Stochastic resonance in with additive noises a stochastic bistable system and square-wave signal

<正>This paper considers the stochastic resonance in a stochastic bistable system driven by a periodic square-wave signal and a static force as well as by additive white noise and dichotomous noise from the viewpoint of signal-to-noise ratio.It finds that the signal-to-noise ratio appears as stochastic resonance behaviour when it is plotted as a function of the noise strength of the white noise and dichotomous noise,as a function of the system parameters,or as a function of the static force.Moreover,the influence of the strength of the stochastic potential force and the correlation rate of the dichotomous noise on the signal-to-noise ratio is investigated.     

液相激光烧蚀法制备纳米材料的研究进展

液相激光烧蚀方法,主要是利用激光与液态介质相互作用、产生局域高温高压非平衡过程而获得纳米材料的方法,能够有效合成常规手段无法合成的新型纳米材料。阐述了液相激光烧蚀法(包括非反应性液相激光烧蚀和反应性液相激光烧蚀)制备纳米材料的基本原理和国内外研究现状,并指出这一领域存在的主要问题与发展方向。     

新型双异质结高电子迁移率晶体管的电流崩塌效应研究

针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境,对新型A1GaN/GaN/InGaN/GaN双异质结高电子迁移率晶体管的直流性质展开了系统研究.采用基于热电子效应和自加热效应的流体动力模型,研究了器件在不同偏压下电流崩塌和负微分电导效应与GaN沟道层厚度的相关.研究发现具有高势垒双异质的沟道层能更好地将电子限制在沟道中,显著减小高电场下热电子从沟道层向GaN缓冲层的穿透能力.提高GaN沟道层厚度可以有效抑制电流崩塌和和负微分输出电导,进而提高器件在高场作用下的性能.所得结果为进一步优化双异质结高电子迁移率晶体管结构提供了新思路,可促进新型GaN高电子迁移率晶体管器件在高功率、高频和高温等无线通讯领域内的广泛应用.     

Photoreflectance system based on vacuum ultraviolet laser at 177.3 nm

Photoreflectance (PR) spectroscopy is a powerful and non-destructive experimental technique to explore interband transitions of semiconductors. In most PR systems, the photon energy of the pumping beam is usually chosen to be higher than the bandgap energy of the sample. To the best of our knowledge, the highest energy of pumping laser in reported PR systems is 5.08 eV (244 nm), not yet in the vacuum ultraviolet (VUV) region. In this work, we report the design and construction of a PR system pumped by VUV laser of 7.0 eV (177.3 nm). At the same time, dual-modulated technique is applied and a dual channel lock-in-amplifier is integrated into the system for efficient PR measurement. The system's performance is verified by the PR spectroscopy measurement of well-studied semiconductors, which testifies its ability to probe critical-point energies of the electronic band in semiconductors from ultraviolet to near-infrared spectral region.     

GaNxAs1-x(x＜0.01)中合金态的光学特性

应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001)GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中三元合金态的光学特性．变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别，而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性．最后还研究了GaNAs的吸收光谱特征．     

GaAs1-xSbx/GaAs单量子阱的光学特性研究

用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb/GaAs单量子阱的光学性质,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类)和间接(Ⅱ类)跃迁.它们表现出不同的特性:Ⅰ类跃迁具有局域化特性,其发光能量不随激发光能量而变;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移,也随激发光能量的增加而蓝移,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释,这也是空间间接跃迁的典型特性.还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb/GaAs能带排列的Ⅱ类特性,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb/GaAs异质结的带阶系数.     

GaNxAs1－x(x<0.01)中合金态的光学特性

应用多种光谱手段研究了分子束外延生长在半绝缘的(001)GaAs衬底上的低氮含量的GaNAs中 三元合金态的光学特性.变温PL谱揭示了合金态的本征特性以及其与氮的杂质态的根本区别 ，而脉冲激发的光荧光谱则进一步显示了合金态的本征光学特性.最后还研究了GaNAs的吸收 光谱特征.     

GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化

我们利用光荧光(PL)以及时间分辨光谱(TRPL)研究了用MBE生长在GaAs衬底上的GaNAs/GaAs量子阱的激子局域化以及退局域化。研究发现,在低温下用连续光(CW)激发,由于GaNAs中势振荡所产生的局域激子发光是所测量到光谱的主要发光来源。然而在脉冲激发下,情况完全不同。在高载流子密度激发或者高温下GaNAs/GaAs量子阱中例外,一个高能端的PL峰成为了主要的发光来源。通过研究,我们将这个新的发光峰指认为量子阱中非局域激子复合的PL峰。这个发光峰在温度和激发强度的变化过程中与局域激子相互竞争。我们相信这一过程也是许多文献所报道的在InGaN和AlGaN等氮化物中经常观测到的发光峰位随温度“S”形变化的主要根源。     

氟化聚氨酯的合成和表征

综述了各种不同结构的氟化聚醚《型和氟化聚酯型聚氨酯的合成并对产物的化学性能进行了描述。对各种表征方法的结果讨论表明,由于结构的特殊性,氟化聚氨酯有其不同于非氟化聚氨酯的特性。     

GaN基APD日盲紫外探测器读出电路设计

基于GaN基APD（雪崩二极管）日盲紫外探测器工作原理,我们设计了GaN-APD日盲紫外探测器的读出电路(ROIC)。考虑到GaN-APD日盲紫外探测器的特性,我们重点研究了80V高压击穿保护电路、暗电流消除电路以及为CTIA运放电路的电流偏置电路和带隙基准电路。在此基础上,我们设计了1×8的电路并进行了仿真验证,读出电路耐高压不小于80V,当积分电容为4pF,积分时间为25us,时钟频率为100KHz的时候,电路的电荷存储能力为5.6×107个,输出电压摆幅在0～2.25V,读出电路的输出电压线性度不低于99%。