,后表面的激光损伤尺度随着激光脉冲数呈指数增长。     

采用三相电源的互补传输管绝热逻辑电路

提出了一种由三相电源驱动的新绝热逻辑电路--complementary pass-transistor adiabatic logic(CPAL).电路由CPL电路完成相应的逻辑运算,由互补传输门对输出负载进行绝热驱动,电路的整体功耗较小.指出选取合适的输出驱动管的器件尺寸可进一步减小CPAL电路的总能耗.设计了仅由一个电感和简单控制电路组成的三相功率时钟产生电路.为了验证提出的CPAL电路和时钟产生电路,设计了8bit全加器进行模拟试验.采用MOSIS的0.25μm CMOS工艺,在50～200MHz频率范围内,CPAL全加器的功耗仅为PFAL电路和2N-2N2P电路的50%和35%.