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102.
采用共沉淀法与浸渍法制备了一系列SO42-/Fe2O3-ZrO2-SiO2固体酸催化剂,并将其用于催化乙酸/丁醉酯化反应。考察了以下影响催化剂活性的因素:Fe/Zr比、Si含量、制备方法、预焙烧温度和焙烧温度等。催化剂采用如下条件制备: Si含量为2 %, Fe/Zr比为 0.25,共沉淀法, 773 K焙烧,此时酯收率及生成酯的选择性可分别达到93.26%和96.01%。 SO42可能是活性组分之一。 相似文献
103.
104.
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四、大批量的安全块出现故障如果由于不可预知的原因 ,例如电源掉电或别的因素 ,很多的模块和安全块停机 (DOWN )。这时应该及时地先将系统的自动维护功能关掉。否则 ,可能有更多的安全块 (例如网络方面TASL ,AS1L等 )在自动维护不停地作检测时发现异常而变成FLT。关掉自动维护的方法如下 :>SELLIB968T>:KILLMSG2C,B30>:KILLMSG2C,B31>:KILLMSG2D,B30>:KILLMSG2D,B31然后用人机命令DISPLAY -TUPLE(CRN=379)显示:<379:R… 相似文献
106.
107.
HfO_2/SiO_2高反射膜的缺陷及其激光损伤 总被引:1,自引:0,他引:1
用原子力、Normaski和扫描电子显微镜等分析仪器 ,对高损伤阈值薄膜常采用的 Hf O2 /Si O2 薄膜进行了表面显微图象研究 ,分析了薄膜常见的表面缺陷 ,如节瘤 ,孔洞和划痕等。薄膜表面缺陷的激光损伤实验表明 ,不同缺陷的抗激光损伤能力大不相同 ,节瘤缺陷最低 ,约为 1 5 J/ cm2 ,薄膜的损伤阈值主要由其决定 ,孔洞的激光损伤能力与节瘤相比较高 ,约为节瘤的 2~ 3倍。节瘤缺陷在低能量密度的激光损伤所形成的孔洞 ,与镀制过程中形成的孔洞形貌相似 ,激光再损伤能力也相似。低能量密度的激光把节瘤缺陷变为孔洞缺陷是激光预处理提高薄膜损伤阈值的原因之一 相似文献
108.
运用数据传输的差错控制原理,以TON-92铝材挤压机单片机控制系统为研究对象,具体介绍了串行数据传输的误码纠正方法,给出了能检测每帧中2位以上误码且能纠正1位误码的Hamming码与奇偶校验码混合的编码与解码的工作程序。 相似文献
109.
Effect of λ/2 SiO_2 overcoat on the laser damage of HfO_2/SiO_2 high-reflector coatings 总被引:4,自引:0,他引:4
The effect of λ/2 SiO2 overcoat on the laser damage characteristics of HfO2/SiO2 high-reflector (HR) coatings is investigated with 1-on-l and N-on-1 laser damage test methods. The laser damage surface of 1-on-l is analyzed by a step analyzer. The surface morphologies show that laser damage makes the coating damaged area protrudent and rough for HR coating without λ/2 silica overcoat, but concave and smooth for HR coating with A/2 silica overcoat. The result of 10-on-l multi-pulse irradiation on the same point of the coating shows that there is an energy density stage on the damage curve. If the laser energy density is within the range of the stage, HfO2/SiO2 HR coatings with λ/2 silica overcoat will not be damaged more than 2 times for multi-shots, and the surface damages are very slight so that there is no impact on the coating performance. Another interesting result is that the energy density stage extends from the damage threshold to the point of about 3 times of threshold, which is similar to the 相似文献
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提出了一种由三相电源驱动的新绝热逻辑电路--complementary pass-transistor adiabatic logic(CPAL).电路由CPL电路完成相应的逻辑运算,由互补传输门对输出负载进行绝热驱动,电路的整体功耗较小.指出选取合适的输出驱动管的器件尺寸可进一步减小CPAL电路的总能耗.设计了仅由一个电感和简单控制电路组成的三相功率时钟产生电路.为了验证提出的CPAL电路和时钟产生电路,设计了8bit全加器进行模拟试验.采用MOSIS的0.25μm CMOS工艺,在50~200MHz频率范围内,CPAL全加器的功耗仅为PFAL电路和2N-2N2P电路的50%和35%. 相似文献