GaAs:Cr探测器对聚变脉冲中子诊断的灵敏度研究

介绍了国产GaAs:Cr光电导探测器(简称PCD)在DT聚变中子辐射脉冲测量中的应用,利用PIN探测系统绝对测量结果,获得了GaAs:Cr PCD的14.1MeV中子直照灵敏度是1.5×10-20C cm2/mm3,测量误差为±18%。此结果与理论预估和国外报道在误差内符合。     

低强度脉冲伽马辐射测量中LaCl_3、YAG∶Yb和CeF_3闪烁探测器优选

为了在低强度脉冲伽马辐射测量中获得更精密可靠的测试数据,对La Cl3(50 mm×30 mm)、YAG∶Yb(50mm×50 mm)两种新型闪烁探测器和常用Ce F3(45 mm×20 mm)闪烁探测器的灵敏度、伽马/中子甑别能力、时间响应特性、统计涨落等主要参量进行了实验测量和对比。实验测量结果表明:La Cl3闪烁探测器灵敏度最高;伽马/中子甑别能力比另两种闪烁探测器高1倍以上;时间响应与Ce F3闪烁探测器相当;统计涨落最小(测点注量率相当的情况下)。进行中子、伽马混合脉冲辐射场中的低强度脉冲伽马辐射测量时,三种闪烁探测器中,La Cl3闪烁探测器是一种更佳的实用候选闪烁探测器。     

抗压低衰减光纤气密封转接装置的研制

针对贯穿密闭容器的抗高压光纤气密封转接装置,通过改进转接装置制作工艺,采用裸光纤灌胶密封,设计两端带光纤定位套保护的灌胶筒,灌封胶分次注入等措施,有效地降低了密封转接装置对传输光信号的衰减。检测结果表明:所研制的抗压低衰减光纤气密封转接装置实验样品,在满足密闭容器超压冲击实验密封要求(容器内外压差2MPa,气体漏率小于10-7 Pa·m3/s)的情况下,在密封转接段的光信号衰减小于1dB。