光谱法研究EGCG-Cu(Ⅱ)与ctDNA的相互作用

研究了EGCG-Cu(Ⅱ)-ctDNA系统的荧光光谱,电子吸收光谱和共振光散射光谱(RLS)。与EGCG-Cu(Ⅱ)二元配合物比较,EGCG-Cu(Ⅱ)-ctDNA三元体系光谱显示以下特征：(1)荧光光谱的发射位置没有变,荧光强度显著增强,并且三元体系的荧光强度随着DNA浓度增大而增大。在适宜的条件下,Cu(Ⅱ)-EGCG 配合物有望成为检测ctDNA的荧光探针;(2)电子吸收光谱有明显的增色效应;(3)共振光散射强度也增强。三种光谱的特征显示,EGCG-Cu(Ⅱ)配合物与核酸之间主要依靠插入作用和静电引力结合。由于配合物的插入,使系统的荧光强度增强,而静电作用使其电子吸收光谱和共振光散射光谱产生增色效应。酸度和离子强度对三元系统荧光强度的影响也进行了实验和讨论。     

百皮秒脉冲放大中自相位调制效应实验研究

利用掺镱双包层光纤放大器对百皮秒单脉冲（重复频率1 Hz）进行了放大实验,分析了其放大过程中自相位调制对脉冲时域和频域特性的影响.采用小芯径（纤芯直径6.5 μm）掺镱双包层光纤作为增益介质,研究了放大器中从小信号增益到增益深度饱和整个变化过程中自相位调制引起的频谱展宽效应,并分析了SPM引起的脉冲波形和频谱光强分布的变化.采用布喇格光纤光栅扫描方法观察了其光谱的变化,解决了单脉冲光谱不易测量的问题.结果表明：区别于无源光纤中的自相位调制效应,随着抽运功率的增加,百皮秒脉冲放大过程中增益饱和效应和自相位调制效应的共同作用,使脉冲频谱分裂成不对称双峰结构,且光强分布先向短波后逐渐向长波集中.     

Influence of barrier thickness on the structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells

The structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells(MQWs) with different barrier thicknesses are studied by means of high resolution X-ray diffraction(HRXRD), a cross-sectional transmission electron microscope(TEM), and temperature-dependent photoluminescence(PL) measurements. HRXRD and cross-sectional TEM measurements show that the interfaces between wells and barriers are abrupt and the entire MQW region has good periodicity for all three samples. As the barrier thickness is increased, the temperature of the turning point from blueshift to redshift of the S-shaped temperature-dependent PL peak energy increases monotonously, which indicates that the localization potentials due to In-rich clusters is deeper. From the Arrhenius plot of the normalized integrated PL intensity, it is found that there are two kinds of nonradiative recombination processes accounting for the thermal quenching of photoluminescence,and the corresponding activation energy(or the localization potential) increases with the increase of the barrier thickness.The dependence on barrier thickness is attributed to the redistribution of In-rich clusters during the growth of barrier layers,i.e., clusters with lower In contents aggregate into clusters with higher In contents.     

包含非线性组件的系统级电磁效应分析方法

提出一种包含非线性组件的场线耦合分析模型,在此基础上建立了包含非线性组件的系统级电磁效应分析方法。采用基于黑箱模型的非线性散射参数对非线性组件进行建模,给出了非线性散射参数的实验提取方法。利用焊接在微带传输线上的并联反向HSMS-282C型肖特基二极管构成非线性器件,并搭建原理性实验系统测量了电磁波辐射下连接在微带线上的该非线性器件输出端口的频谱和功率。实验结果与该分析方法的计算结果相吻合,证明了该方法的有效性和可行性,为系统级电磁效应分析提供了一种有效途径。     

无线网络规划业务密度图生成方法分析比较

对无线网络规划中生成业务密度图的四种不同方法进行了归纳总结,使用同一组基础数据生成业务密度图,分析探讨各方法步骤、原理,比较各方法在实际应用中的优缺点。本文分析结论,可做为无线网络规划工作中,选取适合业务密度图生成方法的参考。     

求解二阶锥规划问题的VU分解方法

给出解决二阶锥规划(SOCP)问题的VU-分解方法.问题首先被转化为非线性规划,并给出相应的精确罚函数的Clarke次微分结构及VU-空间分解．在某种条件下,可以计算出一个二阶连续可微的轨道,进而得到目标函数f在其上的二阶展开．最后给出一个具有超线性收敛速度的概念型算法．     

一类拟二面体群的四度Cayley图的正规性

群G的一个Cayley图X=Cay(G,S)称为正规的,如果右乘变换群R(G)在AutX中正规.研究了4m阶拟二面体群G=a,b|a~(2m)=b~2=1,a~b=a~(m+1)的4度Cayley图的正规性,其中m=2~r,且r2,并得到拟二面体群的Cayley图的同构类型.     

缺失数据下估计方程的经验似然推断

将逆概率加权法和推广的逆概率加权法用于缺失数据下估计方程经验似然推断中,得到两种参数估计的渐近性质.同时可以得到两种方法所对应的估计方程是无偏的,相应的经验似然统计量都渐近卡方分布,从而避免的调整经验似然.数值模拟也进一步显示了两种方法的优势.