用于宽带光纤用户网的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED

本文设计并制作了带有集成透镜的高速1.3μm InGaAsP/InP DH LED.器件的调制带宽达425MHz,与梯度折射率多模光纤的耦合效率高达7.5％,适用于四次群以上的宽带光纤通讯系统,在未来的宽带ISDN中将发挥重要作用.     

采用PLL技术的合成频率源设计

介绍分频锁相频率合成技术.通过对锁相环工作过程及相位噪声等的基本原理的分析,采用PLL技术成功设计了1.8 GHz锁相频率源.在该锁相源中分频鉴相器采用ADI公司的ADF4118,VCO采用M/A-COM公司的ML081100-01850,低通环路采用三阶RC低通滤波器.其相位噪声为-75dBc/kHz、杂散抑制为-85dBc.实验测试获得了较好的技术指标,能满足现代移动通信C网和G网射频子系统对本振源的要求.     

特征选择验证方法：原理、应用及最新进展

随着电磁建模技术的发展,计算机电磁建模与仿真验证得到了国内外相关研究领域的广泛重视。近年来,定量评估电磁建模数据差异的特征选择验证( FSV )方法迅速成为研究热点,并被IEEE1597.1&1597.2标准确立为电磁建模与仿真验证的核心算法。介绍了FSV方法的基本原理和验证流程、在电磁建模与仿真验证中的典型应用以及最新的研究进展,深入剖析了FSV方法的研究热点与发展趋势,旨在为国内相关领域学者提供参考。     

雷达导引头斜投影抗质心干扰性能分析

箔条、角反射器等质心干扰诱使雷达导引头目标指示角偏离目标,导致导弹脱靶.为了解决这一问题,该文利用目标与干扰极化状态的差异性,通过目标、干扰极化相位描述子构造出斜投影算子,然后采用斜投影处理来抑制雷达导引头质心干扰.鉴于实际中目标、干扰极化状态难以准确估计,重点分析了目标、干扰极化相位描述子估计误差对斜投影输出目标、干扰信号的影响,推导得到了斜投影输出目标、干扰信号误差解析表达式;在此基础上,进一步推导得到了斜投影输出干信比、单脉冲比误差与目标、干扰极化相位描述子估计误差之间的关系式.理论分析与仿真结果表明,斜投影处理后的雷达导引头测角误差与目标极化相位描述子估计误差无关,与干扰极化相位描述子估计误差有关;干扰极化相位描述子估计误差在-10度到10度范围内时,斜投影仍具有一定的干扰抑制能力,有助于提高导引头的测角精度.     

一种基于FFT和对称性的目标运动补偿新方法

运动补偿是频率步进雷达应用中的难点之一,文中首先分析了频率步进雷达多普勒效应对距离像的影响,并根据频率步进雷达中常见运动补偿方法的优缺点,提出了一种运用快速傅里叶变换（FFT）处理和频谱的对称性相结合进行速度估计和补偿的方法,并对单散射点和多散射点模型的速度估计原理进行了分析和推导,解决了多散射点模型中交叉项对速度估计影响的问题。理论分析和计算机仿真结果表明,该方法具有可行性,并兼有测速精度高、运算量小、抗噪声性能较强的优点。     

5G核心网部署及演进方案

首先结合国内运营商的 5G 商用情况分析了非独立（non-standalone,NSA）组网的劣势,建议控制NSA投入,以独立（standalone,SA）组网为目标开展5G网络建设;然后基于5G核心网标准进展及R16标准的主要变化,分析5G SA核心网商用部署及后续2G/4G/5G融合演进规划部署建议,包含5G边缘计算节点的商用部署建议以及后续的规划建设建议。建议以终为始、尽早统筹开展2G/4G/5G融合组网规划建设,以有效保护投资、降低组网和维护复杂度,实现控制面全云化部署、用户面分布式下沉部署的目标架构;为5G SA核心网建设提供参考借鉴。     

基于超级电容下城轨车辆再生能量存储利用系统的研究

为适应不同电压等级的城市轨道交通供电系统,提出了一种新型模块化储能系统设计方案;以超级电容储能技术为基础,结合半桥型Buck/Boost双向DC/DC变换器,采用恒流反馈和飞渡电容均压控制策略,实现高效稳定的储能模块设计;最后利用MATLAB/Simulink建立了模块化储能系统的仿真平台,验证了储能模块设计的可行性以及控制策略的合理性。     

基于纯有机电致发光器件实现红外至可见光信号上转化

在有机红外光敏剂掺杂的有机电致发光器件(OLED)中实现近红外光信号到可见光的上转化,为大面积柔性有机红外上转化器件提供一种原型设计.     

浅析吹灰器在锅炉设备中的应用

蒸汽吹灰器是锅炉本体部分的重要辅机之一,吹灰工作是锅炉机组运行安全性和经济性的重要保证。但吹灰也是一把双刃剑,吹灰不当会对锅炉受热面造成伤害。本文就此类事故发生的概况分析及防范措施。     

铝丝阵Z箍缩电子温度径向轮廓研究

利用均匀色散云母弯晶分析器,在"阳"加速器上测量了铝丝阵Z箍缩等离子体的时间积分X射线光谱。采用碰撞辐射模型,通过测量Al的Ly-α/He-α以及Ly-β/He-ε的强度比推断出平均电子温度,分别为512eV和489eV。针对记录的连续辐射,由连续谱斜率拟合得到了等离子体核心电子温度为1215eV。对圆柱箍缩温度径向轮廓的研究表明,此次聚爆实验的电子温度从箍缩轴心向外缘近似线性降低。谱线强度比法是诊断平均电子温度的有效手段,而连续谱拟合法为诊断铝丝阵箍缩核心区的等离子体电子温度提供了重要信息。