高浓度CO变换-甲烷化反应积炭的初步研究

制备了含有某些助剂的、活性较好的镍基催化剂。在高的CO 浓度(H_2/CO比从1至0)和水蒸气存在条件下,研究了变换-甲烷化反应的积炭量变化规律。对同一组分的催化剂,当催化剂较疏松时,积炭量较大,随着催化剂堆比重增大积炭量减小。积炭量随时间和空速的增加而增加。但随温度的增加在350℃附近有一极大值。500C°以上时积炭量显著减小,此时甲烷化活性较低,但变换功能仍相当强。随着H_2/CO 比或H_2O/CO 比的增加,积炭量均减小。     

自甲醇制取烃类催化剂的研制——Ⅰ.ZSM-5沸石分子筛的合成规律及若干性质的研究

本文探讨了ZSM-5沸石分子筛的合成规律。叙述了由于原料组成及合成条件不同,致使产品的X-射线衍射图谱具有不同形状(ZSM-5A型及ZSM-5B型)。提出了以H_2O/SiO_2、RNH_3 /Na~ RNH_3 及OH/SiO_2分别表徵凝胶体系中硅酸盐阴离子的浓度、阳离子效应及体系中硅酸盐阴离子的硷度以及它们与图谱形状的关联。并测定了具有两种图谱形状的沸石的物化性质及用于甲醇转化为烃类的催化特性。     

12-钼磷酸与γ-Al2O3载体的相互作用

应用酸碱滴定、X射线衍射(XRD)、激光拉曼(LRS)和顺磁共振(EPR)等方法研究了磷钼酸(PMo_(12))与γ-Al_2O_3载体间的相互作用．结果表明，PMo_(12)在γ-Al_2O_3上随负载量增加出现三种不同的分散状态，据此提出了PMo_(12)在γ-Al_2O_3上的铺展模型．     

51VNMR研究磷钼钒系杂多酸的热稳定性

用NMR及IR、TG-DTA等手段研究具有Keggin结构的磷钼钒系杂多酸在空气中的热稳定性。实验结果表明:合成的杂多酸在各个Keggin单元中具有不同的钒含量。样品的热稳定性与其钒含量有关.随着钒含量的增加,keggin结构的热稳定性逐渐降低,但H_4PMo_(11)V_1O_(40)具有比H_3PMo_(12)O_(40)还要高的热稳定性。由于钒的取代,钼钒磷酸的热分解过程不同于钼磷酸。失去结构水使Keggin结构遭到破坏,但在室温下与水重新作用可使钼钒磷酸的Keggin结构恢复。     

乙醇在杂多酸上的氧化、脱水和程序升温脱附研究

合成了两个系列具有Keggin结构的12-钒钼磷酸和钨钼磷酸,研究了它们对乙醇氧化、脱水的催化反应。借助程序升温脱附技术研究了反应物及产物乙醇、乙烯、乙醚等在样品上的程脱作用。讨论了钨、钒取代部分钼原于后对杂多酸酸性及氧化性能的影响。     

用两种相似多糖类手性固定相拆分阿托品外消旋对映体的比较

分别涂敷纤维素-三（3，5-二甲基苯基氨基甲酸酯）（CDMPC）与直链淀粉-三（3，5-二甲基苯基氰基甲酸酯）（ADMPC）于自制的球形氨丙基硅胶上，制备了两种多糖类手性崮定相。用高效液相色谱法（HPLC）在正相条件下，用两种固定相直接拆分了阿托品（atmpine）外消旋体、在正己烷中加入了不同的醇类改性剂对阿托品进行拆分，并优化了流动相中醇类改性剂的比例：结果发现，阿托品在CDMPC固定相上可以得到基线拆分，而在ADMPC固定相上只能得到部分拆分。     

Ziegler-Natta催化剂催化乙烯气相聚合

本文综述了乙烯气相聚合催化剂研究状况,列举了一些制备气相聚合催化剂有代表性的方法。同时对预聚合的作用及气相聚合与淤浆聚合表观动力学行为的不同性也作了简要介绍。     

新型高活性催化剂乙烯气相聚合的研究（Ⅱ）——改性剂,预聚…

研究了新型高活性乙烯气相聚合催化剂ＴｉＣｌ４／ＭｇＣｌ２／ＺｎＣｌ２／ＳｉＣｌ４醇／Ａｌ（ｉ－Ｂｕ）３体系中不同醇、不同Ｃ２Ｈ５ＯＨ／Ｔｉ摩尔比和正丁醚对聚合反庆及产物颗粒形态的影响，研究了预聚合反应及乙烯气相聚合反应规律，用扫描电镜和图象分析对催化剂、预聚物和聚合产物的形态和颗粒分布的研究表明：新型高活性催化剂和经预聚合制得的乙烯气相聚合物的颗粒形态类似球形，颗粒长短轴比值和大小粒径比值相近。     

由甲醇制取烃类催化剂的研制——第二报 催化剂的评价

对实验室合成的ZSM型沸石催化剂进行了评价,考察了其用于甲醇转换为烃类反应的性能,并对1043催化剂做了条件试验。试验指出,该催化剂具有高的活性和选择性、较好的稳定性。这种催化剂在常压下,经14次再生,每周期每克催化剂的甲醇处理量和液态烃的收率基本上都是稳定的。     

具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.