松下电器产业公司研制成单片量子Si存储器

日本松下电器产业公司已研制成耗散功率为以前 1/ 10 0超节能的单片量子Ｓｉ存储器。采用ＭＯＳＦＥＴ制造工艺和在相同条件下可制作Ｓｉ量子器件的技术 ,以及利用Ｓｉ量子器件负阻特性的低压工作双稳定电路技术。其特征是在同一衬底上实现Ｓｉ量子器件和ＭＯＳＦＥＴ的混合组装存储电路。工作电压范围为 0 2～0 5Ｖ ,为以前的 1/ 15～ 1/ 16,若以耗散功率来换算 ,为以前的 1/ 10 0 ,另外 ,可ＣＭＯＳ工作 ,还开展立体集成化大容量多值存储器件应用的研究 ,计划在 2 0 0 5年实用化松下电器产业公司研制成单片量子Si存储器@一凡…     

关于一稿两投的启事

《微波学报》1 999年第 3期中刊登了题为《毫米波 FMCW收发组件技术研究》的文章 ( pp.2 1 3～ 2 2 0 )。不久前发现《固体电子学研究与进展》1 999年第 1期中 ( pp.5 2～ 5 8)已刊载了一篇题目相同 ,内容几乎完全相同的文章。只是两篇文章在作者次序和人员方面有些不同 ,以及刊于微波学报文章后部增添了有关 3mm组件的若干性能。《微波学报》收该稿日期为 98年 7月2日 ,《固体电子学研究与进展》收稿日期则为 98年 7月 7日。此情况属“一稿两投”。由于我刊在审稿、编辑过程中请作者修改过几次 ,因此我刊定稿及刊载日期在《固体电子学研…     

绕线式低电阻无引线电感器

最近 ,ＴＤＫ公司开发了一种低电阻无引线绕线密封式电感器 [ＮＬＦＶ2 5系列 ],现已开始市售。本产品通过采用铁氧体原材料技术、成形技术以及磁路的最佳化 ,不但保持了与原来产品具有一样的额定电流值和自谐振频率 ,而且也使直流电阻值约减少了约 2 0～ 50 %。另外 ,在外封树脂中采用可再循环热可塑性树脂 ,尺寸为 2 5× 2 0ｍｍ形状 ,直至外封树脂 ,均考虑到环境因素。作为耐焊锡特性 ,同该公司ＮＬ系列产品一样 ,在外部电极上由于采用了金属端子 ,因此端子部分不沾焊锡 ,另外 ,由于端子强度增强而使印刷衬底翘曲 ,对部件安装应力有好…     

GaAs双波段集成功率放大器

摩托罗拉公司的ＲＦＩＣ1859所提供的单芯片可作双波段ＧＳＭ/ＤＣＳ电话的功率应用。这种集成功率放大器包括在芯片电压振荡器以保证单电源工作。栅漏的开关作用保护器件不受外因加栅偏置所引起过电流的影响 ,以前漏电压作开关用。在 90 0ＭＨｚ下 ,放大器提供了Ｗ峰值功率以保证正常的 2Ｗ电话设计 ,在180ＭＨｚ下 ,2Ｗ的峰值功率保证 1Ｗ的电话设计。这种器件是ＧＰＲＳ兼容 ,同时可应用于ＰＣＳ190 0蜂窝电话。3.6ＶＭＲＦＩＣ 1859的价格为 5.95美元 (批量销售 )。GaAs双波段集成功率放大器@一凡…