深部变形监测在高速公路滑坡治理设计中的应用

滑坡灾害在山区高速公路工程施工过程中时有发生,给施工安全和工期均带来了很大影响.通过对湖北宜巴高速公路雷家坡滑坡布置深部变形监测设施,综合分析深部变形监测成果,对滑坡的滑带深度、滑动方向和滑动规律等作出较为准确的判断和预测,弥补了钻探资料的不足,为滑坡的稳定性分析和治理设计及时提供了可靠的参数.深部监测成果表明,利用钻孔测斜仪进行深部变形监测是掌握滑坡变形特征的一种可靠的便捷手段,其成果为滑坡体治理措施的制定和方案的选取提供了重要的参考依据.     

一种改进的免疫算法研究及其应用

针对传统免疫算法收敛速度慢、参数设置复杂和亲和度计算存在误差等缺点,采用抗体间探测半径Rprobe度量抗体浓度的策略,提出一种改进的免疫算法,该算法将抗原和抗体分别对应于解空间X和一个解xi,把X分成Kopt个簇,每个簇首xopt以Rprobe为半径的范围内向所有xi发送消息来感知其周围抗体,其抗体浓度计算方法可以实现实数非均匀变异,可以提高算法的收敛速度和从局部最小中逃逸的能力.     

重离子束对北里链霉菌的诱变效应

考察不同剂量重离子束对北里链霉菌的致死及诱变效应, 可确定最有利于筛选高产菌株的重离子束辐照剂量。 利用不同剂量的重离子束辐照北里链霉菌孢子, 统计了存活率、 致死率、 正负突变率。 结果发现, 在5 Gy重离子辐照时北里链霉菌出现较高致死率, 其后随剂量升高, 致死率变化较平缓。 各辐照剂量下正负突变率相比较, 40 Gy时正突变率最高, 负突变率相对较低, 存活率为0.92%。 因此确定40 Gy是对北里链霉菌高产菌株筛选最有利的辐照剂量。 To define the optimum dose of heavy ion beams for selecting high productive strains, we should study mortality and mutation effects of Streptomyces kitasatoensis irradiated by heavy ion beams in diffe rent doses. In this research, spores of Streptomyces kitasatoensis were irradiated by heavy ion beams with different doses. And survival rate, mortality rate, positive mutation and negative mutation were analyzed statistically. The results showed that high mortality rate appeared from 5 Gy and then the mortality rate curve became gently. Compared the positive and negative mutations in different doses, highest positive mutation was obtained in 40 Gy, while the negative mutation was lower in this dose, and the survival rate was 0.92%. So we defined that optimum dose of heavy ions radiation for Streptomyces kitasatoensis selection was 40 Gy in this experiment.     

基于Gabor滤波器和局部纹理特征提取的SAR目标识别算法

该文提出了一种基于Gabor滤波器和Three-Patch Local Binary Patterns(TPLBP)局部纹理特征提取的合成孔径雷达(Synthetic Aperture Rader, SAR)图像目标识别算法。首先, 利用Gabor滤波器对SAR图像在不同方向上进行滤波, 增强SAR图像中目标及其阴影的关键特征;然后, 利用TPLBP算法对Gabor滤波之后的图像进行局部纹理特征提取, 该算法克服了Local Binary Patterns(LBP)算法无法描述大范围领域纹理特征的缺陷, 并且保持了LBP旋转不变的特性, 减少了SAR图像目标方位变化对识别效果的影响;最后利用极限学习机(Extreme Learning Machine, ELM)分类器实现目标识别。该文通过MSTAR数据库中的3类SAR目标识别实验验证了该算法的有效性。      

α-芳基-α-羟基酮(酯)与全氟烷基磺酰氟/甲基三乙氧基硅烷/碱体系不期望的氧化反应

研究了全氟烷基磺酰氟/甲基三乙氧基硅烷/碱体系与α-芳基-α-羟基酮(酯)化合物不期望的氧化反应, 以中等到优良的收率生成了相应的1,2-二酮(α-酮酸酯)产物. 所用全氟烷基磺酰氟为全氟正丁基磺酰氟或全氟正辛基磺酰氟; 碱为1,8-二氮杂二环[5.4.0]十一碳-7-烯(DBU). 提出了一种可能的反应机理. 为制备芳基取代的1,2-二酮(或α-酮酸酯)化合物提供了一种新方法.     

