45nm工艺及材料的最新动态

介绍了45nm芯片、工艺和设备的最新动态。英特尔、TI、IBM、特许、英飞凌和三星都推出了45nm功能芯片。45nm主要工艺包括光刻、应变硅、低k电介质、Cu互连、高k电介质和离子注入等。光刻工艺采用193nmArF/浸没式光刻机。45nm工艺中应变硅技术已步入第三代,它综合采用双应力衬垫、应力记忆和嵌入SiGe层。     

全球金融危机对半导体产业的影响

由美国次贷危机引发的金融危机已发展成全球经济危机。它将对全球半志体产业产生六大影响,即:增长速度更放缓,工厂产能更下降;营收利润更下滑;资本支出更减少;并购重组更频繁;失业下岗更增多。     

φ300mm/0.18μm对栅极氧化层的要求及设备

介绍了３００ｍｍ／０．１８μｍ对栅极氧化层的要求、生长极薄栅极氧化层的方法及其形成栅极氧化层的设备。     

日本半导体制造设备市场开始走向衰退

本文介绍了日本半导体制造设备市场从1992年开始衰退的情况,并分析其原因。     

美国和日本评中国半导体工业

美国和日本对中国半导体工业进行了全面的评价，包括厂商、产量、市场和技术，指出了中国半导体工业的弱点和展望。     

台湾IC跨入ULSI时代

介绍了台湾ＩＣ现状，而临的挑战及发展前景。     

DB3S双触发二极管的失效分析

本文论述了ＤＢ３Ｓ双触发二极管的原理，电性能，失效模式和失效机理，并提出改进办法。     

电子元器件的失效率

电子元器件的可靠性是人们最关心的问题,因为它直接影响整机的可靠性。表征电子元器件可靠性的最重要指标是电子元器件的失效率。电子元器件的失效率入(t)表示电子元器件工作到t时刻的条件下,单位时间内的失效概率。失效率有三     

ITRS 2001与芯片特征尺寸的缩小

2001《国际半导体技术指南(ITRS)》规划出半导体技术未来15年内的发展。它主要强调芯片特征尺寸的进一步缩小,2001年0.13μm,2004年90nm,2007年70nm,2010年50nm,2013年30nm,2016年22nm。阻碍芯片特征尺寸缩小的关键是光学光刻技术,为此,世界各强国加速开发下一代光学光刻技术,如157nm光学光刻、电子束光刻(EBL)和极紫外线(EUVL)光刻等。展望了缩小芯片特征尺寸的前景和存在的问题。