拓扑异构体的研究(Ⅰ)C型与S型拓扑异构体的波谱性质及结构鉴定

利用 ¹H和 ¹³C NMR, IR, UV, SEM对合成的4种C型和S型拓扑异构体进行了结构表征和分析, 发现对于不同拓扑结构的C型和S型分子可以通过 ¹H NMR来鉴别, 而对于相同拓扑结构的S型cis(SC)和trans(ST)分子, C型 cis(CC)和trans(CT)分子则要结合 ¹³C NMR来鉴别. 四种拓扑异构体的IR, UV, 波谱性质以及SEM图象没有显著的差异.     

基于生成对抗网络的差分隐私数据发布方法

机器学习的飞速发展使其成为数据挖掘领域最有效的工具之一,但算法的训练过程往往需要大量的用户数据,给用户带来了极大的隐私泄漏风险.由于数据统计特征的复杂性及语义丰富性,传统隐私数据发布方法往往需要对原始数据进行过度清洗,导致数据可用性低而难以再适用于数据挖掘任务.为此,提出了一种基于生成对抗网络（Generative Adversarial Network,GAN）的差分隐私数据发布方法,通过在GAN模型训练的梯度上添加精心设计的噪声来实现差分隐私,确保GAN可无限量生成符合源数据统计特性且不泄露隐私的合成数据.针对现有同类方法合成数据质量低、模型收敛缓慢等问题,设计多种优化策略来灵活调整隐私预算分配并减小总体噪声规模,同时从理论上证明了合成数据严格满足差分隐私特性.在公开数据集上与现有方法进行实验对比,结果表明本方法能够更高效地生成质量更高的隐私保护数据,适用于多种数据分析任务.     

新上市主板介绍主板技术通报

近一个月来,各主板厂商采用intel 815和intel 815E芯片组的主板己全面上市,似乎为英特尔挽回了些许面子及市场分额,但并没有出现火爆的销售场面。而intel的强劲对手AMD也并没有放松对市场的争夺,凭借其新推出的针对高端的新速龙(Athlon)和低端的毒龙(Duron)两款CPU,欲对intel给以迎头痛击,各主板厂商也迅速跟进,纷纷推出了支持这两款CPU的主板。他们几乎都采用威胜公司新推出的芯片组VIA KT133,这一芯片组解决了其前代产品VIA KX133与AMD的两款新CPU时序不兼容的问题,还支持各种新的技术规格。使CPU的性能得到更好地发挥。前两个月红极一时的VIA 694X芯片组的主板目前仍属市场上的主流产品,并且还会有一段时间好买。这次参加本期评测主板技术通报的有intel 815。     

DR.com上网管家（T型）

可完成Internet共享,具有防火墙、动态IP地址分配功能(DHCP),支持PSNT、ISDN、ADSL,安装和设置比较简单     

利用非线性光学环路镜实现多个波长的同时变换

利用非线性光不路镜（ＮＯＬＭ）成功地实现了多个波长的同时变换,最大波长变换间距大于２５ｎｍ。实验系统中采用增益开关分布反馈半导体激光器（ＧＳ ＤＦＢ－ＬＤ）产生的超短光脉冲作为控制光,频谱分割法得到多波长激光作为信号光。改变控制光的输入功率或非线性光学环路镜中的偏振控制器的偏振方向能够改变不同变换波长信号的性能。     

高能辐射照相中“屏片”系统的MonteCarlo模拟

在简述“屏片”图像接收系统成像原理的基础上,讨论了薄介子中能量沉积的模拟方法。针对实际照相模型,研究了直穿光子和散射光子在“屏片”系统中的响应特性。结果表明,对于“屏片”系统,金属增感屏出射面的电子通量是决定X射线能量转换效率的主要因素;适当增加金属增感屏的厚度,有助于降低散射的影响,但也在一定程度上增加了图像本底;金属增感屏厚度为0．4mm左右时,金属增感屏对直穿光子的局部增感效果最好。     

由边界退化确定模糊尺寸

在高能闪光照相流体动力学实验中,模糊问题严重影响诊断结果的精度。模糊图像的边界检测结果与真实边界之间往往存在位置偏移,称为边界退化量。在照相布局和客体确定的条件下,模糊尺寸越大,边界退化量越大。利用边界退化量与模糊尺寸的这一关系,提出一种从边界检测中测量系统模糊尺寸的新想法,从闪光照相成像物理过程角度阐释了方法的原理,然后通过数值实验分析了方法的处理过程,建议测量实验利用倒锥准直器对球形客体成像。模拟结果表明:采用该方法模糊函数的FWHM误差小于1个像素。最后借助数值模拟对台阶客体照相实现了对模糊尺寸测量结果的验证。     

基于TMS320DM368的高清视频传输系统设计和实现

针对当今安防监控中对视频清晰度及实时性的要求,提出并实现一种基于TMS320DM368的高清视频传输系统,分析了系统的总体框架以及软件设计要点,其重点研究了视频采集、编码、RTP及RTSP传输协议栈的软件流程,并最终实现VLC播放器中实时播放的功能.实验结果表明,系统凭借很好的实时性和可靠性,可广泛应用于各种安防产业.     

Comparison of electrical characteristic between AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure Schottky diodes

Ni/Au Schottky contacts on AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures are fabricated.Based on the measured current–voltage and capacitance–voltage curves,the electrical characteristics of AlN/GaN Schottky diode,such as Schottky barrier height,turn-on voltage,reverse breakdown voltage,ideal factor,and the current-transport mechanism,are analyzed and then compared with those of an AlGaN/GaN diode by self-consistently solving Schrdinger’s and Poisson’s equations.It is found that the dislocation-governed tunneling is dominant for both AlN/GaN and AlGaN/GaN Schottky diodes.However,more dislocation defects and a thinner barrier layer for AlN/GaN heterostructure results in a larger tunneling probability,and causes a larger leakage current and lower reverse breakdown voltage,even though the Schottky barrier height of AlN/GaN Schottky diode is calculated to be higher that of an AlGaN/GaN diode.     

小封装二极管的热阻测试

随着封装体积的减小,半导体分立器件引线的外露部分也越来越小,这给引线温度的测试带来了巨大挑战.以封装外形为SOD-123FL的小电流整流二极管为例,介绍了结到引线的热阻和结到环境的热阻的测试方法.通过测量焊接于引线端部的小尺寸二极管芯片以及被测样品在不同温度下的热敏电压,实现了对小封装器件的引线温度和二极管本身结温的精密测量.