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231.
传统的傅立叶变换适合确定一个函数奇异性的整体性质,而难以确定奇异点在空间的位置及分布情况.小波变换具有在时域和频域局部放大的性质,在工程中获得广泛应用.由于曲率模态具有较高的灵敏度,仅仅需要较低阶的模态信息就可获得很好的识别效果.本文据此提出了采用损伤前后曲率模态残差小波变换系数方法对结构损伤进行识别,通过该小波变换系数的分布情况来确定结构的损伤指标.为验证该方法的有效性,通过选用具有线性相位的双正交样条小波,对一梁结构进行了数值模拟.结果表明,采用该方法不但对单一损伤而且对多损伤均能有效地识别出结构的损伤位置. 相似文献
232.
针对现有知识约简算法中存在的不完备性问题,提出了一种基于粒度熵的启发式知识约简算法,将该算法应用于电力变压器故障诊断决策表的约简,避免了选择约简集的盲目性,同时也大大提高了故障诊断的效率。 相似文献
233.
提出一种新的指纹图像增强算法。先得到指纹图像的连续方向图,再根据此方向图设计方向滤波模板进行滤波,最后得到指纹的二值化图像。实验结果表明,该算法简单有效,运算速度快,为指纹的特征提取和识别奠定了坚实的基础。 相似文献
234.
235.
设计并制作了一款L-S波段宽带限幅低噪声放大器。测试结果表明,该放大器在1~3GHz工作频带内最大噪声系数NF≤1.4dB,增益≥29dB,带内增益平坦度≤±0.6dB,输入输出驻波比≤1.5,在大功率占空比为10%、脉冲功率100W下正常工作。经过验证该放大器工作性能良好可靠。 相似文献
236.
提出一种采用多输入浮栅MOS管设计具有可控阈值功能的电压型多值逻辑电路的方法.对每个浮栅MOS管的逻辑功能均采用传输开关运算予以表示以实现有效综合。在此基础上提出了一种新的电压型多输入浮栅MOS四值编码器和译码器设计。所提出的电路在结构上得到了非常明显的简化,并可采用标准的双层多晶硅CMOS工艺予以实现。此外,这些电路具有逻辑摆幅完整、延迟小等特点。采用TSMC0.35μm双层多晶硅CMOS工艺参数的HSPICE模拟结果验证了所提出设计方案的正确性。 相似文献
237.
采用格子Boltzmann-虚拟区域方法对多颗粒在牛顿流体中沉降的过程进行了直接数值模拟,颗粒之间的碰撞采用弹性力模型。考察了颗粒初始间距、雷诺数对颗粒沉降形态及沉降速度等的影响。结果表明,奇数与偶数颗粒群的沉降形态及沉降速度差异较大。对于奇数颗粒群(5个),当雷诺数较低时颗粒群呈"凹"形沉降,而当雷诺数增大时中间颗粒会脱离颗粒群,剩下的颗粒群或呈"凹"形或呈"凸"形,这与初始间距有关,文献中仅获得雷诺数较低时的情况。对于偶数颗粒群(6个),当雷诺数较小时呈"凸"形沉降,而当雷诺数增大时颗粒会发生"DKT(DriftingKissing-Tumbling)"现象,且当初始间距增大时发生"DKT"的对象不再是靠近壁面的颗粒对,已有文献中没有观察到这一现象。 相似文献
238.
239.
A pure spin-current injector of semiconductor quantum dots with Andreev reflection and Rashba spin-orbit coupling
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We propose a four-terminal device consisting of two parallel quantum dots with Rashba spin-orbit interaction (RSOI), coupled to two side superconductor leads and two common ferromagnetic leads, respectively. The two ferromagnetic leads and two quantum dots form a ring threaded by Aharonov-Bohm (AB) flux. This device possesses normal quasiparticle transmission between the two ferromagnetic leads, and normal and crossed Andreev reflections providing conductive holes. For the appropriate spin polarization of the ferromagnetic leads, RSOI and AB flux, the pure spin-up (or spin-down) current without net charge current in the right lead, which is due to the equal numbers of electrons and holes with the same spin-polarization moving along the same direction, can be obtained by adjusting the gate voltage, which may be used in practice as a pure spin-current injector. 相似文献
240.
Using C programming language, we have simulated the flux creep process in nonideal type-Ⅱ superconductors. Global and local magnetization curves are calculated and the logarithmic time dependence of local magnetic induction B under a constant external field is examined. The effects of nonuniform pinning potential and self-organized criticality (SOC) model on the simulations are discussed. The results show that the main feature of flux creep is the relaxation effect. The form of hysteresis loops is dependent on the magnetic field sweep rate. SOC can account for the occurrence of fluctuation to a certain extent and nonuniform pinning potential can enhance the fluctuation. 相似文献