全文获取类型
收费全文 | 2459篇 |
免费 | 442篇 |
国内免费 | 632篇 |
专业分类
化学 | 848篇 |
晶体学 | 31篇 |
力学 | 81篇 |
综合类 | 72篇 |
数学 | 221篇 |
物理学 | 804篇 |
无线电 | 1476篇 |
出版年
2024年 | 34篇 |
2023年 | 76篇 |
2022年 | 109篇 |
2021年 | 109篇 |
2020年 | 100篇 |
2019年 | 97篇 |
2018年 | 80篇 |
2017年 | 72篇 |
2016年 | 98篇 |
2015年 | 102篇 |
2014年 | 189篇 |
2013年 | 152篇 |
2012年 | 160篇 |
2011年 | 164篇 |
2010年 | 160篇 |
2009年 | 192篇 |
2008年 | 156篇 |
2007年 | 142篇 |
2006年 | 136篇 |
2005年 | 152篇 |
2004年 | 127篇 |
2003年 | 115篇 |
2002年 | 91篇 |
2001年 | 118篇 |
2000年 | 84篇 |
1999年 | 64篇 |
1998年 | 57篇 |
1997年 | 63篇 |
1996年 | 29篇 |
1995年 | 36篇 |
1994年 | 35篇 |
1993年 | 31篇 |
1992年 | 32篇 |
1991年 | 34篇 |
1990年 | 20篇 |
1989年 | 26篇 |
1988年 | 8篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 22篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 17篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 8篇 |
1981年 | 7篇 |
1980年 | 3篇 |
1979年 | 2篇 |
1965年 | 1篇 |
1962年 | 1篇 |
1959年 | 1篇 |
1958年 | 1篇 |
排序方式: 共有3533条查询结果,搜索用时 15 毫秒
111.
112.
正弦变化的振幅型光瞳滤波器 总被引:6,自引:0,他引:6
光瞳滤波器作为实现超分辨的基本元件之一,它的设计以及制作都非常重要。设计了一种正弦变化的振幅型光瞳滤波器,可以通过调节少量的参量实现各种不同的超分辨模式。选择正弦函数的周期以及光瞳中心点透过率变化两个参量来实现对最终超分辨效果的调节。数值计算结果表明:在整个人射光瞳上的透过率瞳函数分布具有0.5~2个正弦振幅周期时,较为合适。小于0.5个周期将不会有任何超分辨效果,大于2个周期超分辨效果反而变差。数值计算中还注意到,当周期数为整数时,斯特雷尔比将保持0.25不变。对正弦变化振幅型光瞳滤波器的计算结果,显示了其特殊的性质,对实际中制作正弦变化振幅型光瞳滤波器有一定的指导作用。 相似文献
113.
114.
阿莫西林的荷移光谱测定方法研究 总被引:6,自引:0,他引:6
在丙酮介质中阿莫西林与 7,7,8,8-四氰基对二次甲基苯醌 (TCNQ)荷移反应 ,形成 1∶ 1络合物 ,在74 4nm和 84 5 nm处有较强光吸收 ,表观摩尔吸光系数分别为 1.2× 10 4L· mol-1· cm-1和 1.8× 10 4L·mol-1· cm-1,阿莫西林的浓度在 10— 15 0 mg· L-1范围内符合比耳定律。在乙醇介质中 ,阿莫西林与对苯醌 (p- BQ)反应 ,形成 1∶ 1络合物 ,最大吸收波长为 4 80 nm,表观摩尔吸光系数为 1.92× 10 3 L· mol-1·cm-1。阿莫西林的浓度在 2 0— 2 0 0 mg·L-1范围内符合比耳定律。两种方法相对标准偏差分别为 1.2 %和1.5 % (n=8) ,用于测定阿莫西林制剂的含量 ,结果与标准方法一致。 相似文献
115.
为了测量喷气箍缩等离子体X射线的空间分辨光谱,利用椭圆聚焦原理,研制了一种椭圆晶体谱仪.分别利用Si(111)、Mica(002)椭圆晶体作色散元件,离心率均为0.9480,布喇格角为30~67.5°,光谱信号采用半径为50mm的半圆形胶片接收,从等离子体源经晶体到胶片的光路长为1430mm.在“阳”加速器装置上进行摄谱验证实验,成功获取了氩喷气等离子体X射线的光谱.测量光谱波长与理论值相符,其中Si弯晶获得的光谱分辨率(λ/△λ=200~300)低于Mica弯晶获得的光谱分辨率(λ/△λ=500~700).实验结果表明,该谱仪适合于喷气箍缩等离子体X射线的光谱学研究. 相似文献
116.
A novel silicon-on-insulator(SOI) high breakdown voltage(BV) power device with interlaced dielectric trenches(IDT) and N/P pillars is proposed. In the studied structure, the drift region is folded by IDT embedded in the active layer,which results in an increase of length of ionization integral remarkably. The crowding phenomenon of electric field in the corner of IDT is relieved by the N/P pillars. Both traits improve two key factors of BV, the ionization integral length and electric field magnitude, and thus BV is significantly enhanced. The electric field in the dielectric layer is enhanced and a major portion of bias is borne by the oxide layer due to the accumulation of inverse charges(holes) at the corner of IDT.The average value of the lateral electric field of the proposed device reaches 60 V/μm with a 10 μm drift length, which increases by 200% in comparison to the conventional SOI LDMOS, resulting in a breakdown voltage of 607 V. 相似文献
118.
119.
利用一台毛细管快放电X射线激光装置.研究了预脉冲作用下氩气和氦气在10~120Pa压强范围内对毛细管放电的击穿特性。实验结果表明只有10~15kV放电电压才能将内径为3mm.长度为90mm的毛细管中10~120Pa的氩气击穿,同时电极表面的形态对击穿电位也有较大影响。对预、主脉冲作用下毛细管放电规律及Z箍缩过程中阻抗变化规律进行了研究,发现不同长度的氩气柱在箍缩过程中的阻抗变化趋势基本相同。不同长度、不同放电电压情况下,毛细管阻抗均达到最小值5n左右.同时电流达到峰值。该结果为在相同放电电压下.对不同长度毛细管放电获得相同的电流峰值提供了可能。 相似文献
120.