分子对接模拟与多光谱法研究二水土霉素和牛血清白蛋白的相互作用

在模拟生理条件下,采用荧光光谱法、三维荧光光谱法、圆二色谱法以及分子对接模拟法,研究了二水土霉素与牛血清白蛋白(BSA)之间的相互作用。荧光光谱表明,二水土霉素能有效猝灭BSA的内源荧光,猝灭机制属静态猝灭。根据Vant’s Hoff方程确定结合过程中的热力学参数ΔS、ΔH,表明两者之间作用为疏水作用力。根据Foster’s非辐射能量转移理论,计算得到结合距离r=2.56nm。同步荧光光谱、三维荧光光谱、圆二色谱结果证明盐酸四环素能够改变BSA的二级结构和微环境。分子对接模拟表明二水土霉素结合在BSA的site Ⅰ(亚域ⅡA)疏水腔中。     

多孔未极化Pb(Zr0.95Ti0.05)O3铁电陶瓷单轴压缩力学响应与相变

通过添加造孔剂的方法制备了四种不同孔隙率未极化PZT95/5铁电陶瓷. 采用非接触式的数字散斑相关性分析(digital image correltation, DIC)全场应变光学测量技术, 对多孔未极化PZT95/5 铁电陶瓷开展了单轴压缩实验研究, 讨论了孔隙率对未极化PZT95/5铁电陶瓷的力学响应与畴变、相变行为的影响. 多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷的单轴压缩应力-应变关系呈现出类似于泡沫或蜂窝材料的三阶段变形特征, 其变形机理主要归因于畴变和相变的共同作用, 与微孔洞塌缩过程无关. 多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷的弹性模量、压缩强度都随着孔隙率的增加而明显降低, 而孔隙率对断裂应变的影响较小. 预制的微孔洞没有改善未极化PZT95/5铁电陶瓷材料的韧性, 这是因为单轴压缩下未极化PZT95/5铁电陶瓷的断裂机理是轴向劈裂破坏, 微孔洞对劈裂裂纹传播没有起到阻碍和分叉作用. 准静态单轴压缩下多孔未极化PZT95/5铁电陶瓷畴变和相变开始的临界应力都随着孔隙率的增大而呈线性衰减, 但相变开始的临界体积应变却不依赖孔隙率.     

基于Eclipse平台的软件建模工具综述

Eclipse是一个开源平台,允许集成了众多开发插件。本文从软件建模的角度出发,介绍了最新的软件建模工具插件及特点,分析了软件建模过程。为广大涉及软件建模的研究和工作人员提供一个相关工具的汇总说明和指导。     

船载交流伺服系统检测平台可视化设计与实现

为进一步适应高频率出海任务,实现船载交流伺服电机的机下检测,设计并实现了船载交流伺服系统检测平台。简单介绍船载交流伺服系统检测平台工作原理,提出实现平台可视化的可行性;利用3DMAX建模软件和Unity3D仿真软件实现卫通天线三维建模、动态仿真及数据交互等关键技术;最后搭建船载交流伺服系统检测平台,测试和验证了数据交互和平台可视化的可靠性。     

碳纳米管/对氯四苯基锰卟啉修饰电极同时测定二羟基苯异构体

制备了碳纳米管/对氯四苯基锰卟啉修饰的玻碳电极,研究了三种二羟基苯异构体在该修饰电极上的电化学行为。由于碳纳米管独特的性能及与对氯四苯基锰卟啉特殊的协同效应,异构体在该修饰电极上的氧化峰电流均显著增大。利用差分脉冲伏安法(DPV)可同时检测三种异构体,在pH=6.5的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中,邻苯二酚(CC)、间苯二酚(RC)、对苯二酚(HQ)峰电流与其浓度分别在0.8～280.0μmol/L、1.5～85.0μmol/L和0.4～200.0μmol/L范围内呈良好的线性关系,其检出限分别为0.5μmol/L、1.0μmol/L和0.2μmol/L。该电极具有良好重现性和稳定性。     

