一种基于不完全信息环境下多议题协商的最优化

文章探讨了Agent之间双边多议题的协商。主要以议程和协商程序这两个因素研究了其结果．并分析了不完全信息环境下不同议程和程序的协商过程，在此基础上，我们确定了逐一问题和一揽子交易两个协商程序的平衡策略，最后，给出了每个Agent所有可能议程和过程组合优化的协商结局。     

IKEv2在基于IP的无线自组网中的应用研究

无线自组网络没有专门的密钥管理协议,其安全性一直备受关注.IKEv2是目前IP网络中使用最广泛的密钥管理协议,但它不是专门为无线网络环境设计的.文章根据IKEv2使用的认证方法的不同提出了两个改进协议.这两个协议都使用无线自组网络认证方法-MANA证书来认证响应者,从而减少密码算法计算量,让IKEv2为无线自组网提供密钥管理服务.     

等离子淋浴在离子注入工艺中的应用

阐述了等离子淋浴技术的工作原理和特点。介绍了在离子注入工艺中采用等离子淋浴来中和晶片表面的电荷积累,可将晶片表面的电荷积累电压控制在安全范围;应用等离子淋浴实现低能离子束的电中性传输,可提高低能离子束的传输效率和束通道的最大传输束流。最后介绍了国外在这两方面的研究应用情况。     

一种新型2.4 GHz SiGe BiCMOS低噪声放大器

基于窄带低噪声放大器理论,设计了一种2.4 GHz,具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGe BiCMOS低噪声放大器。采用TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS工艺库,利用SpectreRF软件的仿真结果显示,该电路具有2.27 dB低噪声系数,11.5 dB正向增益;2 V工作电压下,其功耗仅为6.1 mW。研究结果表明,该低噪声放大器在射频蓝牙系统中具有一定的应用前景。     

基于1.5 μm BiCMOS 工艺的SiGe HBT器件设计优化

基于非选择性外延,自对准注入技术,集电区选择性注入和快速热退火工艺,提出了一种适用于1.5μm BiCMOS集成技术的SiGe HBT器件结构。该结构具有内基区薄,外基区厚,B/E结两侧杂质浓度低,发射极/基极自对准诸优点。利用TSuprem4和Medici进行工艺模拟和电学特性仿真。结果表明,所设计的的SiGe HBT具有良好的电学特性,其最大电流增益为210,当Vce=2.5 V时,截止频率达到65 GHz,验证了器件结构设计的合理性。     

视频分配器中提高信号完整性的方法

本文通过对信号完整性问题产生机理的分析,提出了一系列的解决方案。针对一个小型的VGA分配器的设计,结合合理的仿真模型说明了确保良好信号完整性是高速电子系统实现的保证。     

关于“拉特马吼级数表示的函数”一文中一个定理的简单证明和推广

王斯雷在[1]中建立了下述定理1。但是他的证明似乎太长,本文指出,这个定理只需用初等微积分的方法就可以很简单地证明出来。用新证明的类似方法我们还可以得到定理2及定理3。定理2将原定理中F(x)连续的条件减弱为近似连续,定理3又在定理2的基础上把定理1进一步推广。定理1.设F(x)是[0,1]上的连续函数,级数     

多Agent通信与合作机制研究

在传统的agent交互结构上，提出了一种三层的协议交互agent结构，并研究了一种交互协议表示方法，并以FIPA的英式拍卖协议（English—Auction—Protoc01）为例，分析了交互协议是如何表示的以及Agent如何按照交互协议进行会话的。     

部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系

实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关. 对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究. 建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立, 它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程. 模拟结果与实验结果相符, 解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.