离子注入的砷化镓微波场效应晶体管

用硫离子直接注入掺铬半绝缘衬底作成沟道区,制成了砷化镓微波场效应晶体管,这样就避免了生长外延层。这一离子注入法已用于制作0.25微米厚、厚度及载流子浓度均匀的n型层,对不同的样品载流子迁移率在2410～3620厘米2/伏·秒范围。由于均匀性好,用此注入层制作的场效应晶体管同一个片子上各个管芯的跨导和夹断电压重复性好,其偏差不超过±10％。通常,掺铬的砷化镓满足于制作场效应晶体管,然而为了获得最高的迁移率希望铬的补偿最小。表征微波特性的S参数测量推算出f_(max)=20千兆赫,然而因阻抗失配和管壳参量的影响,传输增益大约在7千兆赫截止。     

GaAs中 Si~+离子注入的研究及器件制造

本文简单地介绍了在国内我们最早开展的 GaAs 中 S~+、O~+、Si~+等离子注入的研究及其在研制 GaAsMES FET 系列中的应用情况。着重分析了自1979年以来我们在半绝缘 GaAs 衬底上 Si~+离子注入形成 n 型有源层和制备 n~+区的实验结果。讨论了器件研制的初步结果。     

何祚庥院士和理论物理研究所

何祚庥先生是《物理》杂志第一任主编。今年适逢何先生80华诞,本刊特邀约中科院理论物理研究所学术委员会主任欧阳钟灿和本刊副主编刘寄星撰文祝贺。感谢何先生为《物理》所做的贡献,祝何先生健康长寿。     

对八六年一道高考试题的解法探讨

在这篇短文里,我们对一九八六年高考第五题的解法进行一些探讨,并寻找讨论该题的更一般情形。题;如图,在直角坐标系中,在y轴的正半轴(坐标原点除外)上给定两点A、B,试在x轴的正半轴(坐标原点除外)上求点C,使∠ACB取得最大值。解法1 设点A(0,a)、B(0,b)(a>b>O) C(x,0)(x>O) ∠ACB∈(0,π/2) ∵ k_(CB)=-b/x,k_(CA)=-a/x。     

采用PLD快速低成本地设计SONET

用户对更大带宽的需求加速了网络主干容量的增长速度,但其对网络边缘系统的影响更为深远。为保持竞争力,开发网络边缘产品的通信系统制造商需要快速地进行系统开发,以支持不断增长的接入服务,包括新的服务,如DSL和电缆MOD-EM,以及现有的56kbps拨号业务和商业用户采用的传统T/E载波业务。 在这些传输介质之上,需要支持一系列不同的协议,包括帧中继、     

聚合物点:合成方法、性能及光学应用进展EI北大核心CSCD

聚合物点由于具有易调控的光电特性一直备受相关领域研究者们的关注。作为一种新型碳基纳米材料,聚合物点的分类、合成方法及性能仍缺乏较为系统的总结。本篇综述根据聚合物点的结构,将其分为共轭聚合物点和碳化聚合物点,主要围绕两种聚合物点的定义、合成方法及发光机理进行了讨论。此外,本文还对聚合物点近年来的光学应用进行了总结,包括生物成像和荧光标记、药物和基因传递、传感、光电器件、光催化和防伪等。     

一种内引线键合脱键失效模式及其预防

通过对硅铝丝超声键合机理及键合检验方法的介绍，针对单片集成电路加工过程中到的键合脱键失效模式，详细叙述了分析过程，找出了键合脱键的失效原因，提出了预防失效的方法。     

运营商灾害面前显身手——河南联通：“海棠”发飚，齐心协力保畅通

进入七．八月份以来．受“海棠”、“麦莎”等灾害性天气的影响．各地通信设备及维护工作正经受着一场严峻的考验。在这场自然灾害的考验面前．广大地方运营企业纷纷采取各种措施积极应对．有效避免了灾害天气可能带来的通信不畅及由其可能造成的重大损失等问题．为把灾害损失减少到最低限度贡献了智慧与力量．为我们上演了一幕幕可歌可泣的地方运营商抗击灾害天气的感人事迹。[编按]     

爱立信收购马可尼通信设备和国际业务部门

马可尼公司日前宣布．同意转让其通信设备及大部分国际业务给爱立信．而马可尼将更名为telentplc．以反映其专注于成为一家专门为电信运营商和企业客户服务的服务提供商。同时，它将继续保留在伦敦股票交易所的上市资格。telent将是爱立信在英国的首选合作伙伴。