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STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。 相似文献
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针对空间等离子体及其模拟环境、空间原子氧及其模拟环境对离子能谱测量的需要,利用仿真软件COMSOL,对离子能量分析器的低能离子测量特性进行了仿真研究。介绍了离子能量分析器的工作原理,对离子能谱测量过程进行了公式推导。通过对三种待选仪器设计方案进行离子透过率仿真分析,确定了一种较优的仪器设计方案。多种离子温度下的误差分析结果也表明,该设计方案能够较为准确地测量离子能量分布。分析了电场畸变、等离子鞘层、栅网对齐方式和离子温度对测量结果的影响,根据仿真结果对一些仿真实验现象做出了合理的解释。 相似文献
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基于7阶SIR交指结构滤波器,提出了一种基于硅MEMS技术的微波S波段交指带通滤波器。不仅保留了交指结构的高通带选择性,而且可以通过调整SIR的阻抗比和电长度比来实现宽阻带。采用MEMS工艺,在双层高电阻率的硅片上完成了滤波器的制作和自封装,它具有体积小、损耗低的优点。仿真结果表明,该滤波器在中心频率2.35 GHz处的相对带宽为30%,带内插损小于1.5 dB,回波损耗大于15 dB,在频率f0±0.8 GHz处的阻带抑制比大于50 dB。该交指带通滤波器的体积仅为(11×7×0.8)mm3。 相似文献
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45.
分析了在无线通信中对信号进行干扰的三种方式,并以CPFSK信号为例仿真了在独立随机噪声,相同调制随机干扰和相同调制部分已知干扰这三种干扰方式下的误比特率,并分析了各自的特点。 相似文献
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在音响DIY中,对照着电路图制作功率放大器不算太难,但要对其中的一些电路的基本原理了解得清清楚楚,却不是那么容易了。有不少读者希望能看到一些针对性讲解功率放大器的文章,为此,我们组织了《实用音响技术入门与提高》系列文章。在这个系列中我们先从在功放电路中应用较多的差分放大电路的基本原理入手,讲解由差分放大电路搭建的音频功率放大电路的特点及设计要求。具体安排是:《差动放大器》、《恒流源电路》、《集成运放》、《功率放大器的基本电路》.墩实用功率放大器的设计》、《功率放大器的制作实例》。如果有人还想了解其他类型的音响电路。或者想在这个课堂授课。请与我们联系。 相似文献
47.
本文利用分子光谱理论系统的计算和分析N2第二正带系(C3∏u→B3∏g)的发射光谱, 以研究光谱强度的分布规律与不同温度条件和气体条件的关系. 基于N2的三重态能级结构特性, 重点计算和讨论了发射光谱的概个重要参数: 通过求解高、低电子态的哈密顿矩阵得到了振转能级特性; 利用r质心近似法求取了能级间跃迁的电偶极矩函数和爱因斯坦跃迁概率; 进而计算了不同振动和转动温度条件下谱线的强度分布. 进行了N2和Ar的混合放电实验, 利用实验光谱数据同理论结果进行拟合分析, 确定了N2分子的振动温度和转动温度分别约为4300 K和800 K. 另外由于潘宁离化效应, N2浓度减小时谱线强度呈现先增强后减弱的趋势. 实验结果很好的验证了N2第二正带系光谱理论计算的正确性. 相似文献
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通过对行波管周期永磁聚焦系统(PPM)的理论分析,开发了2维模拟软件UESTC_PPM。该软件主要用于模拟轴对称的永磁结构,在圆柱坐标系下,采用有限差分的方法迭代求解磁钢内外任意位置处的磁感应强度分布。模拟了单磁环结构以及单周期结构,将结果与Ansoft Maxwell 3D的模拟结果进行了对比,结果表明:轴上、轴向以及径向磁感应强度的分布图均很接近,但UESTC_PPM软件耗时较短,验证了UESTC_PPM的正确性,并具有一定的精确度。 相似文献