电子电气学科学生的"大学物理"教学

“大学物理”课程是大学工科的公共基础课程。课程由于知识量大,教学目的和任务重。本文通过在面向电子电气工程专业的教学时,适当引用三个实例来提高学生的学习积极性并适时锻炼学生的研究问题的能力。通过光的本性,提前引人量子物理,让学生能够了解微观物理中的物质波的概念。干涉中的滤波效应提出了电子电气专业学生在以后的学习过程中常常遇到的两个专业名词。而对毕奥-萨伐尔定律的数值模拟,让学生在直观看到磁场的大小和方向的规律之外,还培养了学生建立模型,数值计算的兴趣和能力。     

GaAs1-xSbx/GaAs单量子阱的光学特性研究

用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb/GaAs单量子阱的光学性质，第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类)和间接(Ⅱ类)跃迁.它们表现出不同的特性：Ⅰ类跃迁具有局域化特性，其发光能量不随激发光能量而变；Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移，也随激发光能量的增加而蓝移，复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间，实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释，这也是空间间接跃迁的典型特性.还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb/GaAs能带排 关键词： GaAsSb/GaAs 选择激发 Ⅱ类跃迁     

Influence of Traxiality on the Signature Inversion in Odd-Odd Nuclei

The nature of signature inversion in the πg/2vh11/2 bands of odd-odd^98.102Rh nuclei is studied. Calculations are performed by using a triaxial rotor plus two-quasiparticle model and are compared with the experimentally observed signature inversions. The calculations reproduce well the observations and suggest that, in these bands, the signature inversion can be interpreted mainly as a competition between the Coriolis and the proton-neutron residual interactions in low K space. The triaxiality applied in the Hamiltonian enlarges the amplitudes of high spin signature zigzags at small triaxial deformation and might push the signature inversion point to higher spin at large triaxial deformation.     

与GaN晶格匹配的InAlN分子束外延生长及其性能北大核心CSCD

采用等离子体辅助的分子束外延(MBE)方法制备了InAlN外延薄膜,探讨了InAlN材料In原子数分数和生长条件的关系,以及等效束流强度(BEP)对材料质量的影响。绘制了InAlN关于温度与In和Al BEP的生长相图,经过优化后生长了与GaN晶格匹配的InAlN外延薄膜。使用高分辨率透射电子显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜和阴极荧光光谱(CL)对制备的InAlN材料进行了测试和表征。结果表明,InAlN/GaN异质界面清晰,In_(0.18)Al_(0.82)N外延材料(002)面X射线衍射峰半高宽为263 arcsec,表面粗糙度仅为0.23 nm,CL发光波长为283 nm,弯曲系数为5.2 e V,根据CL图像估算的材料位错密度约为2×108cm-2。     

GaNxAs1—x／GaAs单量子阱发光性质及带阶研究

用光荧光谱（PL）研究了GaNxAs1-x/GaAs单量子阱（SQW）的光跃迁性质和带阶,通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系,发现GaNxAs1-x/GaAs单量子阱中的发光是本征带－带跃迁,并且低温发光是局域激子发光,通过自渝计算发现它的导带带阶（△Ec）与氮含量的关系不是纯粹的线性关系,其平均变化速率（0．110eV/N％）比文献中报道的要慢得多（0．156－0．175eV/N％）,此外发现Qc（＝△Ec/A△Eg）随氮含量的变化很小,用Q≈x^0.25来表示,还研究了GaNxAs1-x/GaAs单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数（b）的影响。     

Stochastic resonance in a monostable system driven by square-wave signal and dichotomous noise

<正>This paper investigates the stochastic resonance in a monostable system driven by square-wave signal,asymmetric dichotomous noise as well as by multiplicative and additive white noise.By the use of the properties of the dichotomous noise,it obtains the expressions of the signal-to-noise ratio under the adiabatic approximation condition.It finds that the signal-to-noise ratio is a non-monotonic function of the asymmetry of the dichotomous noise,and which varies non-monotonously with the intensity of the multiplicative and additive noise as well as the system parameters.Moreover, the signal-to-noise ratio depends on the correlation rate and intensity of the dichotomous noise.     

GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化

我们利用光荧光(PL)以及时间分辨光谱(TRPL)研究了用MBE生长在GaAs衬底上的GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化.研究发现,在低温下用连续光(Cw)激发,由于GaNAs中势振荡所产生的局域激子发光是所测量到光谱的主要发光来源.然而在脉冲激发下,情况完全不同.在高载流子密度激发或者高温下GaNAs/GaAs量子阱中例外,一个高能端的PL峰成为了主要的发光来源.通过研究,我们将这个新的发光峰指认为量子阱中非局域激子复合的PL峰.这个发光峰在温度和激发强度的变化过程中与局域激子相互竞争.我们相信这一过程也是许多文献所报道的在InGaN和AlGaN等氮化物中经常观测到的发光峰位随温度"S"形变化的主要根源.     

显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E0+Δ0光学性质

通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs (SI-GaAs)晶体的带边附近的发光. 在光荧光谱中，观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰. 结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E₀＋Δ₀能级的非平衡荧光发射. 同时, 通过研究E₀＋Δ₀能级的偏振、激发光强度依赖关系，以及温度依赖关系说明E₀＋Δ₀能级与带边E₀共享了共同的导带位置Γ₆，同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时，通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较，半绝缘GaAs晶体的E₀＋Δ₀能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E₀＋Δ₀的能量位置和物理性质. 研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具. 关键词： 半绝缘GaAs 显微光致发光 自旋轨道分裂