Al——Si共晶合金长效变质剂 JDSB——1双色变质块

一、前言 A1—Si类合金由于具有优良的铸造性能,良好的耐蚀性,通过合金化能得到较高的机械性能,所以应用很广泛。但含Si量>7％Si合金变质前组织中会出现片状共晶硅和块状初晶硅,割裂合金基体。机械性能、     

激光棒位置对热不灵敏凹凸腔运转特性的影响

以典型商用凹凸谐振腔为例，系统地分析了激光棒位置对热不灵敏腔运转特性的影响，对有关结果进行了讨论．     

跳浓弛豫法测定反应速率常数

跳浓弛豫法在弛豫法中是较容易实现的方法,通过简单仪器设备可得到弛豫技术的训练,可在物化实验中推广。     

TMG和TEGMOCVD生长GaAs物理化学研究

本文采用三甲基镓和三乙基镓为镓源的金属有机化合物气相沉积，获得了高质量的ＧａＡｓ外延层，生长速率随ＴＭＧ和ＴＥＧ的浓度增加而增高和理论计算基本相符，而与ＡｓＨｓ浓度无关，用自制的ＴＥＧ为镓源生长的ＧａＡｓ有较高的迁移率。     

凸表面单排孔30°喷射气膜冷却流场近场特性的实验研究

本文对弯曲通道凸壁面单排孔30°喷射时气膜冷却流场的近场特性作了比较精细的测量,测量的数据包括壁面静压分布、速度矢分布及气膜冷却有效温比分布。测量表明,弯曲通道凸壁面上30°喷射时对流场的干扰,在孔近场区是显著的,在孔下游约一倍孔径的范围内,流向及侧向的压力变化均甚大;而在进一步下游,主流绕流射流所产生的结构复杂的“绕流区”也是明显的.由于壁面曲率的影响,射流贴附壁面的程度,在M<1.0时,要优于平壁;而当M>1.0时,由于射流的“穿透”作用,其附壁程度又劣于平壁.在X/D>10之后,射流产生的扰动已趋衰减,射流的侧向扩散使流场的三维特征逐渐消失,而接近于二维连续缝槽气膜冷却流场的规律.在本试验条件下,M=0.5左右,可以获得最佳的气膜冷却效果。     

旋转靶强流中子源及其应用

 一、旋转靶强流中子源的现状一般讲,强流中子源是指中子注量在4π空间中一秒钟内具有近于或等于或大于1×10¹²个中子的辐射场。它可以利用反应堆得到平均能量为1MeV的中子;利用高能电子或质子加速器可得能量为数MeV的中子。国内外最近一、二十年来,在强流中子源方面做了大量的研究实验工作,除了利用加速器的（d-Be）,（p-Be）和（d-D）反应产生中子外,大量的工作集中在用（d-T）反应并使用高速旋转的氚靶以产生强流中子场。     

半模基片集成波导馈电的对数周期偶极子天线

设计并研制了一种基于半模基片集成波导(Half-mode Substrate Integrated Waveguide:HMSIW)馈电的单层宽带印刷对数周期偶极子阵列(Printed Log-Periodic Dipole Array:PLPDA)天线.对数周期偶极子阵列(PLPDA)天线具有频带宽、剖面低、重量轻等优点,但是其馈电需要平衡线结构.半模基片集成波导具有平面集成、主模带宽宽、损耗低、尺寸小等优点,同时自身天然具有平衡结构.文中设计并制作了工作频率为15GHz～40GHz的HMSIWPLPDA天线,测试结果和仿真结果吻合.     

射频卡技术在数字式预付费电表系统中的应用

本文介绍了一种基于射频卡的数字式预付费电表系统,给出数字式电表的硬件和软件结构。     

Fe-Cr-V-Ni-Si-C系多元合金的原子间互作用势的构建及应用

使用第一性原理赝势方法及量子化学从头算方法计算的物理量以及最小二乘法拟合的数据构建了多元合金Fe-Cr-V-Ni-Si-C系的原子间互作用势,并利用该原子间互作用势计算了实验合金N5(Fe9.07Cr7.56V0.8Ni0.49 Mo0.96Mn1.52Si3.3C),N6(Fe9.65Cr7.72V1.17Ni0.50Mo0.91Mn1.42Si3.3C),N7(Fe9.81Cr7.65V1.58Ni0.46Mo0.86Mn1.35Si3.3C),N8(Fe10.05Cr7.59V2.24Ni0.40M 关键词： F-S多体势 多元合金 第一性原理