单片集成压力传感器及弱信号处理电路的设计

通过分析硅压敏电阻与晶向的关系,找到力敏电阻在硅膜片上的最佳位置。经测量,在10～400kPa范围内,压阻电桥的灵敏度约为0.36mV/kPa。提出一种由惠斯登电桥双端输出和双级放大器组成的电路结构,以对称的输入结构和全摆幅输出,解决了传感器输出小、易产生零点漂移的问题。用Cadence软件对电路进行模拟,在5V电源电压下,该放大电路的输出范围为0.036～4.953V,开环增益为110dB,CMRR为105.8dB,相位裕度为63.68°,可满足压力传感器的要求。     

一种高精密集成运算放大器的研制

基于运算放大器的基本原理和一些关键技术(基流自举补偿、偏置微调等)的运用,成功地研制出一种双极型高精度低失调集成运算放大器.测试结果显示,该运算放大器失调电压仅为10 μV,失调电流小于1 nA,开环增益为120 dB,单位增益带宽680 kHz.     

多晶硅衬底上的RF MEMS开关

在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RFMEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RFMEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与IC工艺兼容;采用在金属膜桥的端点附近刻蚀一些孔的优化方法,降低了RFMEMS微机械开关的下拉电压.用TE2 819电容测试设备测试开关的电容,测得开关的开态电容、关态电容和致动电压分别为0 32 pF、6 pF和2 5V .用HP875 3C网络分析仪对RFMEMS微机械开关进行了RF特性测试,得出RFMEMS微机械开关在频率1 5GHz下关态的隔离度为35dB ,开态的插入损耗为2dB ,用示波器测得该开关的开关     

单级功率因数校正电路及其开关应力分析

文章给出了几种单级功率因数校正电路的拓扑结构，计算和分析了其功率开关管上的电压应力和电流应力。为设计功率因数校正电路选择适宜的电路拓扑结构提供了一种依据。     

一种共面带状线馈电的圆极化双频微带天线

提出一种工作于2.4GHz（圆极化）和5.8GHz（线极化）的双频微带天线,由共面带状线（CPS）馈电。在菱形环中内嵌小方环实现双频工作,菱形环上槽口实现圆极化特性,背面加反射板以提高天线增益。为了实测天线性能和应用于不平衡馈电方式,还设计了CPS至微带线的巴伦。实测结果与仿真结果比较吻合,在2.4GHz与5.8GHz的S11〈-10dB工作带宽分别为33.3%和17.4%,增益分别达到9.05dBi和6.59dBi,2.4GHz频点3dB轴比带宽为15.8%。该天线频带宽、增益高、结构简单、易于集成,可用于无线通信和微波输能系统的整流天线中。     

脉冲激光沉积薄膜技术研究新进展

脉冲激光沉积薄膜是近年来发展起来的使用范围最广、最有希望的制膜技术。陈述了其原理、特点、研究方法,总结了超快脉冲激光、脉冲激光真空弧、双光束脉冲激光沉积等最新的PLD薄膜制备技术研究进展。     

含有一阶导数的一维p-Laplace方程的正解

通过利用积分方程全连续算子的不动点指数对含有一阶导数的一维p-L ap lace方程建立了一个存在定理.这个定理表明此p-L ap lace方程必有一个正解,只要非线性项在某个有界集合上的“最大高度”是适当的.     

一个系数两次变号的二阶两点边值问题的正解存在性

对于二阶两点非线性边值问题W” k(t)f(ω)=0，ω(0)=ω(1)=0，建立了一个正解存在定理，其中系数k(t)在[0，1]上两次变号．     

一类含参数的二阶两点边值问题的解和正解

本是研究一类含参数的二阶两点边值问题的解和正解的存在性，基本工具是Leray-Schauder不动点定理。主要结论的条件是局部的，即通过考察非线性项在其定义域的有界集上的“高度”即可决定解的存在性。     

TWIN POSITIVE SOLUTIONS TO A CLASS OF NONLINEAR SECOND-ORDER THREE-POINTS BOUNDARY VALUE PROBLEMS

In this paper, we establish two existence theorems of twin positive solutions for a class of nonlinear second-order three-point boundary value problems, and concentrate on the case when nonlinear term does not satisfy usual conditions.