高浓度悬浮固粒对运动射流稳定性影响的研究

用连续介质耦合模型推导出含高浓度悬浮固粒运动射流的空间稳定性方程，然后用渐进分析法和有限差分得到不同流向位置、喷射装置运动速度和固粒属性时流场的稳定性特征曲线。说明流向位置、喷射装置运动速度和固粒属性对流场稳定性的影响。本文结论对于工程应用有指导意义。     

HDTV SoC中的多CPU设计

对于HDTV这种实时性要求高的系统来说,多处理器架构可以使响应时间缩短,更容易达到实时要求,基于HDTV的信源解码SoC芯片,提出了一种双CPU的控制机构.     

电子专用设备行业“十五”稳定发展奠基“十一五”

2005年是“十五“计划的最后一年，我国电子专用设备行业继续保持了产、销和经济效益同步增长的态势。与”九五”末（2000年）相比，我国电子专用设备行业十五末的总产值、销售收入、利税总额和出口交货值分别增长了95．1％、81．8％、130％和122％。而职工人数减少了33％。     

本征Josephson单结的电流-电压特性

采用光刻蚀和Ar离子刻蚀技术成功地在Bi-2212单晶表面制备出台阶型本征Josephson单个结，并在5-65K范围内用四引线法测量了该结零场下的Ⅰ～Ⅴ特征曲线．结果表明，临界电流几乎保持不变，但返回电流随温度增加而增大；与此同时，Mccumber参数βc随着温度增加而减小．临界温度附近，跳跃电压△V明显偏离BCS理论．     

静磁前向体波—光导波调制器研究

在理论和实验两个方面研究了YIG/GGG结构中静磁前向体波(MSFVW)色散、辐射阻抗和输入阻抗。按模式耦合理论对YIG/GGG结构中MSW-GOW互作用问题作了分析。成功地实现了MSFVW对光导波的调制,作用效率达21％,带宽0.5GHz。     

缩合显色反应分光光度测定δ—氨基乙酰丙酸

本文报道一种新的测定δ－氨基乙酰丙烯（δ－ＡＬＡ）的分光光度法，方法基于δ－ＡＬＡ被缩合成吡咯衍生物后，在酸性条件与Ｆｅ＾３＋生成橙红色配合物，其λｍａｘ为４８０ｎｍ，ε为６．６×１０＾３Ｌ．ｍｏｌ＾－１．ｃｍ＾－１，线性范围１０～４００μｇ／２５ｍＬ，回收率９４～１０４％。     

Rugate光学薄膜通带内反射次峰的抑制

本文探讨了抑制Rugate光学薄膜通带内反射次峰的各种方法。以五次函数匹配和正弦调制相结合的方法获得了在宽光谱范围内能很好抑制反射次峰并能保持其截止带反射率的Rugate膜系。     

离子注入多晶硅的等离子腐蚀技术

用平行平板腐蚀器和两种不同的化学蚀剂(SF_6-O_2-Ar和SF_6-CCl_2F_2-Ar)研究离子注入掺磷多晶硅的干法腐蚀。以前发现,这两种方法腐蚀固态源扩散掺磷多晶硅的结果十分理想。使用两种不同的蚀剂产生不同的注入多晶硅剖面。蚀剂SF_6-CCl_2F_2-Ar导致尖锐的凹陷状豁口;而蚀剂SF_6-O_2-Ar则会造成条宽损耗,但不会产生豁口。本文提供了离子注入多晶硅的剖面样品,并对两种蚀剂产生不同剖面的可能机理进行讨论。通过在不同深度掺杂物浓和离子注入多晶硅的结构变化解释豁口。提出,腐蚀剂SP_6-O_2-Ar腐蚀产生的离子注入多晶硅,其剖面无豁口的原因是蚀剂SF_6-O_2-Ar中的氧和腐蚀表面的相互作用致使蚀剂对离子注入多晶硅中的杂质浓度不很敏感。本文提供了支持这种解释的简单实验的结果。     

大唐电信推出"COMIPTM计划"

日前，大唐电信、美国新思科技（SynopsysInc）、上海中芯国际（SMIC）和浙江大学信息科学与工程学院四家单位在北京举行了“COMIPTM计划”框架合作协议签字仪式，宣布共同开发用于未来通信的综合信息处理SOC（系统级芯片）平台。COMIPTM作为一款全新的SOC平台将成为大唐电信未来通信设备的核心芯片。根据该协议，大唐电信将与其合作伙伴联合开发该芯片平台并在２００４年上半年投入试商用，２００４年第三季度进入批量生产。大唐电信推出“COMIPTM计划”@淑忠