基于MCM-D工艺的3D-MCM工艺技术研究

基于MCM-D薄膜工艺,开展了3D-MCM相关的无源元件内埋置、芯片减薄、芯片叠层组装、低弧度金丝键合、芯片凸点,以及板级叠层互连装配等工艺技术研究。通过埋置型基板、叠层芯片组装、板级叠层互连,实现了3D-MCM结构,制作出薄膜3D-MCM样品;探索出主要的工艺流程及关键工序控制方法,实现了薄膜3D-MCM封装。     

圆片级封装的无铅焊料凸点制作技术研究

对圆片级封装(WLP)的结构设计和关键工艺技术进行了研究;描述了凸点下金属(UBM)层的选择,凸点回流技术,以及凸点的质量控制技术;重点阐述了采用电镀制作无铅焊料凸点的方法.     

镀Ni管壳侧壁硅橡胶粘接开裂机理研究

A型号硅橡胶粘接在镀Ni管壳侧壁后存在开裂情况，包括初始加工后胶点开裂、经历单次清洗后开裂，以及经历随机振动等可靠性试验后开裂，这会导致连接失效等一系列可靠性问题。文章针对A型号硅橡胶在镀Ni管壳侧壁引线加固时出现开裂的问题，进行了引线粘接极限破坏力理论计算、不同胶点直径和粘胶间距的仿真，以及等离子清洗提升表面能等研究。研究结果表明，优化引线粘接结构并对镀Ni管壳进行等离子体清洗可以明显提升A型号硅橡胶在镀Ni管壳侧壁粘接的可靠性。相关研究结果可以用于A型号硅橡胶实际生产。     

电镀技术在凸点制备工艺中的应用

简要回顾了微电子封装的发展历程;描述了FC、BGA、CSP以及WLP的基本概念;归纳了凸点类型以及各种凸点的不同用途;着重介绍了电镀金、金锡、锡铅、锡银和化学镀镍凸点的工艺过程,最后简单介绍了制备凸点的电镀设备。     

芯片凸点电镀中的清洁生产技术

清洁生产技术越来越受到重视,我国已经将推进清洁生产提到法律的高度.通过在芯片凸点电镀过程中优选电镀液配方及施镀方式,采用等离子清洗技术,优化阴极夹具,改善镀层厚度均匀性等措施,达到提高资源利用率,减少污染物的产生,减轻对人和环境危害的目的.     

超细凸点节距WLP制备关键工艺技术研究

通过优化结构设计,改善厚胶光刻工艺条件,采用凸点真空回流等举措,解决了制备超细节距圆片级封装(WLP)工艺中遇到的技术难题,提升了WLP的工艺技术水平;并将具有更优性能的BCB材料应用于WLP的介质层,成功制备出凸点节距为90 μm和280 μm的样品.研制的样品已通过相关测试和考核.