基于脉冲跨周期调制的DC-DC变换器自适应电压调节技术

为实现减小数字电路的供电电压来降低其能量消耗的目的,该文提出基于脉冲跨周期调制(PSM)的DC-DC变换器自适应电压调节(AVS)技术。AVS技术通过追踪和探测关键路径复制(CPR)的延迟时间自适应地调节数字电路的供电电压。同时,具有自适应占空比的PSM调制模式(APSM)被用来改善轻负载下变换器输出电压的纹波和效率。实验结果显示,当负载工作频率在30～150 MHz范围内变化时,输出电压在0.6～1.5 V之间稳定输出。和传统的固定工作电压相比,该文设计的DC-DC变换器最大可节省83%的能耗。     

Boost变换器跨周期调制(PSM)的状态空间平均模型

基于Boost变换器,利用状态空间平均法对跨周调制(Pulse Skipping Modulation,PSM)进行建模和特性分析,推导出电感电流连续(CCM)和电感电流断续(DCM)时系统变压比,调制度M与负载的关系及系统转换效率的理想化公式,得到PSM具有轻载下高转换效率的结论,并设计具有PSM调制特性的控制电路,给出仿真结果。     

扩孔剂对SiO2气凝胶微观结构与性能的影响

以正硅酸乙酯为硅源,乙醇为溶剂,在溶胶-凝胶法和CO2超临界干燥的基础上,采用分别加入聚乙二醇(400)、六次甲基四胺和尿素作为扩孔剂的方法制备低密度SiO2气凝胶.利用扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、孔径分布及比表面积测试仪(BET)、纳米压痕仪对未加扩孔剂和加入不同扩孔剂所制备的SiO2气凝胶的表面形貌、结构、比表面积、孔径分布、力学性能以及密度进行研究.结果发现:随着增加扩孔剂的加入量, SiO2气凝胶的密度明显降低;与未加扩孔剂的样品相比,加入扩孔剂所制备的SiO2气凝胶的比表面积和孔径增大;其中,六次甲基四胺具有较佳的扩孔效果,制备得到的SiO2气凝胶的性能较佳,孔径分布主要集中在15~55 nm,平均孔径为35.4 nm,比表面积高达1006 m2· g-1,孔体积为5.3 cm3· g-1,孔隙率高达96.2;.     

电沉积氧化铈对烧结镍电极性能的影响

在烧结镍基体表面，预先电沉积一层氧化铈，通过电化浸渍得到镍电极，研究了预先电沉积氧化铈对烧结镍电极性能的影响。结果表明：与空白烧结镍电极相比，预先电沉积氧化铈（＋4），改善了烧结镍电极的大电流充放电性能和循环性能，增加了电极的可逆性，提高了电极的充电接受能力和活性物质利用率，减少了电极膨胀率，且当氧化铈的预先电沉积量为5％时，烧结镍电极的电极性能处于最佳。     

具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性

提出了一种具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS,借助2D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析,结果证明该结构在与RESURF结构相同的耐压下,具有器件长度小,漂移区浓度高,导通电阻小的特点.这表明降场电极是一种缓和漂移区掺杂浓度和耐压之间矛盾的有效方法.该结构是一种器件耐压与导通电阻优化的新途径.     

一种基于Triac调光的小功率LED驱动电路

介绍了Triac调光器的基本原理,对Triac调光器应用于LED照明中存在的问题进行了分析。采用TI公司的LM3445,设计了一款原边反馈反激式LED驱动电路。试验结果证明,该驱动电路解决了Triac调光器应用中的频闪问题,满足小功率LED调光应用的实际需要。     

一种高线性度,宽动态范围的电流模乘法器/除法器

本文提出了一种高线性,宽动态范围的电流模乘法器/除法器(current mode multiplier/divider,CMM/D)。该CMM/D基于二极管的对数-反对数性质实现,因此能达到更宽的动态范围。其输出电流与温度、工艺参数无关,且电路采用高精度电流镜,因此能实现高线性。此外,该电路不需要为输入信号提供额外的偏置电流,节省了功耗。通过正确的选择输入输出端口,在不改变拓扑结构的前提下,该电路可以实现乘法,除法功能。本文提出的CMM/D采用0.25μm BCD 工艺实现,芯片面积为0.26×0.24mm₂。输入电流从0到200μA变化时,结果显示该CMM/D的最大静态误差为±1.8%, 总谐波失真为0.4%。     

一种精准的升压型DC-DC转换器自调节斜坡补偿电路

设计了一种精准的升压型DC-DC转换器自调节斜坡补偿电路,包括反馈信号产生电路,固定斜率的斜坡信号产生电路,反馈信号转移电路和自调节斜坡信号产生电路四部分。其产生的斜坡信号斜率随输入电压变化而自动精确调节,消除了欠补偿和过补偿现象。与传统的设计相比,该结构具有精度高、电路结构相对简单等特点。最后,给出了具体的仿真结果。     

一种新型的电流极限比较器

本文为开关电源设计了一种新型的电流极限比较器,其利用电流镜、cascode结构及MOS管的电阻特性使某一随时间变化的工作电流直接与多种基准电流相比较,从而确定多个工作电流极限值。该电流比较器无需将电流转化成电压再进行比较,实现了真正意义的两种电流直接比较。该电路结构不需要开关管和电阻网络,极大地降低芯片面积和成本,同时具有低功耗和高精度的优点。     

一种改进的超低压电压基准源设计

本文利用NMOS管与PMOS管栅源电压的温度特性及衬底偏置效应,设计了一种带曲率补偿输出电压约为233mV的电压基准源。该电路结构简单,电源抑制特性较好,并与传统带隙基准电压的温度特性相似。利用0.5-CMOS工艺对电路进行仿真,仿真结果表明:电源电压为1V时,在-40℃至125℃温度范围内,基准源的温度系数约为11ppm/℃;在100Hz和10MHz时电源抑制比分别为-58.6dB和-40dB。