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191.
193.
通过变深度纳米划痕实验对KDP的断裂特性进行了研究,测量了在KDP晶体(001)晶面上沿不同方向进行划痕实验时首条裂纹出现的位置.随后建立了该划痕过程的有限元模型,计算得到了导致KDP晶体沿不同方向发生断裂时的拉应力,并解释了划痕实验中出现微裂纹和崩坑的原因.结果表明,在KDP晶体(001)晶面上沿0°方向加工时材料最容易发生断裂,对应的拉应力为107 MPa;而沿45°方向时材料表现出较好的可加工性能,此时导致KDP晶体发生断裂的拉应力为160 MPa. 相似文献
194.
通信电台发射的信号通常表现出一定的细微特征差异,针对这种细微特征差异,本文在论证跳频信号跳变瞬时包络可以作为电台个体细微特征的基础上,提出了一种基于跳频信号瞬时包络特征的跳频电台个体识别方法。首先基于一种改进的基于小波变换的包络提取算法,提取出了样本信号跳变时刻的瞬时包络,并减轻了噪声等因素的影响。其次,分离并定量计算其盒维数和信息维数等瞬时特征,将得到的跳频信号的瞬时细微特征变换为一个特征向量,之后采用基于构造型神经网络的分类方法实现不同跳频电台的个体识别。最后对实际工作状态下3种型号电台进行个体识别,实际数据的实验结果验证了算法的有效性。 相似文献
195.
定义和研究了函数Sum(n,t),并借助于此以模n剩余类环上函数的频谱理论为工具解决了n元随机变量联合分布的分解问题。 相似文献
196.
197.
198.
对采用银浆和250℃、130℃度高、低温锡膏作为芯片键合材料的1W白光LED结温、热阻和光衰进行了对比研究。研究结果表明,与采用银浆作为芯片键合材料的LED相比,采用锡膏作为芯片键合材料的1W白光LED的结温下降了10℃以上,热阻也相应下降了约10K/W;两种键合材料的1W白光LED初始光通量基本没有差别,在光衰试验中,初期均存在光通量提高现象。在环境温度58℃时,工作1400h之后,光通量才开始小于初始光通量;在工作2880h之后,两种键合材料的1W白光LED光衰相差6%。 相似文献
199.
200.
异或线性分支数是衡量分组密码扩散结构的扩散性能的一个重要指标,它对分组密码抵抗线性密码分析的能力有重要的影响.二元域上的非线性变换也常用作分组密码的扩散结构,本文给出了此类扩散结构的异或线性分支数的一个定义及其与分组密码抗线性逼近攻击能力的关系,证明了以模2n剩余类环上的线性变换为扩散结构的异或线性分支数等于将其奇系数换成1、偶系数换成0且将模2n加换成模2加所得的二元域上线性变换的异或线性分支数,从而将这类扩散结构的异或线性分支数归结为二元域上线性变换的异或线性分支数. 相似文献