电化学还原的氧化石墨烯修饰电极检测L-色氨酸

制备了氧化石墨烯修饰玻碳电极,并运用循环伏安法对氧化石墨烯进行了直接的电化学还原,研究了L-色氨酸在该电化学还原的氧化石墨烯修饰玻碳电极上的电化学行为。结果表明,L-色氨酸在该修饰电极上其氧化峰电流与裸玻碳电极相比增大了7.1倍,且峰电位负移80mV。利用差分脉冲伏安法,在pH=6.5的磷酸盐缓冲溶液中测定L-色氨酸,氧化峰电流与其浓度在0.4～65.0μmol/L范围内呈良好的线性关系,相关系数为0.998,方法检出限为0.2μmol/L。     

两个基于4-（1H-1，2，4-三氮唑）苯甲酸的稀土配位聚合物的合成、晶体结构及荧光性质

以4-（1H-1,2,4-三氮唑）苯甲酸为配体,采用水热法合成了2种稀土配位聚合物[Tb（tbc₃）（H₂O）₃]_n（1）和{[Nd（tbc₃）（H₂O）₃]·H₂O}_n（2）（Htbc=4-（1H-1,2,4-三氮唑）苯甲酸）。运用X-射线单晶衍射法对该配位聚合物进行了结构测定,并对其进行了元素分析、红外光谱、TG及荧光光谱表征。单晶结构表明,配位聚合物1为三斜晶系,空间群P1,配位聚合物2属于单斜晶系,空间群为P2₁/c。配位聚合物1和2均为一维链结构,均通过非共价键作用形成三维超分子构造。     

Sign reversal of anisotropic magnetoresistance and anomalous thickness-dependent resistivity in Sr2CrWO6/SrTiO3 films

High-quality Sr₂CrWO₆ (SCWO) films have been grown on SrTiO₃ (STO) substrate by pulsed laser deposition under low oxygen pressure. With decrease of the film thickness, a drastic conductivity increase is observed. The Hall measurements show that the thicker the film, the lower the carrier density. An extrinsic mechanism of charge doping due to the dominance of oxygen vacancies at SCWO/STO interfaces is proposed. The distribution and gradient of carrier concentration in SCWO films are considered to be related to this phenomenon. Resistivity behavior observed in these films is found to follow the variable range hopping model. It is revealed that with increase of the film thickness, the extent of disorder in the lattice increases, which gives a clear evidence of disorder-induced localization charge carriers in these films. Magnetoresistance measurements show that there is a negative magnetoresistance in SCWO films, which is considered to be caused by the magnetic scattering of magnetic elements Cr³⁺ and W⁵⁺. In addition, a sign reversal of anisotropic magnetoresistance (AMR) in SCWO film is observed for the first time, when the temperature varies across a characteristic value, T_M. Magnetization—temperature measurements demonstrate that this AMR sign reversal is caused by the direction transition of easy axis of magnetization from the in-plane ferromagnetic order at T > T_M to the out-of-plane at T < T_M.     

Short-Time Dynamical Behaviour of Depinning Transition in the Uniformly Frustrated Two-Dimensional XY Model

A short-time dynamic scaling approach is extended to study the depinning transition of the two-dimensional frustrated XY model driven by external currents. We investigate the scaling behaviour of depinning transition in the XY model with three different flux densities f = 1/2, 1/25, 1/30. The short-time scaling behaviour in the depinning transition of the two-dimensional XY model is clearly shown up. Besides the critical current, the exponent θ is obtained.     

密度不同的颗粒在流体中的沉降特性

采用格子Boltzmann方法(LBM)对雷诺数范围为5≤Re≤12的双颗粒沉降进行了直接数值模拟研究,主要关注颗粒之间的密度差异k对其周期性振动的影响。根据雷诺数颗粒沉降特性可以分成三个阶段,即当Re较小时,颗粒的振动幅度随k的增大而减小,当Re较大时则正好相反,介于两者之间存在一个临界雷诺数,在此雷诺数附近,颗粒的沉降同时具有以上两种特征。同时还研究了两个颗粒的稳定沉降结构以及重颗粒摆脱轻颗粒的条件。