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海水中的有色溶解有机物(CDOM)对海洋生态系统具有重要影响。针对当前CDOM测量的问题,基于Teflon AF 液芯波导(LWCC/LCW)技术,设计了一套全自动CDOM走航式测量仪。该仪器具有光程可调、测量动态范围广、灵敏度高等特点,适合于各类水体。其过滤和进样系统,实现了水样的自动过滤、进样和样品池清洗。基于LabVIEW语言开发的软件控制平台,可高效地控制仪器的运行状态和数据(光谱数据、GPS数据及海水温盐数据)的采集。通过对照实验和现场海上测试,证实了测量数据的可靠性和仪器的稳定性。 相似文献
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提出了一种从测试的S参数中提取旋波材料参数的新方法——神经网络法。针对旋波材料参数的自由空间测试方法,本文采用BP神经网络来构建映射模型,利用不同算法对网络进行训练,从而获得所需的网络。结果表明,该方法计算速度快、精度高,解决了求解非线性方程组解的模糊性问题,确保了测试结果的可靠性。该方法所构建的网络可用于材料测试后旋波材料参数的快速提取。 相似文献
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高含量稀土玻璃在激光防护材料方面具有重要的应用,通过对稀土玻璃析品行为的研究.有助于制备出透明的高稀土含量稀土玻璃.分别制备了透明的铒硼硅酸盐稀土玻璃和富B2O3、富SiO2、富Al2O3的铒硼硅酸盐稀土玻璃,并在1100℃下对各种玻璃样品进行热处理.采用XRD,SEM等分析测试方法对Er2O3-B2O3-SiO2-Al2O3系玻璃的析晶行为进行研究,并探讨了玻璃组成对析晶产物的影响.结果表明,铒硼硅酸盐稀土玻璃的局部结构与ErBO3晶相的结构具有一定的相似性;富B2O3,富SiO2、富Al2O3的铒硼硅酸盐稀土玻璃会发生失透现象.稀土玻璃发生失透是由玻璃析晶引起的,其中铒硼硅酸盐稀土玻璃中最易析出的晶相是ErBO3. 相似文献
156.
ICP—AES法测定玫瑰花、金银花中多种微量元素 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了用微波消解ICP—AES对玫瑰花、金银花中Cu、Zn、Fe、Mn、Na、Ca6种元素进行测定的方法,优化了ICP—AES的工作参数,考察了消解液的种类及用量对测定结果的影响,选择玫瑰花的消解液为V(HNO,)+V(HClO4):5+3,金银花的消解液为V(HNO,)+V(HClO4)=10+3。结果表明,6种元素的检出限在0.005~0.021μg/mL之间,相对标准偏差(RSD)均小于8%,回收率为95.6%~103.9%,该法用于玫瑰花、金银花中元素的测定,结果令人满意。金银花、玫瑰花中含有丰富的微量元素,对人体健康十分有益。 相似文献
157.
Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ultra-thin EOT high-k metal gate NMOSFET with kMC TDDB simulations
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The thickness effect of the TiN capping layer on the time dependent dielectric breakdown(TDDB) characteristic of ultra-thin EOT high-k metal gate NMOSFET is investigated in this paper.Based on experimental results,it is found that the device with a thicker TiN layer has a more promising reliability characteristic than that with a thinner TiN layer.From the charge pumping measurement and secondary ion mass spectroscopy(SIMS) analysis,it is indicated that the sample with the thicker TiN layer introduces more Cl passivation at the IL/Si interface and exhibits a lower interface trap density.In addition,the influences of interface and bulk trap density ratio N_(it)/N_(ot) are studied by TDDB simulations through combining percolation theory and the kinetic Monte Carlo(kMC) method.The lifetime reduction and Weibull slope lowering are explained by interface trap effects for TiN capping layers with different thicknesses. 相似文献
158.
Temperature- and voltage-dependent trap generation model in high-k metal gate MOS device with percolation simulation
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High-k metal gate stacks are being used to suppress the gate leakage due to tunneling for sub-45 nm technology nodes.The reliability of thin dielectric films becomes a limitation to device manufacturing,especially to the breakdown characteristic.In this work,a breakdown simulator based on a percolation model and the kinetic Monte Carlo method is set up,and the intrinsic relation between time to breakdown and trap generation rate R is studied by TDDB simulation.It is found that all degradation factors,such as trap generation rate time exponent m,Weibull slope β and percolation factor s,each could be expressed as a function of trap density time exponent α.Based on the percolation relation and power law lifetime projection,a temperature related trap generation model is proposed.The validity of this model is confirmed by comparing with experiment results.For other device and material conditions,the percolation relation provides a new way to study the relationship between trap generation and lifetime projection. 相似文献
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