理论空燃比天然气汽车尾气中H2O和O2对CH4与NO反应的影响

共沉淀法制备CeZrYLa+LaAl 复合氧化物载体, 等体积浸渍法制备了Pt 催化剂, 用于研究理论空燃比天然气汽车(NGVs)尾气净化反应中CH₄与NO的反应规律. 并考察了10% (体积分数, φ)H₂O和计量比O₂对CO₂存在时的CH₄+NO反应的影响. 结果表明: 对于不同条件下的NO+CH₄反应, 主要生成N₂和CO₂, 高温区有CO生成. 低温区无O₂时可以生成N₂O, 有O₂时可以生成NO₂; 添加10% (φ)的H₂O后, CH₄ 转化活性降低, NO转化活性基本不变, 这是由于H₂O减弱了CH₄与CO₂的重整反应, 但是对CH₄与NO的反应基本没有影响; 添加计量比的O₂后, CH₄转化活性提高, 而NO转化活性降低, 这是由于O₂和NO之间存在竞争吸附, CH₄被O₂氧化为主要反应, 从而减弱了NO的转化; 同时添加计量比的O₂和10% (φ) H₂O, CH₄与CO₂的重整反应受到抑制,CH₄与NO的反应、甲烷蒸汽重整反应和甲烷被O₂氧化反应同时发生, CH₄和NO的转化活性均提高.     

Zr的添加对稀燃天然气汽车尾气净化催化剂Pd-Pt/Al2O3性能的影响

Pd-Pt双金属基甲烷氧化催化剂的催化活性、抗水热老化性和耐硫性在一个通有模拟稀燃天然气汽车尾气成分的固定床反应器中进行检测.研究发现Zr掺杂的Pd-Pt/Al₂O₃ (Pd-Pt/Zr_xAl_(1-x)O_(3+x)/2)提高了催化的催化活性、抗水热老化性和耐硫性.以共沉淀法制备Zr : Al的摩尔比分别为0 : 1、0.25 : 0.75、0.5 : 0.5、0.75 :0.25和1 : 0的材料为载体材料.双金属催化剂的活性组分分别为1.5% (w,质量分数)的Pd和0.3% (w)的Pt,活性组分Pd、Pt通过共浸渍的方法浸渍到以上载体材料上制备得到一系列整体式催化剂.分别采用低温N₂吸脱附、X射线衍射(XRD)、H₂程序升温还原(H₂-TPR)、O₂程序升温氧化(O₂-TPD)及X射线光电子能谱对制备的催化剂进行表征.结果显示Zr的加入使催化剂的载体材料结晶度提高,活性组分的分散度也得到了相应的提高.同时二价Pd物种与周围电子密度分别增加.相比于Pd-Pt/Al₂O₃和Pd-Pt/ZrO₂催化剂,在不同条件预处理后, Zr的添加对催化剂的性能有明显的提高,其中催化剂Pd-Pt/Zr_0.5Al_0.5O_1.75展现了最好的催化活性、抗水热老化性以及耐硫性.     

氟烷磺酰氟/双氧水/碱/丙酮体系与苄醇衍生物的氧化反应

研究了氟烷磺酰氟/双氧水/氢氧化钠/丙酮体系与6个苄醇衍生物的氧化反应, 其中氟烷磺酰氟包括HCF₂CF₂OCF₂CF₂SO₂F, n-C₄F₉SO₂F和n-C₈F₁₇SO₂F. 最优反应条件为n(苄醇衍生物): n(氟烷磺酰氟): n(双氧水): n(氢氧化钠)=1: 4: 8: 8, 溶剂为丙酮, 反应温度为20℃, 反应时间为24 h. 产物酮的收率为23% ~92%. 探讨了该氧化反应的机理, 原位生成的氟烷基过氧磺酸中间体可将丙酮氧化为二甲基二氧杂环丙烷, 进而将反应体系中共存的苄醇衍生物氧化成相应的产物酮. 氟烷磺酰氟/双氧水/氢氧化钠/丙酮体系原位生成的二甲基二氧杂环丙烷氧化苄位羟基的能力和传统的Oxone/CH₃COCH₃体系相当. 本研究提供了一种新颖的原位制备二甲基二氧杂环丙烷的方法.     

PEDOT:PSS Schottky contacts on annealed ZnO films

Polycrystalline ZnO and ITO films on SiO₂ substrates are prepared by radio frequency (RF) reactive magnetron sputtering. Schottky contacts are fabricated on ZnO films by spin coating with a high conducting polymer, poly(3, 4-ethylenedioxythiophene): poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) as the metal electrodes. The current-voltage measurements for samples on unannealed ZnO films exhibit rectifying behaviours with a barrier height of 0.72 eV (n=1.93). The current for the sample is improved by two orders of magnitude at 1 V after annealing ZnO film at 850 ℃, whose barrier height is 0.75 eV with an ideality factor of 1.12. X-ray diffraction, atomic force microscopy and scanning electron microscopy are used to study the properties of the PEDOT:PSS/ZnO/ITO/SiO₂. The results are useful for applications such as metal-semiconductor field-effect transistors and UV photodetectors.