晶体管高质量音频放大器

概述 三年前,我在本刊已发表过晶体管化高质量放大器和前置放大器两篇文章。本文为了尽可能跟原来的放大器基本说明和通常的商业规格能够一致,因此,在设计指标中,输入灵敏度取4mv(磁抢音器):400mv(晶体拾音器)。“备用”输入端子可用于无线电调谐输入(80mv);麦克风(5mv)或者磁头(3mv)。     

采用CCD技术和SAW技术的信号处理

电荷耦合器件(CCD)作为采样存储器,与用来进行脉冲压缩的声表面波(SAW)延迟线相结合,可使傅里叶变换信号处理机得到改进。改进了的傅里叶变换信号处理机所付的成本是合算的,并与数字快速傅里叶变换处理机性能不相上下。本文介绍的线性调频Z变换(CZT),可用来对时间压缩和线性调频脉冲进行中频处理。这样允许采样信号以毫秒或更慢的周期存储在电荷耦合器件存储器中,然后以微秒用线性调频滤波器进行Z变换。这样就得到了一个速度相当高的频谱分析。某些应用既要求幅度信息,又要求相位信息。本文示出了通过消除残余的二次相位而达到线性复合输出的结构图形,使旁瓣性能与变换大小无关。对于多路通道频谱分析系统,为了实际上使结构达到体积小而成本合算的目的,必须研究两种关键性的器件:线性可寻址的IK单元CCD存储器,铋锖氧化物大时间带宽乘积(1420)SAW线性调频延迟线。     

用计算机模拟技术选择混合物中稀土元素定性分析用谱线

用ICP光谱的模拟技术找出了供稀土元素定性分析用的发射谱线。每条发射谱线的波长和相对强度都贮存于软盘中。在计算机键盘上给出所要考查的谱线波长之后,该线的各相邻谱线就会被自动地查出并按高斯分布的形状画出它们的轮廓。经验证,模拟光谱与实际观测到的十分相似。发射谱线是根据使它们相互间的干扰即便在干扰元素浓度远远超过待测元素时也变得很小的原则选出的。所选出的这些谱线与通常已知待测物的定量分析中所选用的谱线十分不同。此定性分析的规则系统是以图形识别法为基础的。在这里,是对所观测到的每种元素发射谱线的强度比与只含一种待测元素时的情况作比较。     

普莱赛AR3D频扫三座标雷达

一、系统概述普莱赛AR3D是一种可移动的S波段三座标雷达,对飞机目标的最大作用距离是450-550公里。对于2米~2的目标,检测概率为0.8时,作用距离超过250公里。频扫和脉压相结合使雷达具有高的分辨率并对杂波和干扰有强的抑制能力。从设计具有1千瓦平均功率输出     

DC～2GHz的GaAs单片反馈放大器

在低频FET放大器中,电阻反馈是一种卓有成效的方法,采用这种方法能同时获得好的超宽带增益平坦度和输入、输出电压驻波比。与简单的匹配电路相结合,这种电阻反馈电路可以设计通用目的实用放大器,其芯片面积要比用通常的匹配技术的芯片面积小得多。本文所描述的电路芯片面积为1.5×1.5mm,频率为5MHz～2GHz,增益为10dB±1dB,极好的输入和输出电压驻波比,饱和输出功率大于+20dBm。最小噪声偏置下的噪声系数近似2dB,相关增益为9dB。     

几种栅控行波管发射机的高可靠设计

组装一部机载雷达的栅控行波管(G-TWT)部分会引起热耗散大和高压应力的问题。可靠的和容易维修的发射机需包括许多受到制约之处。考虑到对栅控行波管的影响,在热和机电方面提出了一些看法。特别是热和介质的基本原理对最终设计的参数将有极大的影响。虽然没有说明,但作为基点要加以考虑的还包括结构设计(通常包括某种密封外壳)、支撑固定方法、模块组成、生产过程和使用中的高压问题以及制造技术等。当然,还有各种电子部件的包装方法。     

E类调谐功率放大器的理想化计算

E类调谐功率放大器是由一个负载网络和一个晶体管(在输出频率上作开关使用)组成。而最简单的负载网络又是由一只与晶体管相并联的电容器和一个有剩余电抗的串联调谐输出电路所构成的。电路的工作当晶体管导通时取决于晶体管,当晶体管截止时取决于负载网络的暂态特性。放大器运行的基本方程是用富氏分析和高Q值的假设来推导。因此,这些方程通常是用来确定最佳运用(效率为100％)时的元件直。其次也用来确定效率为100％时占空度和元件值的一组最佳参数。本文还分析了集电极电压波形的谐波结构,和讨论了E类放大器的其它组态。这些分析可以直接用来指导设计高效率的功率放大器,同时对深入理解最新固态甚高频(VHF)和超高频(UHF)调谐功率放大器工作原理也提供了有效的帮助。     

电子对抗接收机用的新元件

本文评述电子对抗系统用的新元件和电子支援措施(Electronic Suppolt Measures,即ESM)的重要功能。先介绍电子对抗的含义和概况,再讨论截听接收机用的新颖声表面波(SAW)和声光元件的优缺点     

非线性晶体纵向光学不均匀性对倍频效率的限制

研究了抽运光束截面不均匀情况下非线性晶体的光学不均匀性对光倍频可能最高效率的影响,以及相位同步的初始失调和晶体长度的可能最佳条件。比较了倍频用的非线性材料,并引用表征频率转换效率的无量纲参数。     

大规摸集成的可能性和限制

半导体大规模集成虽只有很短的历史。但其成果却十分丰硕。在未来,集成电路的影响将会更迅速地扩及到所有的生产及民用范围。集成电路将会以何等速度进一步发展?何时能够达到它的发展顶点?未来的大规模集成电路在其应用范围内将起到何等作用?这些都是人们很感兴趣的问题。本文对迄今的发展趋势进行了分析,由此推断了未来的发展,并就其对仪器技术的影响作了估价。