快速瞬态响应的变导通时间模式Buck变换器

提出了一种具有快速瞬态响应的变导通时间(VOT)模式Buck变换器。VOT模式电路采用误差电压来调节导通时间,导通时间控制电路采用电流乘法器,以实现误差电压到导通时间的线性控制。突破了传统恒定导通时间(COT)模式电路中对等效占空比的限制,实现了瞬态响应的提升。仿真结果表明,与传统COT模式电路相比,VOT模式Buck变换器具有更好的瞬态响应特性。该Buck变换器的动态电压调节时间从17.8 μs减小到13.2 μs,过冲电压从200 mV减小到110 mV,负载阶跃恢复时间从13.4 μs减小到4.8 μs,下冲电压从172 mV减小到132 mV。     

研究生课程教学中三位一体创新思维培养

提出“建立知识体系、运用案例分析、培养思维方法”三位一体的研究生课程教学模式，以提升研究生创新思维能力。通过老师搭建知识体系、设计分析案例、进行价值引导，学生参与课程知识点案例分析、前沿文献案例分析、行业时事案例分析等教学过程，在夯实基础理论的同时，有效培养了工科类研究生逻辑思维与创新思维能力，同时践行了学生的价值塑造。     

一种带瞬态增强电路的无电容型LDO

设计了一种可用于SOC片内供电的新型瞬态增强无电容型线性压差调整器电路.相对于需要由误差放大器、缓冲器和反馈网络三级结构构成的传统LDO,该设计在简单的一级单管控制结构上增加了摆率增强电路(SRE)来实现瞬态响应增强,可以更容易地进行频率补偿,在简化设计过程的同时,保证了较快的响应速度.     

j内分线对数字电视机顶盒的影响与解决方法

当前的数字电视大多是在原分配网的基础上进行750MHz的升级后进行全面整转,网络改造多数不涉及进户线部分,这样进户线的各种问题就成为数字电视转换后的主要故障原因,如线路衰减过大、不合理分配信号等。进户线衰减过大可通过场强仪进行量能的判断分析进行处理,而不合理的信号分配引起的故障却较难判断和处理。这里所说的不合理信号分配主要是指用户将原来安装在客厅的有线电视信号,通过并联-5电缆或三通等（不通过任何分配器件）引至卧室等其他位置,下面分析不合理分线所造成的不良影响并提出解决方法。     

户内分线对数字电视机顶盒的影响与解决方法

当前的数字电视大多是在原分配网的基础上进行750MHz的升级后进行全面整转,网络改造多数不涉及进户线部分,这样进户线的各种问题就成为数字电视转换后的主要故障原因,如线路衰减过大、不合理分配信号等。进户线衰减过大可通过场强仪进行量能的判断分析进行处理,而不合理的信号分配引起的故障却较难判断和处理。这里所说的不合理信号分配主要是指用户将原来安装在客厅的有线电视信号,通过并联-5电缆或三通等（不通过任何分配器件）引至卧室等其他位置,下面分析不合理分线所造成的不良影响并提出解决方法。     

QChat业务的关键技术研究

QChat业务是专门为CDMA2000 1x EV-DO Rev.A而优化的高级无线对讲服务,文章主要研究了QChat业务的几项关键技术,包括PPP永远在线、被叫寻呼策略、QoS保障和支持DOS。     

一种高速低功耗动态比较器设计

提出了一种应用于最小能量追踪系统的改进型高速低功耗动态比较器。通过在锁存比较器中引入额外的正反馈,使得动态比较器具有响应速度更快、功耗更小的优点,同时电路规模与版图面积基本保持不变。基于65 nm CMOS工艺的HSPICE仿真显示,所提出的动态比较器在输入电压差为1 mV时,传输延迟仅为1.82 ns,较未改进之前的3.57 ns,传输延迟大幅度减小。     

电沉积氧化铈对烧结镍电极性能的影响

在烧结镍基体表面，预先电沉积一层氧化铈，通过电化浸渍得到镍电极，研究了预先电沉积氧化铈对烧结镍电极性能的影响。结果表明：与空白烧结镍电极相比，预先电沉积氧化铈（＋4），改善了烧结镍电极的大电流充放电性能和循环性能，增加了电极的可逆性，提高了电极的充电接受能力和活性物质利用率，减少了电极膨胀率，且当氧化铈的预先电沉积量为5％时，烧结镍电极的电极性能处于最佳。     

器件与电路参数对SET波形影响仿真研究

利用Sentaurus TCAD仿真软件,建立并校准了MOSFET仿真模型。分析了NMOS器件在重离子轰击下产生的SET波形。结果表明,轰击位置在漏极且入射角呈120°时,器件具有最大的峰值电流。通过建立MIX、TCAD、SPICE三种反相器模型并施加重离子轰击,研究了不同模拟方式下电路响应对SET波形的影响,指出了采用双指数电流源在SPICE电路中模拟的不准确性。采用MIX模型探究了器件结构及电路环境对SET波形的影响。结果表明,LET能量、栅极长度、轨电压和负载电容都会对SET波形脉宽及平台电流大小产生显著影响,说明了建立SET模拟波形时须综合考虑这些因素。     

具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性

提出了一种具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS,借助2D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析,结果证明该结构在与RESURF结构相同的耐压下,具有器件长度小,漂移区浓度高,导通电阻小的特点.这表明降场电极是一种缓和漂移区掺杂浓度和耐压之间矛盾的有效方法.该结构是一种器件耐压与导通电阻优化的新途径.