GaAsMESFET准二维动态大信号模型

本文运用电荷控制分析方法,提出了GaAs MESFET以电荷源为基本组成元件的大信号非线性动态模型.该模型在解决了电荷不守恒问题以及DC与RF电流不一致性问题的同时,结合器件的温度特性与自升温效应,实现了GaAs MESFET的准二维大信号动态分析.     

基于明亮通道先验和Retinex模型的弱光照图像增强网络

结合明亮通道先验和Retinex模型,提出一种弱光照图像增强网络。该网络由入射光分量多尺度估计模块、多尺度入射光分量融合模块和增强效果生成模块组成。入射光分量多尺度估计模块在不同邻域半径下基于明亮通道先验对弱光照图像进行多尺度入射光分量估计;多尺度入射光分量融合模块将输入的多层入射光分量融合为入射光分量图;增强效果生成模块依据入射光分量图对弱光照图像进行像素强度调节并直接生成增强效果图。主观及客观对比实验结果证明了本算法具有良好的鲁棒性,及在视觉效果增强、有效信息增益方面的优势。     

束技术创造了多种微结构

<正> 一、引言近年来甚大规模集成电路(ULSI)发展十分迅速,64MDRAM业已问世,多功能三维立体电路初具雏型。超高速集成电路(VHSIC)以砷化镓(GaAs)为衬底材料,出现了各种异质结、超晶格结构,速度大大提高,可与超导器件相比拟。光电集成电路(OEIC)则由于异质结工艺的进步,已做出了千兆比特(Gbit)速率的系统。这些新的进展,最突出的贡献者就是束技术。随着超高真空技术、超精密加工技术和自动化测量及监控技术的进步,分子束(MBE)、离子束(IB)、电子束(EB)和光子束(PB)技术都有了很大的     

64位计算技术应用前景

这里仅就源自64位计算环境的重大挑战课题和64位机体系结构的可实现性问题,简介美国计算机业界有关专家的评述与估计。对于前者,存在着三个难于在较短时期内攻克的壁垒。 1.缺少操作系统的支持 目前市场上广为流行和正在推出的操作系统,几乎均定义于32位     

金属圆帽外壳引线强度可靠性探讨

对金属圆帽外壳引线强度进行了探讨。通过引线抗拉、抗弯强度的一系列试验，得出了引线根部抗弯曲角度有一定的局限性。针对电路装配中出现的引线弯曲折断问题，研制出了引线弯曲实用模具，解决了电路装配中的难题。     

马可尼在沪建立下一代网络中心

马可尼有限公司日前在上海为其“下一代网络亚太区卓越中心”举行了隆重的揭幕仪式。此举再次显示出马可尼致力于中国下一代网络发展的承诺和决心。     

新概念下的Sn掺杂(La1-xSrx)2Cu1-xSnxO4超导体的MÖssbauer谱研究 *

对新概念指导下而设计的 (La_1-xSr_x)2Cu_1-xSn_xO₄超导体进行了¹¹⁹Sn M_Össbauer谱研究 .对不同掺杂量样品的系统研究表明 ,M_Össbauer谱实验结果进一步证实了Sn以Sn⁴⁺价态存在并占据Cu晶位 ,不存在占据La晶位的Sn^{2 +}离子 .Sn⁴⁺离子附近的局域晶格畸变较小 ,但是随Sn掺杂量有增加趋势 .在对La₂ CuO₄母体进行Sr和Sn同时掺杂所引入的载流子对超导电性的影响存在新的机制 .在新的额外氧机制下 ,讨论了Sn掺杂所导致的额外氧对超导电性的影响 .     

1.5MHz高频开关电源变压器的设计方法

详细地论述了1．5MHz高频开关电源变压器设计全过程。该变压器可用于推挽正激等拓扑结构。文章介绍了变压器对高频开关电源的影响,分析了变压器磁芯的特性及变压器的设计方法。