芯片叠层封装的失效分析和热应力模拟

通过高温高湿加速实验对双芯片叠层封装器件的失效进行了研究,观察到存在塑封料与上层芯片、BT基板与塑封料或贴片胶的界面分层和下层芯片裂纹等失效模式．结合有限元分析对器件内热应力分布进行了计算模拟,分析了芯片裂纹的失效机理,并从材料性能和器件结构角度讨论了改善叠层封装器件可靠性的方法．     

血卟啉醚衍生物的核磁共振研究

用核磁共振方法研究了近三十个新的血卟啉醚的结构，对１Ｈ－ＮＭＲ谱进行了归宿，讨论了取代基结构对卟啉化学位移的影响。     

甲基砜基二苯乙烯衍生物的非线性光学特性研究

用非线性光学活性基团理论计算了甲基砜基二苯乙烯衍生物的微观二阶非线性光学极化率，并且测定了其粉末倍频强度，结果表明此类分子具有较好的二次非线性光学特性，有可能在其中找有用的有机非线性光学材料。     

咔唑取代二苯乙烯基芳烃的制备及其电致发光特性

Novel blue organic electroluminescent materials with improved hole transporting ability were synthesized by incorporating carbazoles into distyrylarylene (DSA). The new carbazole substituted DSA derivatives (CDSA) were characterized by ^1H NMR, IR, MS and elemental analysis. The luminescent characteristics of CDSA were investigated. Two types of blue light emitting diodes were constructed from CDSA: ITO/NPB/CDSA/PBD/LiF/Al and ITO/CDSA/PBD/LiF/Al.     

有机硅活性中间体的研究——Ⅳ.光化学方法产生环丙基苯基硅烯及其反应

含有环丙基的硅烯和卡宾具有特殊的反应性能。例如,当环丙基卡宾生成后,会发生重排和碎裂(fragmentation),经过两个独立的协同过程,分別生成环丁烯衍生物和含碳-碳叁键的乙炔衍生物。由此引起了我们研究含环丙基硅烯的兴趣。     

FeNi合金UBM圆片级封装焊点剪切力研究

FeNi合金与无铅焊料反应速率低,生成的金属间化合物(IMC)较薄,有望作为圆片级封装(WLP)凸点下金属(UBM)层材料.对两种FeNi UBM以及一种Cu UBM圆片级封装样品进行回流、湿热以及预处理实验,并通过推球的方法,对其焊点进行剪切测试.通过断面与截面分析,研究其在不同处理条件下的金属间化合物生长情况,分析其断裂模式.结果表明,FeNi UBM焊点剪切力高于Cu UBM.Fe47Ni UBM与焊料反应生成的金属间化合物较薄,对于剪切力影响较小,而Fe64Ni UBM与焊料反应生成离散的CuNiSn金属间化合物,对于其焊点强度有提高作用,Cu UBM与焊料反应生成较厚的金属间化合物,会明显降低焊点的剪切力.断面分析表明,Cu UBM会随焊球发生断裂,其强度明显小于FeNi UBM.