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211.
为了正确评价维纳滤波器的质量并实现优化,以便获得好的重构图像,提出采用调制传递函数(MTF)来评价和优化维纳滤波器,得到很好的效果。 相似文献
212.
具有摩擦的刚体碰撞 总被引:4,自引:0,他引:4
刚体碰撞是力学上的一个经典问题,但目前大都采用给定恢复系数进行分析的方法,本文则直接从两刚体碰撞时Newton第二定律出发,建立了计及摩擦的两刚体碰撞基本理论,并指出了以往研究通过给定恢复系数方法的错误之处。文中通过利用两刚体接触相对变位加速度与碰撞力的关系,定义了法向等效质量,对二维平面碰撞,通过一些简单的比较和定义给出了各种碰撞状态的分类判别法,并给出了碰撞力和冲量的解析式。指出法向等效质量依赖于碰撞状态,在反向滑动和停止滑动这两状态下的法向等效质量是变化的,因此导致其恢复系数是变化的,这样,恢复系数不仅与接触力(接触点情况)有关,而且还与两刚体的运动和动力参数有关,同时给出各种碰撞状态下的恢复系数计算式。 相似文献
213.
聚对二甲苯薄膜是20世纪60年代中期美国联合碳化物公司首先工业化开发应用的一种由真空气相沉积聚合而制得的具有优异特性的高分子材料,已发展成为用于橡胶表面改性的一种新型材料,用于改善橡胶制品的力学性能、耐化学品性能和耐油性能、阻隔性能、表面摩擦和润滑性能、电绝缘和耐电压破坏性能、生物相容性能等。本文作者结合自身的操作经验,对聚对二甲苯的制备方法、特性及其在橡胶制品如硅橡胶按键、橡胶密封圈、轮胎内衬和内胎、医疗橡胶制品、微机电系统上的应用进行了综述,并对其研究和应用前景作了简要展望。 相似文献
214.
题目 满足条件AB-=2,AC=√2BC的△ABC面积的最大值为——. 相似文献
215.
216.
MOSFET器件继续微缩则闸极氧化层厚度将持续减小,在0.13μm的技术闸极二氧化硅的厚度必须小于2nm,然而如此薄的氧化层直接穿透电流造成了明显的漏电流。为了降低漏电流,二氧化硅导入高浓度的氮如脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅受到高度重视。然而,脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅的一项顾虑是pMOSFET负偏压温度的失稳性。在此研究里测量了脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET负偏压温度失稳性,并且和传统的二氧化硅闸电极比较,厚度1.5nm的脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET和厚度1.3nm的二氧化硅pMOSFET经过125℃和10.7MVcm的电场1h的应力下比较阈值电压,结果显示脱耦等离子体氮化制备氮氧化硅pMOSFET在负偏压温度应力下性能较差。在15%阈值电压改变的标准下,延长10年的寿命,其最大工作电压是1.16V,可以符合90nm工艺1V特操作电压的安全范围内。 相似文献
217.
用大掺量超细工业废渣取代水泥,最大粒径为2.5 mm的天然砂取代粒径为600 m的磨细石英砂,并掺加高弹高强粗集料(最大粒径分别为15、10 mm的玄武岩石子),制备出不同强度等级的超高性能水泥基复合材料(UHPCC).对9块靶体进行了接触爆炸实验,对比分析了靶体材料的爆炸破坏现象,结果表明,制备的超高性能水泥基复合材料具有优异的抗爆炸、抗震塌性能.由爆炸漏斗坑尺寸计算分析得到3种材料的抗爆炸系数,分析表明其抗爆炸系数与材料本身的抗拉强度的平方根成反比,提出了超高性能水泥基复合材料爆炸漏斗坑深度计算公式,以期为防护工程材料的设计提供参考. 相似文献
218.
北京和升达信息安全技术有限公司 《电信技术》2011,(4):84-85
引言
随着我国电信信息化建设水平的不断提高,对各种信息化产品的依赖程度也不断加深,其中涉及国家秘密和商业秘密的数据采集、传输、储存和信息销毁等电信信息化安全工作的重要环节。 相似文献
219.
本文针对DC-HSPA+下行速率低的问题,结合泰安联通WCDMA网络现状,从参数优化、资源优化、无线环境优化三个方面对DC功能小区进行了优化调整,数据速率得到了明显提高,DC业务各项指标稳步提升,为下一步"LTE+42M"一体化战略发展打好基础。 相似文献