同步泵浦可调谐超短脉冲双路激光器

本文报导了用主动-被动锁模磷酸盐钕玻璃激光器的二次谐波泵浦两路染料激光器,获得超短脉冲的实验结果。     

强脉冲X射线辐照Si-SiO2界面对C-V 和I-V特性曲线的影响

 利用强脉冲X射线对Si-SiO₂界面进行了辐照，测量了C-V曲线和I-V曲线。实验发现，经过强脉冲X射线对Si-SiO₂界面进行的辐照，使C-V曲线产生了正向漂移，这一点与低剂量率辐射结果不同；辐射后，感生I-V曲线产生畸变；特别地，从I-V曲线上还反映出强脉冲X射线辐照的总剂量效应造成电特性 参数明显退化，最后甚至失效。讨论了强脉冲X射线辐照对Si-SiO₂界面产生损伤的机理，并对实验结果进行了解释。     

一种测试压力传感器容腔动态特性的简易方法

本文介绍了一种压力负阶跃的简便发生方法来得到压力传感器容腔的动态特性。用撞针击刺一个充满空气的薄膜球,使薄膜球爆破,压力突然回零。带有管道一腔室的压力传感器与该薄膜球相连,通过动态应变仪,在SC—10型光线示波器上可以得到相应的回零过渡过程曲线。对于不同的传压管径、传压管长度和腔室容积,得到不同阻尼的衰减振荡曲线以及过阻尼时呈单调衰减的回零过程曲线。对实验曲线进行数据处理,求得对应的频率特性,从而可以得出该容腔在各种不同幅值误差要求下的使用频带。     

初中三年級下學期物理课教材分配計劃

我們繼續着本通報54年7月號和8月號所發表的初中三年級上學期物理課教材分配計劃,现在再把初中三年級下学期物理課的教材分配計劃编寫出来,供同志們參考。 這學期的教学時數是34小時,擬分配如下: 第一課 電流的磁場(第50節) 第二課 螺線管的性質和電磁鐵(第51、52节) 第三課 電鈴和电报原理(第53、54節) 第四課 簡单的電報裝置和電话(第54、56節) 第五課 通電導體在磁場中的运動(第66、67節) 第六課 電動機(第58节) 第七課 學生實驗:安裝電動機模型,並實驗它的動作(第59節)     

4千兆赫1瓦晶体管

一、引言千兆赫频带功率管的进展非常显著,最近终于出现了4千兆赫下输出5瓦、增益为4分贝的晶体管。几乎在同时,我们也报导了在4千兆赫下输出1瓦,增益为5分贝的FT1706型晶体管的研究工作。研究千兆赫频带功率晶体管时,需要解决的特殊问题是:(1)减小发射极陷落效应(简称EDE),(2)减小半导体管壳的寄生参量。其中,我们特别注重前者,由于减小了EDE,就得到在4千兆赫下输出1瓦的晶体管。同时,使用了进一步改进的减小公共端电感和输入输出端反馈电容的同轴管座。众所周知,如用磷做发射极掺杂,则将显著发生EDE,这样不仅不能减薄基区宽     

计算机可否模拟人脑?

据说,一个国家的央行降息之后,可以假设一般银行的存款利率将会降低。利率降低之后,大家“存钱的愿望”也会降低(因为此时利息的收入变得不好啦!),于是有钱的人(不见得是“富有”,而是有闲钱、余钱的人),会把钱转而投资在投资报酬率更高的投资方式,可能是投资股票、国债……等等?也就是说,“降息”是一种“刺激内需”的行为。反过来说,如果社会需求过大,所谓的“热钱”、“滥头寸”太多,     

温度场中非线性弹性地基上矩形薄板的主共振-主参数共振

为了研究温度场中非线性地基上矩形薄板受简谐激励的主共振-主参数共振问题,应用弹性力学理论建立其动力学方程,应用Galerkin方法将其转化为非线性振动方程.利用非线性振动的多尺度分析方法求得系统主共振-主参数共振的近似解,并进行数值计算.分析温度、地基系数、阻尼、几何参数、激励等对系统主共振-主参数共振的影响.得到了随参数变化响应曲线的变化规律.