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INTRODUCTIONChitin is the second most naturally abundant biopolymer and is found in a variety of organisms, including fungalcell walls, the exoskeleton of crustaceans, skeletal tissue of mollusks and the integument of insects.When treated with alkali, chitin can be deactylated and turned into chitosan, which is a linear binaryheteropolysaccharide composed of (1-4) linked 2-acetamido-2-deoxy-β-D-glucopyranose and 2-amino-2-deoxy-β-D-glucopyranose residues. Chitosan has a wide variety of … 相似文献
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本文针对国内目前焦炉气制甲醇工艺的不完善性,以盛隆化工有限公司焦炉气制甲醇自动化改造项目为例,介绍了焦炉气制甲醇工艺中自控系统的硬件配置,软件配置,网络结构,给出了系统的主要控制功能及其实现。系统成功实施,实现了优化控制,运行稳定,有效克服了传统作业中的人工操作弊端,同时为后期扩容和全集成奠定了基础。 相似文献
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闪光辐射照相及光学高速摄影图象的增强处理 总被引:3,自引:0,他引:3
本文介绍图象增强处理技术在闪光辐射照相图象及光学高速摄影图象中的应用.针对闪光图象及高速摄影图象的特点,研究了一些有效的图象增强方法,取得了很好的应用效果. 文中给出了部分应用实例. 相似文献
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在线视听领域流行的RA(Real Andio)格式、日渐进步的WMA(Windows Media Audio)格式和目前Internet上的宠儿MP3格式都是比较流行的压缩音频格式,但是现在,对于压缩音频格式,我们又多了一个新的选择——VQF格式。该格式是数字音频领域的著名厂商——日本YAMAHA公司推出的压缩音频文件格式。它采用了日本NTT公司所开发的TwinVQ压缩技术,能达到1/20的压缩率。与MP3格式相比,VQF格式在相同的采样频率和采样精度下,能获得比MP3格式更高的压缩率,大约比MP3格式的压缩率高出10%-30%。虽然VQF目前还没有撼动MP3的地位,但在Internet上,也已经取得了不俗的成绩,拥有为数不少的爱好者。如果您想要把自己的音频CD压缩为MP3储存在CDR或硬盘上,不妨试试换成VQF。事实上.NTT和YAMAHA都推出了自己的VQF编码器,但是NTT的编码器在操作性方面不是尽如人意,因此,以下为您介绍YAMAHA出品的VQF编码器-SoundVQ Encoder和播放器YAMAHA SoundVQ Player。 相似文献
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美国国家标准技术院以万花筒原理为模型 开发了一种仪器 作为激光功率测量的新标准具。该仪器叫光阱探测器 它是个三棱管 两端各有一个并不昂贵的光电二极管 相当于万花筒中的两面镜子。如同镜子捕捉光来回反射光而产生图像 光电二极管要么吸收激光 要么将激光反射到另一二极管使之被吸收。每次吸收中光子转化为电能 从而实现激光功率测量。 该探测器已有几种型号。其中之一在有直径 mm开口的探测器中组合个mm× mm的硅光电二极管 效率大于%。另一型号在有直径 mm开口的探测器中组合个mm× mm光电二极管 《激光与光电子学进展》2001,(3):63-64
美国国家标准技术院以万花筒原理为模型,开发了一种仪器,作为激光功率测量的新标准具。该仪器叫光阱探测器,它是个三棱管,两端各有一个并不昂贵的光电二极管,相当于万花筒中的两面镜子。如同镜子捕捉光、来回反射光而产生图像,光电二极管要么吸收激光,要么将激光反射到另一二极管使之被吸收。每次吸收中光子转化为电能,从而实现激光功率测量。
该探测器已有几种型号。其中之一在有直径7 mm开口的探测器中组合6个10 mm×10 mm的硅光电二极管,效率大于99%。另一型号在有直径12 mm开口的探测器中组合6个18 mm×18 mm光电二极管,效率更高,误差小于0.05%。该院研究人员希望继续这项研究,发展更简单的阱结构,使用更少的光电二极管,并使视场更大。 相似文献
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Daimlar ChryslerResearch Center Umiversity of Ulm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In . Ga. As PIN二极管 并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 InP基InGaAs PIN二极管胜过GaAs开关电路 同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 采用线性InAAs应变缓冲层 其结果是消除%的应力。 已报道的SPST隔离度高达dB .dB低的插入损耗 在GHz下 直流损耗仅为.mWSPDT在GHz下已取得—dB的隔离和-.dB的插 《微电子技术》2001,29(3):22
DaimlarChryslerResearchCenterandUmiversityofUlm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In 0 52Ga 0 4 8AsPIN二极管 ,并可用作开关MMIC。由于其底的开启电压和低的开启电阻 ,InP基InGaAsPIN二极管胜过GaAs开关电路 ,同时还具有低的DC功率以及极高的隔离度。为了避免InP衬底的有关工艺问题 ,采用MBE方法把应变层InGaAs二极管生长在GaAs上 ,采用线性InA1As应变缓冲层 ,其结果是消除 94 %的应力。已报道的SPST隔离度高达 4 5dB … 相似文献